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创新SOT-MRAM架构 提升新一代底层快取密度 (2023.04.17)
要将自旋轨道力矩磁阻式随机存取记忆体（SOT-MRAM）用来作为底层快取（LLC），目前面临了三项挑战；imec在2022年IEEE国际电子会议（IEDM）上提出一套创新的SOT-MRAM架构，能够一次解决这些挑战 |
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可在量产中实现良率管理的STT-MRAM磁性测试 (2021.06.02)
由于STT-MRAM（自旋转移距－磁性随机存取记忆体）具有快速、非挥发性、耐用，低功耗和可扩展的优点，是目前正迅速获得关注的新记忆体技术之一。它是替代eFlash的强大候选者，尤其是对汽车、物联网和其他低功耗应用特别有吸引力 |
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新一代记忆体发威 MRAM开启下一波储存浪潮 (2019.09.24)
STT-MRAM可实现更高的密度、更少的功耗，和更低的成本。此外，STT-MRAM也非常有可能成为未来重要的记忆体技术。不止可以扩展至10nm以下制程，更可以挑战快闪记忆体的低成本 |
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爱德万测试研发出用於记忆测试系统STT-MRAM的切换电流测量系统 (2018.11.21)
半导体测试设备供应商爱德万测试宣布其与日本东北大学创新整合电子系统中心〈CIES〉的合作，本计画由东北大学电机研究所教授远藤哲夫主持，成功地研发出高速、高精确度模组，可以测量磁性随机存取记忆体〈STT-MRAM〉中记忆束的切换电流，这是众所期待用於爱德万测试记忆测试系统的次世代记忆技术，运作速度为微安培/奈米秒 |
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针对奈米电子时代的非挥发性内存 (2010.02.02)
目前主流的基于浮闸闪存技术的非挥发性内存（NVM）技术有望成为未来几年的参考技术。但是，闪存本身固有的技术和物理局限性使其很难再缩小技术节点。在这样的环境驱使下，业界试图运用新的材料和概念研发更好的内存技术，以替代闪存，并更有效地缩小内存，提高储存效能 |
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Aviza推出12吋晶圆级离子束沉积系统 (2008.11.14)
半导体设备及制程技术专业供货商Aviza，近日宣布推出全球第一台12吋晶圆级离子束沉积系统。第一台系统已出货至法国格勒诺伯市的欧洲领先电子学及自旋电子学应用研究中心CEA-LETI-MINATEC |
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日厂商以MTJ技术达到逻辑与记忆芯片的整合 (2008.09.02)
日本东北大学电气通信研究所与日立制作所，最近透过自旋电子技术和硅芯片技术，成功开发了运算功能和非挥发性内存功能一体化的芯片。在嵌入MOS晶体管的芯片上，通过层迭自旋电子技术的磁隧道（Magnetic Tunnel Junction；MTJ）组件达到这样的目的 |
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检视STT-RAM记忆体应用优势 (2007.10.19)
旋转力矩转移随机存取记忆体（STT-RAM）是一种透过自旋电流移转效应所开发而出的新记忆体技术，属于非挥发性记忆体的一种，其应用优势包括无限次数的读写周期、低耗电，以及运算速度更快等，更适合嵌入式设计应用 |
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Cypress将出售MRAM事业部 (2005.02.17)
Cypress Semiconductor宣布计划售出旗下专门供应磁阻式随机存取内存(Magnetic Random Access Memory, MRAM)的子公司Silicon Magnetic Systems (SMS)。Cypress执行长T.J. Rodgers表示：「经过三年的努力，Cypress于1月开始供应七家OEM客户全功能MRAM样品 |
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MRAM──更具行动应用前景的新世代记忆体 (2004.11.04)
MRAM拥有存取速度高、存取次数多、耗电量低及小体积、可嵌入式等特性，较现有的其他记忆体在可携式电子产品的应用上更具优势；本文将由MRAM的技术发展趋势与厂商现况等面向，为读者介绍此一新世代记忆体的应用前景 |
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投入MARM研发三星表示已有重大技术突破 (2003.02.13)
据网站Silicon Strategies报导，在IBM、Cypress、Infineon、NEC及Motorola等业者相继投入人力物力，开发最新磁电阻式随机存取记忆体（MRAM）之后，南韩三星电子也宣布加入此一新型记忆体的研发行列，并表示该公司已在技术上获得重大突破 |
