账号:
密码:
相关对象共 24
(您查阅第 2 页数据, 超过您的权限, 请免费注册成为会员后, 才能使用!)
Transphorm与Allegro合作提升大功率应用中氮化??电源系统性能 (2023.12.08)
全球氮化??(GaN)功率半导体供应商Transphorm与为运动控制和节能系统提供电源及感测半导体技术的Allegro MicroSystems合作,使用Transphorm的SuperGaN场效应电晶体和Allegro的AHV85110隔离式栅极驱动器,针对大功率应用扩展氮化??电源系统设计
Transphorm氮化??元件助力DAH Solar微型逆变器光伏系统 (2023.10.12)
世界首个整合型光伏(PV)系统采用Transphorm氮化??平台,DAH Solar是安徽大恒新能源技术公司子公司。该整合型光伏系统已应用在大恒能源的最新SolarUnit 产品。DAH Solar认为系统中所使用的Transphorm的GaN FET元件,能够生产出更小、更轻、更可靠的太阳能电池板系统,同时还能以更低的能耗提供更高的总发电量,关键在於使用Transphorm的功率元件
Transphorm推出新款TOLL FET 可支援高功率AI应用 (2023.10.11)
Transphorm推出三款采用TOLL封装的SuperGaN氮化??场效应管(FET),导通电阻分别为35、50和72毫欧姆。Transphorm的TOLL封装配置符合业界标准,意即SuperGaN TOLL FET可直接替代任何E模式TOLL解决方案
ICAA:以交流平台链结产业上下游夥伴 共谋智慧新未来 (2023.03.31)
近来ChatGPT引爆科技应用的无限想像,生成式人工智慧(Generative AI)所主导的新时代翩然到来。迎合新一阶段的智慧化浪潮,智慧产业电脑物联网协会(ICAA)与大联大控股世平集团透过「智慧物联 连接未来」交流会
立??科技与宜普电源转换合作推出小型化140W快充解决方案 (2023.01.18)
宜普电源转换公司(EPC)和立??科技(Richtek)?手推出新型快充叁考设计,使用RT6190降压-升压控制器和氮化??场效应电晶体EPC2204,可实现超过98%的效率。 宜普电源转换公司和立??科技宣布推出4开关双向降压-升压控制器叁考设计,可将12 V~24 V的输入电压转换?5 V~20 V的稳压输出电压,并提供高达5 A的连续电流和6.5 A的最大电流
大联大诠鼎推出高效超薄型200W LED驱动电源方案 (2022.09.15)
大联大控股宣布,其旗下诠鼎推出基於英诺赛科(Innoscience)INN650D01场效应晶体管的高效超薄型200W LED驱动电源方案。 随着人们对灯具品质的要求越来越高,传统的LED驱动器已经无法满足小而薄的灯具设计
飞宏新款65W配接器采用Transphorm氮化??技术 (2022.08.02)
全球电源产品和电动汽车充电站供应商飞宏(Phihong)新推出65W 2C1A USB PD配接器,其中采用Transphorm公司的氮化??(GaN)技术。这款配接器采用Transphorm的SuperGaN第四代技术,这是一种氮化??场效应管(FET)平台,具有系统设计简单,元件数量少,高性能,高可靠等优点
EPC推出高功率密度100V抗辐射电晶体 满足严格航太应用 (2022.07.05)
EPC推出100V、7mΩ、160 APulsed的抗辐射GaN FET EPC7004。尺寸小至6.56 mm2,其总剂量等级大於1 Mrad,线性能量转移的单一事件效应抗扰度为85 MeV/(mg/cm2)。EPC7004与EPC7014、EPC7007、EPC7019和EPC7018元件都是采用晶片级封装,这与其他商用的氮化??场效应电晶体(eGaN FET)和IC相同
Nayuta LEMURIA锂离子电池电源采用Transphorm氮化??FET (2022.06.06)
医疗应用必须具有高可靠性、准确性,电源电流的稳定及顺畅对其效能有重要的影响。全球高可靠性、高性能的氮化??(GaN)电源转换产品供应商Transphorm宣布,日本Nayuta Power Energy公司在其LEMURIA交流逆变器ME3000中,采用Transphorm的氮化??场效应管(FET),从而在无风扇系统中达到99%效率
EPC积极发展光达应用的车规认证积体电路 (2022.04.29)
EPC公司宣布推出 额定电压?100 V、58 mΩ 和脉冲电流为20 A 的共源双路氮化??场效应电晶体EPC2221,可用於机器人、监控系统、无人机、自动驾驶车辆和吸尘器的光达系统。 EPC2221采用低电感、低电容设计,允许快速开关 (100 MHz) 和窄脉冲宽度 (2 ns),从而实现高解析度和高效率
EPC推出基于氮化镓元件的12 V/48 V、500 W升压转换器演示板 (2022.01.06)
宜普电源转换公司(EPC)推出12 V输入、48 V输出、500 W的DC/DC演示板(EPC9166),展示瑞萨电子(Renesas)的ISL81807 80 V两相同步GaN升压控制器和宜普公司最新一代EPC2218 eGaN FET,在开关频率为500 kHz的12 V输入到48 V稳压输出转换中,效率超过96.5%
EPC推出40 V eGaN FET 因应高功率密度电讯、网通和运算解?方案 (2021.11.01)
EPC推出了40 V、1.3 m?的氮化镓场效应电晶体 (eGaN FET),元件型号?EPC2067,专?设计人员而设。 EPC2067比MOSFET更小、更高效、更可靠,适用于高性能且空间受限的应用。 宜普电源转换公司(EPC)是增?型矽基氮化镓功率电晶体和积体电路的全球领导者
EPC新推80 V和200 V eGaN FET (2021.06.17)
宜普电源转换公司(EPC)推出新一代氮化镓场效应电晶体(eGaN FET)产品--EPC2065 和 EPC2054。 EPC2065是一款 80 V、3.6微欧姆的氮化镓场效应电晶体,可提供221 A?冲电流,其晶片级封装的尺寸?7.1 mm2,让整体电源系统的尺寸更小和更轻,并且成?电动出行、电动自行车和踏板车,服务、交付、物流机器人和无人机的32V/48V BLDC电机驱动应用的适用元件
EPC基於eGaN的非隔离稳压式转换器开发板 (2018.07.10)
宜普电源转换公司(EPC)的EPC9130开发板是一款48V转换至12V的非隔离稳压式开发板、具用五个相位、每相具12A、最大输出电流为60安培,开发板的输出功率可以超过700W。该板具超高功率密度(每立方英寸大於1250W),其效率高於96%
[COMPUTEX]jjPLUS与EPC於InnoVEX演示大面积并多设备无线供电 (2018.06.06)
捷隹科技股份有限公司(jjPLUS)将於台北国际电脑展的InnoVEX 2018新创特展,展示新一代磁共振无线电源传输(WPT)技术。 作为jjPLUS公司的技术合作夥伴EPC公司在6月6日至8日携手叁展,於TWTC的3号馆、展览摊位G0309a与工程师会面
EPC eGaN技术在性能及成本上实现质的飞跃 (2017.03.17)
全球增?型氮化镓电晶体厂商、致力于开发创新的矽基功率场效应电晶体(eGaN FET)及积体电路的宜普电源转换公司(EPC)推出全新的EPC2045(7微欧姆、100 V)及EPC2047(10 微欧姆、200 V)电晶体,在提升产品性能的同时也可以降低成本
宜普演示板采用氮化镓场效应晶体管实现音频高效 (2015.02.06)
宜普电源转换公司(EPC)推出新款采用具备高频开关性能的氮化镓功率晶体管的D类音频放大器参考设计(EPC9106)采用 Bridge-Tied-Load(BTL)设计,包含四个接地的半桥输出功率级电路,使得设计可以升级及扩展
宜普电源推出450 V增强型氮化镓功率晶体管 (2015.01.15)
具备4奈秒上升时间特性的450 V氮化镓场效应功率晶体管(eGaN FET)并适合于高频直流-直流转换器及医疗诊断仪器的应用。 宜普电源(EPC)推出450 V并通常处于关断状态的增?型功率晶体管(EPC2027),可用于需要高频开关的应用,从而实现更高的效率及功率密度
宜普新款降压转换器演示板 适用于电讯、工业及医疗应用 (2014.10.23)
宜普电源转换公司(EPC)推出专为电讯、工业及医疗应用设计所需的配电解决方案,具备宽泛的输入电压范围、20 A输出电流,并且基于氮化镓晶体管的降压转换器演示板
宜普300 V氮化镓功率晶体管因应高频应用需求 (2014.10.03)
宜普公司为功率系统设计师提供一种上升时间为2奈秒(ns)并面向高频直流-直流转换器及医疗诊断仪器的300 V氮化镓场效应功率晶体管(EPC2025)。 宜普电源(EPC)推出300 V功率晶体管(EPC2025),可用于需要高频开关的应用,从而实现更高效率及更高功率密度


     [1]  2   [下一頁]

  十大热门新闻
1 Basler全新小型高速线扫描相机适合主流应用
2 意法半导体整合化高压功率级评估板 让马达驱动器更小且性能更强
3 Pilz多功能工业电脑IndustrialPI适用於自动化及传动技术
4 SKF与DMG MORI合作开发SKF INSIGHT超精密轴承系统
5 宜鼎推出DDR5 6400记忆体,具备同级最大64GB容量及全新CKD元件,助力生成式AI应用稳定扎根
6 宜鼎E1.S固态硬碟因应边缘伺服器应用 补足边缘AI市场断层
7 SCIVAX与Shin-Etsu Chemical联合开发全球最小的3D感测光源装置
8 Microchip支援NIDIA Holoscan感测器处理平台加速即时边缘AI部署
9 英飞凌CoolSiC萧特基二极体2000 V直流母线电压最高可达1500 VDC
10 瑞萨全新RA8 MCU系列将Arm Cortex-M85处理器高效引入成本敏感应用

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29号11楼 / 电话 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw