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东芝记忆体将收购光宝科技SSD业务 (2019.09.02)
将於2019年10月1日更名为??侠控股公司(Kioxia Holdings Corporation)的东芝记忆体控股公司(Toshiba Memory Holdings Corporation)宣布,已与光宝科技(LITE-ON Technology)签订最终协议,将收购後者的固态硬碟(SSD)业务
Marvell助Toshiba Memory推出NVMe-oF乙太网路SSD (2019.08.14)
Marvell今日宣布扩展其NVMe over Fabrics(NVMe-oF)产品组合。这些突破性解决方案包括使用Marvell NVMe-oF SSD转换控制器的Toshiba Memory原生NVMe-oF乙太网路SSD,是可以直连乙太网路的SSD
克服SSD大容量储存需求的挑战 (2019.07.24)
慧荣成立20年以来,一直都在快闪记忆体控制器领域耕耘,随着时代演进提供客户不同应用的控制晶片...
低价刺激消费需求 SSD强势跃居主流 (2019.06.10)
2019年似??是购买SSD的绝隹时机,市场开始转向QLC NAND,而采用96层的3D NAND架构也可有效提高密度,并降低成本。接下来容量更高的消费型SSD将变得更为普遍。
东芝推出采用96层3D快闪记忆体的1TB单一封装PCIe Gen3 x4L SSD (2019.01.14)
东芝记忆体株式会社(Toshiba Memory Corporation)推出BG4系列,该新系列单一封装NVMe SSD储存容量高达1,024GB,在单一封装中嵌入创新性96层3D快闪记忆体和全新控制器。 该新系列单一封装SSD采用PCIe Gen3 x4通道,循序读取性能高达2,250 MB/s,且快闪记忆体管理得到改善,提供业界领先的随机读取速度,每秒读写操作的次数高达380,000
宜鼎工业最高等级3D NAND SSD 全球量产正式启动 (2018.10.30)
工控储存领导厂商宜鼎国际,最新工业等级3D NAND SSD将正式於10月份开启全球量产,??注产能提升。宜鼎国际董事长简川胜表示,为提供业界最高等级工控品质,宜鼎3D NAND TLC花费超过两年时间进行前期导入测试以及工规等级的压力震动测试,目前已成功导入客户端,并持续以高端规格支援台湾工控产业升级
SSD QLC正式推出 HDD还能稳占多少市场? (2018.10.02)
今年的快闪记忆体高峰会(Flash Memory Summit)可说是高潮不断,许多新品与新技术争相发布,为快闪记忆体的市场擘划了美好的未来。
3D NAND产能再增 东芝记忆体与WD合资的日本晶圆厂开幕 (2018.09.19)
东芝记忆体公司 (Toshiba Memory Corporation) 与威腾电子(Western Digital),今日共同於日本三重县四日市的6号晶圆厂 (Fab 6) 举行开幕仪式。该晶圆厂为3D NAND Flash专用厂区,并设有记忆体研发中心 (Memory R&D Center)
Western Digital 1.33Tb - 4-bits-per-cell 96层架构3D NAND开始送样 (2018.08.07)
Western Digital公司宣布已成功开发出第二代4-bits-per-cell 3D NAND架构。透过专为Western Digital 96层BiCS4产品导入的QLC技术,已成功开发出储存容量最高的单颗粒3D NAND,其单一储存容量可提升至1.33 Tb(Terabits)
希捷完成贝恩资本对东芝记忆体公司收购的出资 (2018.06.08)
希捷科技布其所叁与、由贝恩资本私募股权投资公司领军的投标联盟,已完成先前所宣布对东芝集团旗下东芝记忆体公司的收购,并由专为此次收购组建的日本公司K. K. Pangea完成
Marvell推出全新96层NAND SSD客户端NVMe SSD控制器系 (2018.06.08)
Marvell推出用於主流和高性能PC客户端以及边缘计算固态硬碟(SSD)之最新NVMExpress(NVMe)SSD控制器系列。 Gen 3x4PCI SSD控制器、4通道88SS1084和8通道88SS1100为业界带来了领先的性能表现、耐用性和可靠性,并将有助於扩大NVMe SSD在新兴客户端和边缘计算的广泛应用
Marvell推出首款NVMe晶片 满足新兴数据中心的SSD需求 (2018.03.30)
Marvell公司推出NVMExpress(NVMe)的创新晶片组解决方案,加快针对应用而优化的数据中心SSD(固态硬碟)的上市时间。这些全新的、多功能化的构建模组能够优化满足当前和新兴运作负载在容量、延迟、性能表现、功耗和成本等方面的储存需求,可以为特定的云端和企业运作负载提供量身定制的SSD解决方案
希捷公布2018会计年度Q2财报 与东芝记忆体签订NAND合约 (2018.01.10)
希捷科技公布2018会计年度第二季(截至2017年12月29日)初步财报。希捷第二季营收为29亿美元,若以公认会计原则(GAAP)与非公认会计原则(non-GAAP)为基准,第二季毛利率约为30%
全新制程容量大跃进 达明电子新品PC100 NVMe SSD亮相FMS峰会 (2017.08.09)
一年一度的全球电子盛会Flash memory summit 於美国Santa Clara Convention Center举行,企业用固态硬碟厂商达明电子与Microsemi於AB馆摊位213展出,广明光电旗下达明电子TECHMAN SSD,挟带全新制程及新一代NVMe控制器,全力抢攻企业级固态硬碟市场
东芝扩大中电压光继电器产品阵容 (2017.05.26)
驱动电流超过1A可替代工业应用机械式继电器 延续现有60V/5A“TLP3547”,驱动电流高于1A的新产品也将继续延伸光继电器的应用范围。详细规格请参考以下产品比较表。 延续现有60V/5A“TLP3547”,驱动电流高于1A的新产品也将继续延伸光继电器的应用范围
3D-NAND Flash第三季产出比重将突破50%大关跃为主流制程 (2017.04.25)
TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)最新研究显示,随着下半年各家原厂最新64层堆叠的3D-NAND Flash产能开出,在三星及美光等领头羊带领下,预估第三季3D- NAND Flash产出比重将正式超越50%
NAND Flash供不应求,第三季品牌商营收季成长19.6% (2016.12.01)
TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新调查显示,受惠于智慧型手机需求强劲,及供给端2D-NAND 转进3D-NAND 所导致的整体产出减少,第三季NAND Flash开始涨价,使得NAND Flash原厂营收季成长19.6%,营业利益率也较上季大幅进步
Toshiba/WD携手共拓3D NAND新时代 (2016.07.15)
日本半导体制造商Toshiba(东芝)与电脑硬碟大厂Western Digital(威腾电子)共同庆祝日本三重县四日市新设半导体二厂的开幕仪式。 由于Flash Memory(快闪记忆体)在智慧型手机、SSD(固态硬碟)
东芝购地兴建半导体生产新工厂 (2016.02.04)
东芝公司(Toshiba)收购一个面积为15万平方公​​尺的土地,来为其专有3D快闪记忆体BiCS FLASH未来的扩大生产做准备,该地毗邻公司位于三重县四日市的记忆体生产基地。该地与这一记忆体生产基地的东部和北部毗连,将耗资大约30亿日圆
Intel的RAM、ROM情结 (2015.08.11)
很久以前,在Andy Grove主导Intel的时代,Intel的DRAM业务因日本DRAM(如NEC,之后成为Elpida)的大举进攻而亏损,最后被迫关闭该业务,全心转型、聚焦发展CPU。 但DRAM与PC息息相关


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