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英特尔与美光推出新型高速NAND闪存 (2008.02.03)
外电消息报导，英特尔（Intel）和美光（Micron）科技日前共同宣布，由双方所合资的企业IM Flash新开发出一种的闪存架构。此新的架构为8GB单层式储存NAND闪存芯片，读取速度可达每秒200MB，写入的速度达每秒100MB，较现今的固态硬盘及绘图卡的传输速度更快 |
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SIA:9月全球芯片销售收入成长5.9% 达226亿美元 (2007.10.31)
外电消息报导，美国半导体产业协会（SIA）于周一（10/29）表示，由于PC与手机等消费性电子产品需求持续成长，今年9月份全球芯片的销售额成长了5.9%，达到226亿美元
根据SIA的统计数据，9月份全球芯片销售额，从去年同期的213亿美元增加到226亿美元；而今年第三季全球芯片销售额也增加了6%，从去年同期的640亿美元，提高到678亿美元 |
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英特尔与意法半导体成立闪存公司 (2007.05.23)
根据外电消息指出，意法半导体（ST）、英特尔，以及弗朗西斯柯伙伴（Francisco Partners）私募基金公司计划共同成立一家独立闪存芯片公司，生产供移动电话、MP3播放器，以及数字相机使用的闪存芯片 |
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美光NAND闪存产品前进3G市场 (2007.03.26)
美光科技（Micron Technology）将把NAND闪存业务推向手机市场。该公司将把控制器电路设计于NAND闪存芯片珠，以及制定与设备端LSI间的接口标准。美光此举是希望能使产品厂商省去在设备端LSI中配备控制器电路的麻烦，以提供终端产品厂商更高便利性 |
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SanDisk与Toshiba合作推出2GB容量储存卡 (2006.08.09)
自从三星电子（Samsung Electronics）开始量产60奈米制程的8GB MLC NAND闪存储存芯片之后，储存卡大厂们纷纷将各自MicroSD储存卡的容量提高到1GB。不过SanDisk在Toshiba的支持下，最近推出储存容量为2GB的储存卡产品 |
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SONY将推出闪存为硬盘的笔记本电脑 (2006.06.28)
SONY已经表示下星期将发布新款采用闪存取代硬盘功能的笔记本电脑VAIO U。根据infoworld.com网站消息报导，这将意味目前市场上采用闪存作为硬盘储存功能的笔记本电脑市场，已开始进入捉对厮杀的阶段 |
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日立储存进一步扩展传统高容量微型硬盘市场 (2006.04.10)
日立环球储存科技（Hitachi Global Storage Technologies）今日（10日）发表50周年庆市场预测说明，规划未来3年将大幅提升产量，并预计在2008年底前提升日立储存的3.5英吋产品市场占有率达到1倍 |
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IBM正计划研发企业级闪存储存技术 (2006.03.16)
IBM全球储存部门副总裁Craig Smelser在15日举行的2006年中国国际储存世界大会上向媒体透露，IBM正在开发以闪存为基础的企业级储存技术，这一新式技术将在未来数年内代替传统硬盘的储存方式 |
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ST瞄准3G移动电话市场 发布256Mbit NOR型闪存 (2005.03.08)
ST日前发布了256Mbit的NOR型闪存芯片，该组件采用已建构的每单元（cell）2位架构，能在更小的裸晶尺寸中强化内存密度。ST的M30L0R8000x0是2位/cell系列的首款组件，目前ST也正在研发128Mbit与512Mbit的芯片 |
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SigmaTel公布Q3营收与今年营运状况 (2004.11.12)
模拟混合讯号整合电路市场的SigmaTel公布截至2004年9月30日之第三季业绩。本季营业收入为4810万美元，较2003年同期的3270万美元提升47%。2004年第三季已调整之预估普通股净收入为1370万美元，经稀释每股盈利为0.37美元；去年第三季的数字分别为740万美元及0.24美元 |
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三星称芯片储存技术获重大突破 (2004.09.20)
三星电子宣称，在手机和计算机储存技术方面取得突破性的进展。这一技术能够使储存容量更大，指令周期更快。该公司表示其研制出业界第一个用于储存数据的60奈米NAND闪存芯片 |
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英特尔推出90奈米无线闪存 (2004.02.23)
工商时报报导，英特尔于美国旧金山举行的英特尔开发者论坛（IDF）中，发表全球第一套采用90奈米制程、NOR规格的英特尔无线闪存（Intel Wireless Flash Memory），该产品是英特尔利用第9世代的技术生产，芯片尺寸大小比前一世代缩小约50％，有助于降低成本并让英特尔的产能增加2倍 |
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摩托罗拉半导体加速奈米晶体闪存研发时程 (2003.12.10)
已独立的摩托罗拉（Motorola）半导体部门（Semiconductor Products Sector；SPS）日前宣布，该公司已加速对于奈米晶体闪存（Nanocrystal Flash）研发时程；市场分析师指出，该款闪存将可至少向下延伸到45奈米制程节点，摩托罗拉预定2005年时可推出样本，并可在2005年将目前之90奈米制程进阶至65奈米 |
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Renesas将委托力晶代工生产闪存 (2003.11.19)
日本半导体大厂日立与三菱合资之瑞萨半导体（Renesas）日前宣布将应用于数字相机和移动电话的1Gb闪存芯片，委托台湾力晶半导体代工，以提高产量；瑞萨表示，力晶将于2004年4～9月开始量产高容量的AND型闪存 |
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英特尔第二季财报奏捷 (2003.07.17)
根据CNET网站报导，英特尔日前公布了第二季财报，结果获利超过分析师的预期。英特尔截至6月28日的季净营收为8.96亿美元，每股获利14美分，季总营收为68亿美元。去年同期的数字为净营收4.46亿美元，每股获利7美分，总营收63亿美元 |
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ST推出具有更多功能的64Mbit、3V闪存芯片 (2003.07.08)
ST日前推出一款3V、64位的全新闪存组件M29DW640D。新组件是ST M29系列的最新产品，采用0.15微米制程技术，其接脚完全兼容于市场上同类型的闪存芯片，适用于蜂巢式电话、个人信息设备、手持式个人计算机，以及GPS全球定位系统等产品 |
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英飞凌/SaiFun合资成立新公司发展Flash产品 (2003.03.03)
德国DRAM厂英飞凌（Infineon）近日对外宣布，计画将与以色列Saifun Semiconductor合资成立Infineon Technologies Flash GmbH公司，总部设于德国，并且以英飞凌的德国8吋晶圆厂生产快闪记忆体晶片，预计今年下半年开始量产 |
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?昶取得AMD快闪记忆体在台代理权 (2002.12.13)
半导体代理商?昶(KC uppertech)日前宣布成为美商超微半导体AMD快闪记忆体台湾区代理商。 AMD南亚太区副总裁Joe Krystofik与?昶总经理张嘉麟共同主持签约仪式，宣布将积极抢占台湾快闪记忆体市场 |
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SIA看好半导体销售市场明后年景气 (2002.11.08)
据外电报导，半导体产业协会（SIA）日前公布年度调查报告指出，全球半导体销售景气已逐渐复苏，预估2002年可成长1.8％、达1410亿美元，而在接下来的2003、2004年，则可分别达到20％左右的成长率 |
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AMD推出采用MirrorBitO架构的闪存芯片 (2002.05.16)
美商超威半导体 ( AMD )16日宣布该公司的第一款MirrorBit闪存芯片已进入样品供应阶段。这款64MB的闪存订于本季末交货。MirrorBit技术是一项技术上的突破，可让闪存储存比标准快闪多一倍的数据，但承受度、效能及可靠性则丝毫无损 |
