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自走式电器上的电池放电保护 (2023.11.26)
使用MOSFET作为理想二极体，能够为新一代自动化电器提供稳健可靠的安全防护。
利用IO-Link技术建置小型高能效工业现场感测器 (2023.01.30)
IO-Link协定是一种比较新的工业感测器标准，现场使用支援IO-Link标准的解决方案，能够满足「工业4.0」、智慧感测器和可重新配置的厂区部署等需求。
Diodes的双极电晶体采用3.3mm x 3.3mm封装并提供更高的功率密度 (2019.03.12)
Diodes公司推出NPN与PNP功率双极电晶体，采用小尺寸封装(3.3mm x 3.3mm)，可为需要高达100V与3A的应用提供更高的功率密度。新款NPN与PNP电晶体的尺寸较小，可在闸极驱动功率MOSFET与IGBT、线性DC-DC降压稳压器、PNP LDO及负载开关电路，提供更高的功率密度设计
科技部与Plug and Play Tech Center 引领新创团队前进美国矽谷 (2018.08.27)
由科技部指导、国家实验研究院科技政策研究与资讯中心执行之「亚洲矽谷创新创业链结计画━预见新创」，今年持续与Plug and Play Tech Center (PnP) 合作，於美西时间8月23日假美国矽谷的PnP举办新创媒合会【Taiwan Demo Day】活动
Taiwan Demo Day--台湾新创团队站上国际舞台 (2017.09.25)
科技部「预见新创」计画於今年7月遴选出10组优秀团队前往矽谷叁与为期一个月的创新创业培训课程，「预见新创」团队在历经完整培训後，於美西时间2017年9月21日（台湾时间9月22日）在矽谷举办「Taiwan Demo Day」
汽车资讯娱乐系统的主动式天线驱动器 (2015.04.02)
新的 TLF4277-2 稳压器已通过 AEC 汽车认证，同时更符合 RoHS 和 WEE 标准，是一项环保的产品。采用 PG-SSOP-14 EP 封装，可在 SO-8 尺寸下提供更加强化的热效能。单晶片解决方案适合为主动式天线供电，效能和可靠性更佳，系统成本更低
Diodes全新微型晶体管占位面积缩减40% (2015.01.30)
Diodes公司推出采用DFN0606封装的NPN晶体管MMBT3904FZ和BC847BFZ，以及PNP晶体管MMBT3906FZ和BC857BFZ。新产品的电路板面积仅0.36mm2，比采用DFN1006 (SOT883) 封装的同类型组件小40%，并能提供相等甚至更佳的电气效能
凌力尔特FMEA相容、45V LDO具备可操作于宽广温度范围 (2014.12.15)
凌力尔特(Linear)日前发表宽广温度范围的H等级版本LT3007。其为该公司高压、微功耗、强固的PNP-based LDO系列最新元件，具有3uA超低静态电流。 H等级摄氏150度接面温度符合高温或高功率汽车及工业应用需求
Lantiq新一代DUSLIC XS为家用CPE装置设立准则 (2014.10.24)
Lantiq（领特公司）发布适用于客户端（customer premise equipment；CPE）设计的新一代语音线路终端芯片。新款DUSLIC XS可降低CPE制造商的成本，能以比其他方案更少的外部组件提供宽带语音电话功能，并拥有低于20mW的最佳待机功耗
立锜开始提供60V高耐压、低耗电线性稳压器 (2014.01.23)
RT9068以60V的高工作电压为特征，其自身耗电仅为30μA，可为负载直接提供50mA的电流，并可以扩展以后为负载提供更大的工作电流，为使用电池、发电机供电和需要超低功耗的电子设备提供了新的选择
恩智浦推采用1.1-mm2无铅塑料封装3 A晶体管 (2013.10.31)
恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)近日推出首款采用1.1-mm x 1-mm x 0.37-mm超薄DFN（分立式扁平无引脚）封装的晶体管。全新产品组合由25种组件组成，其中包括低RDson MOSFET以及可将电流能力最高提升至3.2 A的低饱和通用晶体管
意法最新双极性功率晶体管媲美MOSFET的能效并节省电路板空间 (2013.10.11)
意法半导体的3STL2540提供双极性晶体管的成本优势和硅面积使用效率，同时兼具同等级MOSFET的能效，为设计人员提供一个节省空间的低成本电源管理和DC-DC电源转换器（DC-DC converters）解决方案
Diodes推出业界最小双极晶体管 (2013.08.06)
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出业界第一款采用DFN0806-3 微型封装的小讯号双极晶体管。这些组件的面积只有 0.48mm2，离板厚度仅0.4mm，面积比采用DFN1006、SOT883和SOT1123封装的同类型组件还小20%
NXP-Double low VCEsat (BISS) transistors in DFN2020-6 (2013.06.20)
Low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
Application Note 137 - Accurate Temperature Sensing with an External P-N Junction-Application Note 137 - Accurate Temperature Sensing with an External P-N Junction (2013.04.29)
Application Note 137 - Accurate Temperature Sensing with an External P-N Junction
凌力尔特FMEA 兼容 45V LDO 具备 3μA IQ (2013.04.12)
凌力尔特 ( Linear Technology Corporation )日前发表高压、微功耗、强固的PNP LDO 系列之最新组件LT3007，组件并具有3μA超低静态电流。LT3007的高输入电压能力涵盖2.0V至45V，可调输出电压范围为0.6V至44.5V，可操作于各式应用
开源计画　加速医疗电子创新脚步 (2012.12.13)
随着医疗电子装置的功能越来越强，系统设计亦日趋复杂， 对于跟上最先进软体技术的步伐也显得缓慢， 美国学术界与医疗机构开始希望透过采用开源软体技术， 来提升医疗设备产业的安全性、加速创新脚步
Remote/Internal-【下载Datasheet】LTC2997 (2012.04.11)
Remote/Internal
提供各种系统组件的详细讯息工具:包括CPU,主板,硬盘,CD-ROM的内存模块。-ASTRA32 2.07 (2010.11.19)
提供各种系统组件的详细讯息工具:包括CPU,主板,硬盘,CD-ROM的内存模块。
Diodes迷你型SOT963封装产品问世 (2010.08.19)
Diodes近日宣布，推出采用超小型SOT963封装的双极晶体管（BJT）、MOSFET和瞬态电压抑制（TVS）组件，适合低功耗应用，Diodes SOT963的布局面积只有0.7平方毫米，比SOT723封装少30%，较SOT563封装少60%


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