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盛美上海进军涂胶显影Track市场 满足积体电路制造商光刻制程需求 (2022.12.21)
盛美上海推出涂胶显影Track设备，标志着该公司已正式进军涂胶显影Track市场，这也是该公司提升其在清洗、涂胶和显影领域内专业技术的必然结果。盛美上海于2013年开发了首个封装涂胶机和显影机，并於2014年交付了给客户 |
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中芯率先突破制程瓶颈 迫美火速补贴晶片与加码设限 (2022.08.02)
近来因为中芯率先突破7nm制程、与美国积极促成亚洲晶片大厂「四方联盟」（Chip4）等话题，让半导体产业及设备市场再起波澜。根据TrendForce最新研究预估，以全球各区域12寸约当产能看来 |
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Brewer Science 将在 2019 Semicon Taiwan分享先进封装经验与技术产品 (2019.09.16)
Brewer Science今天宣布，该公司将连续第 14 年叁加台湾国际半导体展，这是台湾最大的年度微电子盛事，将在 2019 年 9 月 18~20 日於台北世贸中心南港展览馆举行。除了将在 N0262 摊位展示其产品之外，Brewer Science 还将出席并赞助 2019 年 SiP 全球高峰会，这是与该展连同举行的先进封装专题活动 |
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透过自动高阶补偿改善迭对控制 (2008.05.05)
随着关键尺寸逐年缩小，迭对预算变得越来越紧缩。先进刻蚀机的成本成为在非关键层上使用最先进的扫描式曝光机的阻碍，导致在不同的层使用不同的刻蚀机；这种做法通常被称为「混搭」 |
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IBM与JSR将合作研发新一代半导体制程 (2007.12.11)
IBM与JSR将就新一代半导体制程技术展开研究之合作计划。据了解，美国的IBM和日本JSR两厂商已经就半导体新一代材料及制程的研发，共同签订了促进研究的合约。依据合作内容，JSR将派遣数名研究人员至IBM位于美国加州的阿尔马丁研究中心（Almaden Research Center） |
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Intel誓言：45nm之后 摩尔定律不变 (2007.05.30)
Intel誓言在45nm之后，摩尔定律将延续不变。Intel的LSI技术策略研究员暨技术策略总监Paolo A. Gargini表示，即使在45nm以后，也将延续每两年晶体管数量倍增的晶圆制程技术。继2007年下半年量产的45nm之后，Intel于2009年将开始32nm制程、2011年将开始22nm制程的量产 |
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65到45：半导体制程微细化技术再突破 (2006.11.27)
当半导体微细化制程从65奈米迈向45奈米、甚至晶片结构体尺寸将朝向32或是22奈米之际，我们将会面临什么未知的物理性质变化？为了追寻更微小体积、切割更多晶片的商业成本效益 |
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NEC开发面向45nm工艺的Cu/Low-k布线技术 (2006.11.26)
NEC与NEC电子开发了45nm工艺的Cu/Low-k布线技术。该技术适用于由闸长30nm的MOSFET构成的环状振荡电路，并使用有效比介电常数（k值）为2.9的低介电（low-k）膜、数值孔径和布线间距为70nm/140nm的Cu二重大马士革（Cu Dual Damascene）工艺 |
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TI 45奈米芯片制程让输出倍增，降低功耗电 (2006.11.26)
这种利用「湿式」微影制程的先进技术可将每片硅晶圆的芯片切割数目增加一倍，同时提高组件的处理效能并降低耗电。TI利用多种专属技术将其内含数百万晶体管的系统单芯片处理器带到更高的功能水平，不仅效能提升达3成，耗电更大幅减少4成 |
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联电采用浸润式微影技术产出45奈米测试芯片 (2006.11.26)
联华电子（UMC）宣布成功产出位较0.25平方微米更小的45奈米SRAM芯片，该芯片采用联电独立发展的逻辑制程，在12层重要层中使用复杂的浸润式微影术，并且结合最新的尖端技术如超浅接点技术、迁移率提升技术以及超低介电值技术（k=2.5） |
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半导体微影制程发展走向 (2006.11.26)
从波长、数值孔径、分辨率增强技术以及制程控制来看，干式光学微影设备的数值孔径技术推进到0.9便无法继续，湿浸式微影可以突破，但仍有几项关键因素待克服，如水中微泡的控制，其间形成的微气泡可能损及晶圆上的成像，因此如何在事先去除气体的纯水可能预防气泡生成是关键之一 |
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光微影术 （Optical Lithography） (2006.11.25)
所谓的光微影术，简单的说就是希望将设计好的线路图形，完整且精确地复制到晶圆上。半导体厂首先需将设计好的图形制作成光罩（photo mask），应用光学成像的原理，将图形投影至晶圆上 |
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65nm半导体工艺发展策略 (2006.11.25)
65nm工艺在性能上的提高会导致功耗明显增加，组件可能会消耗过高的功率。若不采用降低功耗的方法，由于静态功耗增加，65nm工艺的功耗将成为关键问题。漏电流是导致静态功耗增加的主要原因，漏电流包括65nm工艺上更薄的闸极氧化层隧道电流，以及亚阈值泄漏等 |
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松下和瑞蕯开发系统芯片制程已扩展至45奈米 (2006.08.03)
松下电器(Matsushita)和瑞蕯科技(Renesas)宣布成功整合测试45奈米的系统芯片(SoC)半导体制造技术。此项制程技术是完全整合1氩氟ArF(argon-fluoride)浸没式扫瞄器2与光隙数值1.0或更高的技术 |
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奈米世代微影技术之原理及应用 (2004.08.04)
微影技术在半导体制程中一直被认为是最重要的步骤，包括一直被广泛应用在定义图案的光学微影以及被应用在光罩制作上的电子束微影，而未来进入奈米时代之后，微影技术也面临许多更新的挑战，本文将藉由简介先进微影技术之能力与限制，为读者剖析目前主流微影术技术之应用与发展趋势 |
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射频接收机设计技术概述 (2004.06.01)
无线通信应用的风行，造就了该类产品在技术上的进展，而设频收发机就是通信链接当中相当重要的关键零组件，而不同的架构设计也各有其优缺点，本文将针对各试射频接收机的架构做介绍，并进一步剖析其优缺点 |
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变型照明技术--Off-Axis Illumination(OAI) (2000.02.01)
参考数据： |
