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三星14nm制程技术 Tape Out完成 (2012.12.23)
即使三星电子最近被采用Exynos系列处理器之行动装置产品疑似存在着安全漏洞问题搞的乌烟瘴气，但在迈向14奈米制程技术之路一样没有任何懈怠。继格罗方德半导体以及英特尔后，三星也向外界宣布采用14奈米制程技术之行动芯片测试成功，该行动芯片不管是针对动态功耗以及漏电率方面皆有明显改善 |
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Victrex推新型耐磨适合精密加工的聚合物解决方案 (2010.02.11)
英国威格斯公司（Victrex）旗下的分支机构，威格斯聚合物解决方案事业部于周三（2/9）宣布，推出了VICTREX PM101聚合物，可满足市场对高性能加工零件的需求。
威格斯表示，VICTREX PM101聚合物具有良好的耐磨性，发尘量极少，因此非常适合IC测试座等要求极为严苛应用的需求 |
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诺发32奈米介电质技术可解决RC迟滞问题 (2009.04.02)
为了使集成电路组件的性能跟上摩斯定律（Moore’s Law），集成电路设计人员在驱策技术节点缩小化时必需减缓RC迟滞效应。为达到组件缩小所带来的应有的积效进而增加45奈米以下导线间的空间缩小所带来的挑战 |
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ASM和SAFC签订认证制造厂商与合作协议 (2009.01.16)
ASM International N.V.和 Sigma-Aldrich子公司SAFC旗下的SAFC Hitech宣布针对进阶超介电常数绝缘层(advanced Ultra High-k insulators)之特定原子层沉积(ALD)原料签订认证制造厂商与合作协议。 该协议提供化学原料之认证标准、特定ASM ALD 专利之授权许可，以及针对这些化学原料的营销与进阶开发合作关系 |
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AMD与IBM发表45奈米芯片论文 (2006.12.15)
在全球电子组件会议上（International Electron Device Meeting，IEDM），IBM与AMD（美商超威半导体）发表数篇论文，描述在45奈米微处理器制程应用程序方面，浸润式微影技术的使用、超低介电值的金属层间介电层、以及多项晶体管应变加强等技术 |
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NEC开发面向45nm工艺的Cu/Low-k布线技术 (2006.11.26)
NEC与NEC电子开发了45nm工艺的Cu/Low-k布线技术。该技术适用于由闸长30nm的MOSFET构成的环状振荡电路，并使用有效比介电常数（k值）为2.9的低介电（low-k）膜、数值孔径和布线间距为70nm/140nm的Cu二重大马士革（Cu Dual Damascene）工艺 |
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利用四氟化碳电浆预处理改善高介电材料特性之制程 (2006.11.23)
此方法是利用四氟化碳电浆预处理改善高介电常数之绝缘层与硅晶圆接口之特性，我们可以发现使用此方法可以有效的降低闸极漏电流，再者此方法也可有效的增加氟原子含量，较多的氟原子含量可增加组件的可靠度，显示使用四氟化碳电浆预处理可有较好的崩溃电荷，意指能忍受较多次的操作，有较长时间的可靠度 |
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ST揭示突破性被动组件整合技术 (2005.10.19)
半导体制造商ST，首度揭露了能在薄膜被动组件整合过程中大幅提升接面电容密度的突破性技术。这种新技术扩展了ST领先全球的IPAD（整合式被动与分离式组件）技术，能实现大于30nF/mm2的电容整合度，较当前采用硅或钽等氧化物或氮化物的技术提高了50倍 |
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安捷伦推出两款DC/RF/Pulse参数测试系统 (2005.03.16)
安捷伦科技（Agilent Technologies）新近推出Agilent 4075及4076 DC/RF/Pulse参数测试系统，可量测65 nm等先进制程技术所制造之组件的特性。Agilent 4075及4076可让半导体测试工程师量测RF和DC的特性 |
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Low-k将到达最大极限值 (2005.03.07)
所谓low-k（低介电常数值）就是指介电常数（dielectric constant）比较小的材料，因为这种材料允许芯片内的金属导线可以互相紧密地贴近，而且在芯片内，不会发生讯号泄漏和干扰的问题 |
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日月光与台积电携手 (2003.04.16)
日月光半导体日前表示，该公司与台积电已开发0.13微米铜制程低介电常数为介电层材料之焊线封装及覆晶封装技术，并顺利完成台积电0.13微米铜制程低介电常数晶片所采用之高效能焊线封装BGA及覆晶封装FCBGA之认证程序 |
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工研院材料所成功开发高介电电容基板 (2003.04.08)
工研院材料所与电子所日前宣布，已成功利用奈米混成技术合作开发出全球第一个基板内藏元件蓝芽射频模组。而目前已有长春树脂、南亚电子材料；及华通、耀华、南亚电路板等数家材料、电路板厂，与工研院洽谈技术移转的合作事宜 |
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张忠谋指出晶圆迈向90奈米制程时间将拉长 (2003.03.20)
台积电董事长张忠谋日前在美林证券（Merrill Lynch）举办的「第六届亚太科技会议」中发表主题演说时指出，外界以铜与低介电常数（Low-K）制程等材料问题合理化摩尔定律延长时间，却不能改变0.13微米以下制程电晶体数目倍数成长时间，由18个月延长为3年的事实 |
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SOC产值后年可望逾370亿美元 (2001.08.30)
根据美国Dataquest与我国工研院经资中心预测，2003年系统单芯片(System on Chip，SOC)取代non_SOC的组件市场可达370亿美元以上，可见其关键的上游材料与零组件等商机无限，值得业者投入研发与生产 |
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应用材料推出业界第一套化学气相沉积TiSiN制程 (2001.03.28)
应用材料日前宣布推出业界第一套化学气相沉积TiSiN阻障层（barrier）制程，持续强化在铜制程技术的领导地位。运用应用材料新一代Endura Electra Cu整合式阻障层／种晶层设备平台，结合应用材料现有的自行离子化电浆（SIP：Self Ionized Plasma）物理气相沉积铜反应室，化学气相沉积TiSiN制程不仅支持200mm与300mm制程，并且针对下一代0 |
