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保障下一代碳化矽元件的供需平衡 (2024.02.23)
本文叙述思考下一代SiC元件将如何发展，从而实现更高的效能和更小的尺寸，并讨论建立稳健的供应链对转用SiC技术的公司的重要性。 |
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ROHM推出5款全新超低导通电阻100V耐压Dual MOSFET (2023.08.22)
近年来，在通讯基地台和工控设备的应用领域，为了降低电流值并提高效率，以往的12V和24V系统逐渐转换为48V系统，电源电压呈提高趋势。半导体制造商ROHM针对通讯基地台和工控设备等风扇马达驱动应用，推出将二颗100V耐压MOSFET一体化封装的Dual MOSFET新产品 |
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Magnachip扩展用於行动装置电池保护电路的新型MXT LV MOSFET (2023.07.11)
Magnachip半导体发布四款新型 MXT LV 金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）采用超短通道技术，扩展 Magnachip 用於行动装置电池保护电路的第七代 MXT LV MOSFET 产品阵容。
超短沟道是Magnachip的最新设计技术，通过缩短源极和漏极之间的沟道长度来降低Ron（MOSFET在导通状态操作期间的电阻） |
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英飞凌针对汽车应用推出OptiMOS 7 40V MOSFET系列 (2023.05.19)
英飞凌推出OptiMOS 7 40V MOSFET系列，作为最新一代适合汽车应用的功率MOSFET，提供多种无引脚、强固的功率封装。该系列产品采用了300毫米薄晶圆技术和创新的封装，相比於其它采用微型封装的元件，具有显着的性能优势 |
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英飞凌推出950 V CoolMOS PFD7系列 大幅提高功率密度 (2022.11.09)
英飞凌推出全新CoolMOS PFD7高压MOSFET系列，为950 V超接面（SJ）技术树立新标竿。全新950 V系列具有出色的效能与易用性，采用整合的快速二极体，确保元件坚固耐用，同时降低了BOM（物料清单）成本 |
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认识线性功率MOSFET (2022.10.18)
本文针对MOSFET的运作模式，元件方案，以及其应用范例进行说明，剖析标准MOSFET的基本原理、应用优势，与方案选择的应用思考。 |
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ROHM推出600V耐压SuperJunction MOSFET 实现超低导通电阻 (2022.04.13)
半导体制造商ROHM在600V耐压SuperJunction MOSFET“PrestoMOS”产品系列中，新增了「R60xxVNx系列」七款机型，非常适用於电动车充电桩、伺服器、基地台等大功率工控装置的电源电路、以及空调等因节能趋势而采用变频技术的大型生活家电的马达驱动 |
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英飞凌推出650 V CoolSiC MOSFET 展现极高系统可靠性 (2022.04.01)
英飞凌科技股份有限公司推出650 V CoolSiC MOSFET系列新产品。该产品具有高可靠性、易用性和经济实用等特点，能够提供卓越的性能。
这些SiC元件采用英飞凌先进的SiC沟槽式工艺、精简的D2PAK表面贴装 7 引脚封装和 |
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ROHM推出超低导通电阻Dual MOSFET 适用于工控装置和基地台马达驱动 (2021.07.01)
半导体制造商ROHM开发出适用于FA等工控装置和基地台（冷却风扇）24V马达驱动用内建二颗耐压±40V和±60V的Dual MOSFET「QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch）」。
近年来，为了支援工控装置和基地台马达所使用的24V输入，驱动元件MOSFET需要考虑到电压变动所需的余裕度，所以要求要40V和60V的耐压能力 |
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安森美推出全新650V碳化矽MOSFET系列 满足车规与工规应用需求 (2021.02.18)
安森美半导体(ON Semiconductor)宣布推出一系列新的碳化矽(SiC)MOSFET装置，适用於对功率密度、能效和可靠性要求极高的应用。设计人员用新的SiC装置取代现有的矽开关技术，将在电动汽车(EV)车载充电器(OBC)、太阳能逆变器、伺服器电源(PSU)、电信和不断电供应系统(UPS)等应用中实现显着的更隹性能 |
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英飞凌推出新款1700V CoolSiC MOSFET 采用高压SMD封装 (2020.06.08)
继今年稍早推出的650V产品後，英飞凌科技扩充旗下CoolSiC MOSFET系列电压等级，现在更新添具专属沟槽式半导体技术的1700V电压等级产品。新款1700V表面黏着装置(SMD)产品充分发挥了碳化矽(SiC)强大的物理特性，提供优异的可靠性和低切换及导通损耗 |
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安森美半导体推出900V和1200V SiC MOSFET 用於高要求高增长应用 (2020.03.11)
推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)推出另两个碳化矽(SiC)MOSFET系列，扩展了其宽能隙(WBG)元件系列。这些新元件适用於各种高要求的高增长应用，包括太阳能逆变器、电动汽车(EV)车载充电、不断电电源设备(UPS)、伺服器电源和EV充电站，提供的性能水准是矽(Si)MOSFET根本无法实现的 |
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英飞凌推出全新OptiMOS 6 40 V 系列：具备优异的RDS(on)与切换效能 (2019.03.21)
英飞凌科技推出全新OptiMOS 6系列，为分立式功率MOSFET技术奠定新技术标准。新产品系列采用英飞凌薄晶圆技术，提供显着的效能优势，并涵盖宽广的电压范围。全新40 V MOSFET系列已针对SMPS的同步整流进行最隹化，适用於伺服器、桌上型电脑、无线充电器、快速充电器及ORing电路 |
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安森美半导体提供全面的云端电源方案 (2018.08.23)
云端电源是指传输、储存及处理云端数据设备的电源。在电信或传输应用中，云端电源将为基带单元及远程无线电单元供电。在用於储存及处理的伺服器机群中，大型不间断电源（UPS）可以确保用户在暂时断电时仍能连接云端 |
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英飞凌发表CoolSiC MOSFET产品 兼具高性能与可靠度 (2018.07.24)
德国半导体元件商英飞凌（Infineon）今日在台北宣布推出新一代搭载CoolSiC技术的MOSFET系列产品，透过其独特的碳化矽 (SiC) 沟槽式 (Trench) 技术，提供高性能、高可靠度、高功率密度，且具成本效益的电源解决方案 |
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Wolfspeed最新1200V SiC MOSFET 促进电动车市场发展 (2018.06.26)
科锐旗下Wolfspeed於近日宣布推出最新第三代1200V碳化矽SiC MOSFET系列，为电动汽车动力传动系统带来性能突破。
这一开关元件能够实现高电压功率转换，进一步巩固Wolfspeed在电动汽车生态系统解决方案领域的领先地位 |
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美高森美瞄准工业和汽车市场推出新型SiC MOSFET和SiC SBD (2018.03.01)
美高森美公司(Microsemi Corporation)宣布提供下一代1200V 碳化矽(SiC) MOSFET系列的首款产品 40 mOhm MSC040SMA120B器件，以及与之配合的1200 V SiC萧特基阻障二极体(SBD)，进一步扩大旗下日益增长的 SiC 离散器件和模组产品组合 |
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东芝新一代600V平面MOSFET系列 结合高效率及低杂讯 (2018.01.22)
东芝电子元件及储存装置株式会社推出「第九代π-MOS」，全新600V平面式MOSFET系列，量产出货於即日起启动。
- 第九代π-MOS系列采用最隹化的晶片设计，与现有的第七代系列相比，其EMI杂讯峰值低5dB[1]，但同时又保持了相同水准效率 |
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Littelfuse碳化矽MOSFET可在电力电子应用实现超高速切换 (2017.10.20)
Littelfuse(利特)公司推出了首个碳化矽（SiC）MOSFET产品系列，成为该公司不断扩充的功率半导体产品组合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投资享有盛誉的碳化矽技术开发公司Monolith Semiconductor Inc.，向成为功率半导体行业的领军企业再迈出坚定一步 |
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英飞凌全SiC模组开始量产 (2017.09.01)
更高效率、功率密度、更精巧的尺寸和更低的系统成本：这些都是碳化矽 (SiC) 电晶体的主要优点。英飞凌科技(Infineon) 於去年PCIM展会发表的全SiC模组EASY 1B产品进入量产。在今年德国纽伦堡PCIM展会上，英飞凌展示了其他1200 V CoolSiC MOSFET系列的模组平台和拓朴，将碳化矽技术的潜力发挥到全新境界 |
