英飞凌（Infineon）日前宣布推出全新650V CoolMOS C6/E6高效能场效晶体管（MOSFET），结合先进超接面（super junction）技术，低导通电阻以及降低电容切换损失之优势、简单易用的开关以及高度耐用的二极管。C6和E6系列采用相同的技术平台，前者是专为简单易用而设计，后者则提供最高的效率。

英飞凌推出 650V CoolMOS™ C6/E6 高压晶体管，为交换式应用产品提供效率及简易的控制

CoolMOS C6/E6系列是英飞凌所推出，采用高压超接面技术MOSFET的第六代产品。新款650V CoolMOS C6/E6产品提供快速且可控制的切换效能，支持对效率及功率密度有高度需求的应用。650V CoolMOS C6/E6产品易于进行设计（design-in），非常适用于各种节能的交换式应用，例如笔记本电脑的变压器、太阳能以及其他需要额外击穿电压电位差的SMPS应用产品。

相较于CoolMOS C3 650V系列，新款650V CoolMOS C6/E6系列的输出电容（Eoss）可减少储存电力达 20%，而 C6/E6经过改良的本体二极管，在对抗硬式整流（hard commutation）时，显示高度的耐变性，并可减少25%的逆向回复电荷。C6/E6系列产品的闸级电阻经过调整，设计能够维持平衡，因此切换时不会出现过电压及电流斜率。