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广颖推出工业级PCIe Gen3x4 M.2 2242 SSD-MEA3F0系列 (2022.06.27)
在可预见的未来里，万物联网将是一必然趋势，而其中需求的AI演算法也将转型，现行AI演算法相对复杂庞大，无法导入现有的终端装置；然，在物联网时代（IOT）进入智慧物联网时代（AIOT）、各项终端产品导入AI、提供更强大功能的需求下，AI Edge Box人工智慧边缘运算装置需求应运而生，边缘技术快速发展 |
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SP推出DDR5 4800桌上型超频记忆体 速度与容量显着提升 (2022.03.08)
SP广颖电通正式推出首款DDR5 4800桌上型超频记忆体，DDR5具备高速度/低功耗特性，已是未来市场应用趋势。SP广颖首款新世代DDR5记忆体拥4800MHz超高频率，以及最高32GB的容量，大幅升级使用者体验 |
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广颖电通推出PCIe Gen 4x4介面XS70 M.2 2280固态硬碟 (2022.01.17)
全球记忆储存领导品牌SP广颖电通，宣布推出PCIe Gen 4x4最新极速介面XS70 M.2 2280固态硬碟。
XS70 M.2 2280固态硬碟，选用领先主控晶片，兼具效能与用电效率，符合最新NVMe1.4协议标准，采PCIe Gen 4x4超高速介面，传输速率提升至PCIe Gen3的2倍，读写速度分别高达每秒7,300MB及6,800MB，突破SSD极限，充分展现游戏与创作应用程式所需的效能要求 |
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CES台湾代表团矽谷举办Demo Day 吸引五大创投齐聚 (2020.01.06)
CES 2020代表团抵矽谷 吸引矽谷五大创投齐聚
由科技部推动成立的台湾科技新创基地（Taiwan Tech Arena；TTA），筹组消费性电子展(CES)代表团，美国时间1月3日於矽谷举办「2020 TAIWAN DEMO DAY」系列活动 |
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物联网应用产品的电源设计困扰 (2017.12.06)
由於期??穿戴式产品或物联网设备在重要时刻不会突然出现电力中断，而带来致命性问题，让电源管理设计相对变得非常重要。 |
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ROHM结盟Venturi电动方程式赛车车队 提升赛车性能 (2016.10.14)
半导体制造商ROHM与参加FIA电动方程式赛车锦标赛的Venturi电动方程式赛车车队（Venturi Formula E Team），缔结为期3年的技术伙伴契约，透过碳化矽(SiC)功率元件的加持，运用在赛车马力核心的变流器中，可协助赛车小型化、轻量化和高效率化，大幅提升赛车性能 |
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Littelfuse推出DSLR偏压系列SIDACtor晶闸管 (2015.11.11)
Littelfuse公司日前推出DSLP偏压系列SOT23-6 SIDACtor保护晶闸管（DSLPxxxxT023G6），旨在为宽频通信应用提供优于市面上其他解决方案的过压保护，同时将对资料信号完整性的影响降至最低 |
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意法半导体推出新款高温矽功率开关 (2015.10.15)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）的新款高温矽控整流器（Silicon-Controlled Rectifier，SCR）可协助电压稳压器、开关式突波电流限制器（inrush current limiter）、马达控制电路及工业固态继电器（ Solid-state relay，SSR）厂商提升产品可靠性与品质或采用尺寸更小的散热器以降低产品成本 |
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Silicon Labs推出即插即用的隔离电源解决方案 (2015.04.07)
工业自动化领域数字隔离器和电源产品供货商Silicon Labs（芯科实验室）推出新型高速、多信道数字隔离器系列产品，为讯号和电源隔离提供完整的高整合度解决方案。Silicon Labs新型Si88xx隔离器整合了具备78% 高效率的dc-dc转换器，可提供高达2W的功率输出、极低电磁干扰(EMI)和高噪声容忍能力 |
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COMPUTEX d&i awards得奖产品出炉 华硕囊括17项打破纪录 (2014.05.05)
由外贸协会委托德国iF执行的「台北国际计算机展创新设计?（COMPUTEX d&i awards）」今年迈入第7届，共有125家厂商288件产品报名参加，分别较去年成长21.8%及13.4%，除我国本土大厂持续角逐外，国外大厂参赛比例也大幅提升，竞争激烈的程度更甚以往 |
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快捷半导体SiC BJT上场 锁定5kW应用市场 (2012.11.21)
快捷半导体日前才完成收购碳化硅(SiC)功率晶体管企业TranSiC，掌握了最关键的SiC材料与制程技术，并且能够在超广温度范围下有亮眼出色的性能，以及高于金属氧化物半导体场效晶体管（MOSFET）和接面场效晶体管（JFET）技术的双极SiC晶体管技术 |
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快捷半导体SiC BJT上场 锁定5kW应用市场 (2012.11.21)
快捷半导体日前才完成收购碳化硅(SiC)功率晶体管企业TranSiC，掌握了最关键的SiC材料与制程技术，并且能够在超广温度范围下有亮眼出色的性能，以及高于金属氧化物半导体场效晶体管（MOSFET）和接面场效晶体管（JFET）技术的双极SiC晶体管技术 |
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先进制程的功耗与噪声成为IC设计重大挑战 (2011.05.11)
自从半导体制程走向65奈米之后，IC设计业所关注焦点已经从芯片大小、速度等问题，转移到IC芯片的耗电量上。特别是在半导体制程跨入45奈米领域之后，各芯片模块之间的距离大幅缩短 |
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广颖电通推出全新DDR3超频内存 (2010.01.06)
广颖电通于昨日（1/5）宣布推出Xpower DDR3超频系列产品，全系列产品有套装双信道4GB(2GBx2)及三信道6GB(2GBx3)，数据传输率有DDR3-1600、1800、2000、2133 MHz等可供选择，且完全支持新一代Intel四核心处理器Core i5与Core i7新平台 |
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广颖新一代服务器内存模块内建温度传感器 (2009.07.30)
广颖电通看好未来服务器用内存将改换DDR3之商机，近日正式宣布针对服务器及工作站市场，推出内建温度传感器的DDR3 1333/1066内存模块。
广颖电通DDR3 1333/1066服务器内存模块不但完全支持采用三信道的最新Intel Nehalem-based Xeon 5500系列处理器服务器平台 |
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广颖电通与产业界共同成立SSD联盟 (2008.11.14)
SSD业界成员以及日本厂商东芝共同组成的SSD联盟(SSD Alliance)成立大会，于11月12日在台北西华饭店举行。广颖电通是SSD联盟的创始会员之一，受邀参加大会开幕仪式。广颖电通 程俊伟董事长在会中表示 |
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革新闪存迈出下一步 (2008.11.05)
市场对于主流非挥发性内存、特别是NAND Flash独立储存应用仍有广大需求动能，短期内市场对NAND Flash及SSD的发展规模渐趋保守，长期发展前景仍旧维持审慎乐观。NAND Flash在奈米微缩可扩充能力（Scalability）、储存覆写次数耐久性（Endurance）和数据保存能力（Data Retention）的局限，使其面临技术上和经济上必须革新的关键 |
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广颖电通推出64GB 1.8吋microSATA固态硬盘 (2008.08.19)
国内闪存厂商广颖电通继推出2.5吋SATA/IDE接口固态硬盘后，宣布将推出容量高达64GB的1.8吋microSATA接口的固态硬盘(Solid State Disk-SSD)。1.8吋规格是目前最小的SATA接口固态硬盘 |
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广颖电通推出microSDHC class4 8GB容量记忆卡 (2008.08.05)
国内闪存厂商广颖电通推出microSDHC class4 8GB超大容量记忆卡。microSDHC记忆卡符合SD2.0标准，不但具备高传输速度，支持即插即用，其超大容量的规格，更可因应新一代高阶行动设备对多媒体影音的需求 |
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广颖电通推出DDR2 800 ECC Unbuffered DIMM (2008.07.09)
国内闪存厂商广颖电通（Silicon Power）宣布推出DDR2 800 ECC Unbuffered DIMM内存模块2GB。广颖电通DDR2 800 ECC Unbuffered DIMM 2GB内存模块使用先进FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）球型数组封装颗粒，加强了电力与热感特性，提供良好的散热性能 |
