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宜扬采用思源Laker客制化数字绕线器系统 (2011.04.18)
思源科技于日前宣布，其Laker 客制化布局自动化系统与Laker客制化数字绕线器，已更深入普及于内存芯片市场。该公司同时表示，宜扬科技 （Eon Silicon Solution Inc.，简称Eon）运用Laker解决方案，布局速度提升了3倍之多，大幅提高其生产力，因而晋身顶尖内存芯片公司之列 |
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海力士高质量内存已采用思源科技软件 (2010.11.07)
思源科技（SpringSoft）于日前宣布，海力士半导体（Hynix）已经在Verdi自动化侦错系统与Laker客制化布局自动化系统上完成标准化。海力士是思源科技的长期客户，部署Verdi软件作为数字设计的侦错平台，也部署Laker软件作为闪存应用的客制化芯片设计平台 |
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金融风暴后 台湾韩国半导体市场复苏最快速 (2010.04.15)
三星（Samsung）与海力士（Hynix）等两家韩国厂商的半导体设备投资正明显增加。根据一份由SEAJ、SEMI及SEMI等单位共同调查的Worldwide SEMS Report报告显示，2010年2月份全球半导体生产设备市场规模由1月份的负成长转变成为正成长，比去年同月（YoY）大幅成长217.1％，比上个（MoM）成长6.6％ |
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跌跌不休 Q1内存销售较上季减少18% (2009.05.19)
市场研究公司Gartner于周一（5/18）发表了今年第一季的内存销售报告。报告中显示，第一季全球DRAM的销售收入为35.7亿美元，较去年同期减少41%，是自2001年第四季以来，销售收入最低的一季 |
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Gartner公布08年全球半导体销售 高通成长最快 (2009.04.12)
市场研究公司Gartner日前公布了2008年全球半导体销售报告。报告中显示，2008年全球半导体销售收入为2550亿美元，较2007年减少了5.4%，而英特尔继续依然位居龙头的地位，高通则是成长速度最快的公司 |
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安捷伦与Hynix合推内存验证的长线ZIF探针头 (2009.02.10)
安捷伦科技（Agilent）宣布与Hynix半导体合作生产一款为DDR和GDDR SDRAM验证而优化的高带宽、高效能长线ZIF（zero insertion force；零插力）探针头。该长线ZIF探针头可让工程师在探量距离较远的信号时，能准确地量测高速信号 |
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尔必达DRAM全球占有率可望达到20％ (2008.11.03)
尔必达的DRAM全球占有率在2008年第二季（4～6月）约15％，第三季（2008年10～12月）将达20％。根据iSuppli调查显示，2008年第二季DRAM全球占有率，以营收估算，第一名的三星电子占30.3％，第二名的海力士半导体占19.5％，第三位是尔必达内存占15.4％ |
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提高竞争力 海力士将再关闭一座8吋厂 (2008.10.06)
海力士（Hynix）半导体宣布，将提前关闭生产效率低于12吋晶圆的8吋晶圆厂。而在工厂关闭后，DRAM和NAND闪存的主要生产工作将由12吋晶圆厂负责，此举将有效稳定财务状况并提高收益 |
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海力士打造清州厂为全球第一大NAND内存工厂 (2008.09.04)
海力士半导体位于韩国清州市、支持300mm（12吋）晶圆的新制造生产线M11落成，海力士并邀请当地政府官员等举行完工典礼。
据了解，M11将采用40nm制程，用于生产16Gbit及32Gbit等高密度NAND闪存 |
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海力士选用Blue Coat作网际安全网关的策略控管 (2008.09.03)
广域网应用传输与门道安全维护厂商Blue Coat，日前宣布海力士半导体（Hynix Semiconductor）选择部署Blue Coat ProxySG设备，来维护Web安全、策略控制、并防范有心人士藉由SSL加密信道外泄信息 |
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恒忆与海力士将延长5年NAND Flash合作计划 (2008.08.19)
恒忆（Numonyx B.V.）和海力士半导体（Hynix Semiconductor）日前宣布，将延长两公司在NAND闪存升级产品和技术开发的合作计划。据了解，两公司未来将扩大NAND闪存产品和技术的合作开发范围，并将为加快开发速度而进行经营资源的一体化 |
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2008上半年半导体厂商排名 台积电第五 (2008.08.06)
根据美国市调公司IC Insights调查了2008年上半年半导体厂商的营收排名显示，1～4名分别为Intel、三星、德州仪器和东芝，第5名则是台积电（TSMC）。台积电在前20家厂商中达到最高的35％成长率，排名从去年同期的第6升至第5 |
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SPMT工作小组 推动新一代内存接口标准 (2008.05.02)
美商晶像、英商安谋、韩国海力士半导体、索尼爱立信行动通讯及法商意法半导体在4月30日宣布组织工作小组，为新世代内存接口技术，建立开放式标准。这项首创的内存标准乃针对动态随机存取内存（dynamic random access memory；DRAM） |
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海力士获Grandis授权 将共同开发STT-RAM技术 (2008.04.10)
南韩海力士半导体（Hynix Semiconductor）宣布，该公司已经与新一代内存STT-RAM（Spin-Transfer Torque RAM）的技术开发商Grandis，签订了STT-RAM的技术授权及共同开发协议。根据协议内容，海力士将从Grandis获得STT-RAM技术授权，未来两公司的研究人员也将在产品开发领域进行合作 |
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海力士开发新型高速内存芯片 速度达1000兆 (2008.04.07)
外电消息报导，韩国海力士(Hynix)半导体日前表示，该公司已为手机及其他便携设备开发出一种高速的内存技术。该芯片的数据处理速度最高可达1000兆。
为了积极抢攻内存市场，海力士不断的在其制程技术上创新，自去年第四季开始，海力士已采用66奈米制程生产内存芯片 |
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海力士将开始生产54奈米制程内存芯片 (2008.03.31)
外电消息报导，海力士（Hynix）半导体执行长Kim Jong-kap日前表示，该公司预计将从今年开始生产使用54奈米制程的DRAM内存芯片，并可能交由茂德进行生产。
Kim Jong-kap表示，他对2008年下半年的内存芯片市场表示乐观 |
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海力士成功开发24层NAND Flash堆栈封装技术 (2007.09.13)
海力士半导体（Hynix Semiconductor）成功开发出24层堆栈、每层厚度为25μm的NAND型闪存，总厚度为1.4mm的MCP多芯片封装。这是在目前的MCP产品之中，堆栈层数最多的一次。
海力士是于2007年5月开发出了层迭20层芯片的MCP |
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韩国海力士开发出全球最小最快1GB内存 (2007.08.13)
外电消息报导，韩国海力士半导体(Hynix Semiconductor)于上周六（8/11）表示，海力士已经开发出目前世界上体积最小、处理速度最快的1GB内存，据了解该产品将会被应用在手机平台上 |
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2010年两岸DRAM产量将超越南韩 (2007.05.31)
台湾和中国的DRAM总产量，将在2010年之前超过南韩。根据iSuppli预测，台湾和中国的DRAM厂陆续扩产，相较之下南韩仅有三星电子（Samsung Electronics）和海力士半导体（Hynix Semiconductor）为主要DRAM生产商，且该两厂商未来也会将生产的重心移向NAND闪存 |
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海力士获得英特尔DDR3 SDRAM产品认证 (2007.05.09)
南韩海力士半导体（Hynix Semiconductor）对外表示，该公司已经从美国英特尔（Intel）获得了DDR3同步动态随机内存（SDRAM）的产品认证。
海力士表示，此次获得的是80nm制程技术的1Gbit DDR3 SDRAM，以及该芯片应用于个人计算机（PC）大容量储存模块的认证 |
