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imec采用High-NA EUV技术 展示逻辑与DRAM架构 (2024.08.11)
比利时微电子研究中心（imec），在荷兰费尔德霍温与艾司摩尔（ASML）合作建立的高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）微影实验室中，利用数值孔径0.55的极紫外光曝光机，发表了曝光後的图形化元件结构 |
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用「??」金属实现2奈米制程 (2020.10.11)
Imec展示可实现2奈米制程的先进互连方案的替代金属技术
在2020年国际互连技术大会上，imec首次展示了采用??金属(Ru)，具备电气功能的双金属层级结构（2-metal-level）互连技术 |
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供过于求 DRAM产值持续衰退 (2016.02.15)
TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新报告显示，受到DRAM平均销售单价持续下降及市况持续供过于求影响，2015年第四季全球DRAM总产值为102.7亿美元，季衰退9.1%。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示 |
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宜特研究Creep Corrosion再下一城，推出湿硫磺蒸气(FOS)试验 (2014.04.21)
iST宜特科技今宣布(4/21号) 与国际客户策略合作工程技术发展，成功研究出抵抗环境因素，克服高端产品(例如4G/LTE、云端服务器)中之PCB爬行腐蚀(Creep Corrosion)的验证技术-湿硫磺蒸气试验(Flower of Sulfur Test，简称FOS) |
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2012年全球晶圆制造设备支出衰退8.9% (2012.06.26)
国际研究暨顾问机构Gartner发布最新展望报告，2012年全球晶圆制造设备（WFE）支出预期为330亿美元，较2011年362亿美元的支出规模衰退了8.9%。Gartner分析师表示，晶圆制造设备市场可望于2013年恢复成长，预期届时的支出规模可达354亿美元，较2012年增加7.4% |
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Gartner：晶圆设备市场2013恢复成长 (2012.06.26)
随着晶圆和其它逻辑制造厂增加30奈米以下的生产， 晶圆制造设备于2012初始表现强劲。但是，根据Gartner最新报告，2012年全球晶圆制造设备（WFE）支出预期为330亿美元，较2011年362亿美元的支出规模衰退了8.9% |
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除了怕三星 我们还看到了什么？ (2011.06.19)
在全球市场打滚许久的台湾电子产业界科技大老们，近日不约而同地宣泄出心中最深层的感触：「三星好可怕」。从半导体晶圆代工、EMS专业代工、DRAM及内存、面板、笔电和主板、智能手机和媒体平板到节能电池 |
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软实力不敌硬实力 HTC品牌排名惨遭三星挤下 (2011.06.16)
从最近台湾DRAM厂茂德财务再度传出问题，让人不禁想起台湾DRAM产业一路的风风雨雨。台湾DRAM产业二次崩盘潮的灾情逐渐扩大，连2010年台湾DRAM厂中是少数赚钱的力晶，日前都必须先一步未雨绸缪向经济部申请贷款展延，象征台湾DRAM产业再度走到向政府申请纾困一途，也重演了2008年底的政府协助纾困台湾无助的DRAM厂商那一幕场景 |
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LPDDR2可望当家 Wide I/O不容小觑 (2011.05.09)
行动DRAM记忆体的发展样貌正在改变当中，LPDDR2的出货量很有机会在今年底前取代LPDDR1，成为行动DRAM的主流记忆体规格。但其他新兴技术急起直追的态势，也值得密切注意 |
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智能手机和平板助攻 行动DRAM声势看涨 (2011.04.13)
在智能型手机和媒体平板装置的带动下，行动DRAM（Mobile DRAM）需求也随之水涨船高，包括低功耗DRAM和虚拟DRAM（Pseudo SRAM）的声势正不断看涨。
2010年全球DRAM市场规模为391亿美元，行动装置相关应用就占14％，达到55亿美元 |
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行动DRAM瞬息万变 LPDDR2被谁后来居上？ (2011.04.01)
智能型手机和媒体平板装置大量传输数据的应用趋势，正改变行动DRAM内存的发展样貌，LPDDR2的出货量很有机会在今年底前取代LPDDR1，成为行动DRAM的主流内存规格。但其他新兴技术急起直追的态势，也值得密切注意 |
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全球最小9奈米記憶體 容量X20 功耗X-200 (2010.12.18)
全球最小9奈米記憶體 容量X20 功耗X-200 |
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三星大怪兽 2011年DRAM产能恐超越全台湾 (2010.08.18)
2010年全球DRAM市场容量需求高达44%，其中LCD TV、智能型手机以及工业应用需求成长高于市场平均。也因需求大，平均售价高，带动营收创下历史新高，但MIC产业分析师李晓雯认为，下半年供需比将呈现不平衡状态，DRAM价格将逐步下跌，尤以现货表现明显 |
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希捷与三星缔结企业级SSD控制器联合开发协议 (2010.08.16)
希捷科技和三星电子（Samsung）近日宣布，两家公司已开始合作研发企业级SSD控制器技术并签署了授权协议。双方将在此一合作协议下，共同开发以及交叉授权固态硬盘（solid state drive;SSD）储存装置的相关控制器技术（controller technologies），提供符合企业储存应用所要求的高效能、可靠性与耐用性 |
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高容量内存 可望因3D IC而不再是奢侈品 (2010.06.24)
旺宏电子今日（6/24）发表最新的3D NAND Flash研究成果，其总经理卢志远表示，这颗3D IC与一般讨论的Sip、TSV技术不同，但是能够大幅降低Bit Cost。未来若能步入量产，可以解决高容量内存成本高昂的问题，最高目标希望能与硬盘并驾齐驱，甚至超越硬盘 |
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三星电子发表全新高效能NAND内存 (2010.05.07)
三星电子日前发表新款8Gb OneNAND芯片，是利用30奈米级的制程技术完成，由于多元的应用软件与大量多媒体软件的使用日渐增长，创造了智能型手机需要更多程序数据储存的趋势，基于单层式（SLC）NAND flash设计的全新高密度OneNAND则可满足此需求 |
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三星推出多芯片封装PRAM芯片 移动电话设计专用 (2010.05.03)
三星电子（Samsung）日前发表一款多芯片封装 （multi-chip package; MCP）的PRAM，将在本季度稍晚专门提供给移动电话设计使用。
此款三星的512Mb MCP PRAM与40奈米级NOR Flash的软硬件功能皆兼容，此MCP亦可完全兼容于以往独立式 （stand-alone）PRAM芯片技术，可带给移动电话设计人员相当的便利性 |
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三星正式量产20奈米级NAND Flash内存 (2010.04.27)
三星电子（Samsung）宣布正式领先量产业界第一款20奈米级NAND芯片，可用在SD记忆卡与嵌入式内存解决方案，基于这先进的技术而发表的32Gb MLC NAND，更进一步扩展三星的记忆卡解决方案，可提供智能型
手机、高阶IT应用与高效能记忆卡更多开发选择 |
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三星量产新30nm内存芯片 读写达133Mbps (2009.12.02)
外电消息报导，三星电子日前宣布，将开始量产两款30奈米制程的NAND闪存芯片。其中一款将采类似DDR内存的双信道传输技术，其读取带宽将是传统闪存芯片的3倍左右，最高可达133Mbps |
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抢占MRAM先机 韩政府携手三星与海力士 (2009.12.01)
外电消息报导，韩国政府日前宣布，将与三星电子及海力士合作，进行磁性随机内存（Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access Memory；MRAM)）的研发，以维持韩国在全球内存产业的领先地位 |
