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ROHM推出SOT-223-3小型封装600V耐压Super Junction MOSFET (2023.12.12)
近年来随着照明用小型电源和泵浦用马达的性能提升,对於在应用中发挥开关作用的MOSFET小型化产品需求渐增。半导体制造商ROHM推出采用SOT-223-3小型封装(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐压Super Junction MOSFET「R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4」,适用於照明用小型电源、空调、泵浦和马达等应用
ROHM推出EcoGaN Power Stage IC 可助减少应用损耗及实现小型化 (2023.09.04)
近年来消费性电子和工控设备的电源在节能方面的要求升高,以期实现永续发展,因而能够帮助提高功率转换效率和实现元件小型化的GaN HEMT受到关注。但与Si MOSFET比较之下,GaN HEMT的闸极处理较为困难,必须与驱动闸极用的驱动器结合使用
ROHM推出R60xxRNx系列 满足小型马达驱动低杂讯要求 (2023.04.12)
ROHM在600V耐压Super Junction MOSFET「PrestoMOS」产品阵容中,新增?R60xxRNx系列」3款新产品,非常适用於冰箱和排气风扇等对低杂讯特性要求较高的小型马达驱动。 近年来,全球电力供应日趋紧张,开始要求应用设备要更加节能
伟诠推出采用高频多模准谐振式反激式控制晶片 (2022.03.07)
为了加速超小型化USB PD充电器的设计,伟诠电子日前推出采用WT7162Rx高频多模准谐振式反激式控制晶片搭配氮化??的超小型化USB PD充电器叁考设计。 WT7162Rx PWM控制系列晶片是一款高度整合的高频/多模式反激式PWM控制晶片,具备准谐振模式切换和波谷切换的非连续导通模式
ROHM推出45W输出、内建FET小型表面安装AC/DC转换器IC (2021.12.23)
半导体制造商ROHM针对空调、生活家电、FA装置等配备交流电源的家电和工控装置领域,研发出内建730V耐压MOSFET的AC/DC转换器IC「BM2P06xMF-Z系列(BM2P060MF-Z、BM2P061MF-Z、BM2P063MF-Z)」
UnitedSiC推出最小导通电阻6mΩ SiC FET 耗损仅竞品的一半 (2021.09.14)
碳化矽(SiC)功率元件的应用正快速且广泛的成长中,尤其是电动车相关的市场,而SiC元件的性能优劣也成为供应商的决胜点。而专注于碳化矽元件技术开发的美商UnitedSiC(联合碳化矽),今日推出了一款业界最佳的750V SiC FET产品,该元件的导通电阻(RDS on)仅有6mΩ,仅有竞争对手SiC MOSFET产品的一半,并提供了5μs额定短路耐受时间
变革的700 V高频、高低端驱动器实现超高功率密度 (2019.02.22)
本文将对NCP 51530与业界标准的两个元件进行比较。计算NCP 51530用于主动钳位返驰式 (Active Clamp Flyback;ACF) USB PD转换器中的损耗。然后给出NCP 51530对比两个竞争元件用于ACF应用中的实际热性能
意法半导体推出快速恢复的超接面MOSFET (2019.02.14)
意法半导体推出之MDmesh DM6 600V MOSFET具备一个快速恢复二极体,将最新超接面(Super-Junction)技术的性能优势导入全桥和半桥拓朴、零电压切换(Zero-Voltage Switching,ZVS)相移转换器等的拓朴结构里通常需要一个稳定可靠的二极体来处理动态dV/dt的应用
EiceDRIVER 搭配 CoolMOS CFD2 可实现优异冷藏效率 (2018.10.25)
本文说明闸极驱动器电路有效设计的基本考量,以及结合运用 EiceDRIVER IC 及 CoolMOS CFD2 所带来的效益。
Diodes可调光LED驱动器为230/120VAC灯完善调光器兼容性 (2016.04.01)
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出LED驱动器AL1697,适用于以线路供电的Triac可调光LED照明应用。新产品利用符合美国电气制造商协会(NEMA) SSL-6调光曲线标准的单级高功率因数调光电路,与前缘触发(Leading-edge) 和后缘触发(Trailing-edge) Triac调光器相互兼容,借以提供最佳化线性和负载调节
意法半导体新650V超接面MOSFET提升安全系数 (2014.12.02)
意法半导体(STMicroelectronics;ST)的最新超接面(super-junction)功率MOSFET可满足家电、低功耗照明以及太阳能微逆变器对电源能效的要求,同时提供更高的可靠性和最新且可满足高功率密度的封装选项
MOSFET封装进步 帮助提供超前芯片组线路图的行动功能 (2013.11.29)
面临为需求若渴的行动装置市场提供新功能压力的设计人员,正在充分利用全新次芯片级封装(sub-CSP)技术的优势,使用标准IC来构建领先于芯片组路线图的新设计。
ROHM推AC/DC转换器用电源IC 内建功率MOSFET (2013.10.18)
半导体制造商ROHM株式会社(总公司:日本京都市)全新研发适合AC变压器(Adapter)与各种家电初级电源AC/DC转换器使用的电源IC「BM2Pxxx/BM2PxxxF系列」。 新系列有24种品项,采用自制低启动电阻之超接合面(super junction)MOSFET,并致力电路优化,达成业界最高水平的效率和低噪声
意法半导体推出采用TO-247封装的650V车规MOSFET (2013.08.14)
意法半导体的STW78N65M5和STW62N65M5是业界首款采用深受市场欢迎的TO-247封装的650V AEC-Q101车规MOSFET。在高电压突波(high-voltage spikes)的环境中,650V额定电压能够?目标应用带来更高的安全系数,有助于提高汽车电源和控制模块的可靠性
意法半导体采用新节能封装扩大高能效功率产品阵容 (2013.05.14)
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供货商意法半导体推出了首款采用新封装技术的MDmesh V 超接面(Super-Junction)MOSFET,新封装可提升家用电器、电视机、个人计算机、电信设备和服务器开关电源的功率电路能效
英飞凌推出超接面CE,适合消费性及照明应用 (2012.05.10)
英飞凌科技(Infineon)日前推出新产品 500V CoolMOS CE,可在消费电子、个人计算机 Silverbox 和照明 SMPS(开关式电源供应器)等价格导向应用的电源供应设计中,取代标准MOSFET。英飞凌 500V CoolMOS CE 结合了最新超接面 MOSFET 的所有优点:低区域特定导通电阻、低切换耗损,及非常耐用的本体二极管
英飞凌推出车用650V CFDA (2012.04.10)
英飞凌(Infineon) 日前宣布,扩展其车用功率半导体系列产品,推出全新 650V CoolMOSTM CFDA。这是整合高速本体二极管技术的超接面 MOSFET 解决方案,符合最高的汽车认证标准 AEC-Q101
ROHM新推出导通电阻仅34mΩ (2012.03.08)
罗姆电子(ROHM株式会社)于日前宣布全新推出创新低导通电阻之高耐压型功率MOSFET,「R5050DNZ0C9」(500V/50A/typ,34mΩ max45mΩ),适合太阳能发电系统的功率调节器使用。 随着节能议题愈来愈受到关注,其中,太阳能发电可谓是最具代表性的可回收能源,因此使得该市场在近年来不断地成长扩张
ST超结型MOSFET系列再添新成员 (2012.01.06)
意法半导体(ST)日前推出MDmesh V系列。MDmesh V系列是高性能MOSFET产品,拥有极低的每单位面积导通电组(on-resistance per area),在650V额定电压应用中可实现高能效和功率密度;对于以热量形式损耗电能的系统功率转换电路,如电子照明控制器、消费性电子电源和太阳能电力转换器可提升能效
ROHM运用硅深掘蚀刻技术推出全新超接面MOSFET (2011.11.29)
ROHM于日前宣布,推出全新低导通电阻之高耐压型功率MOSFET-R5050DNZ0C9,适合太阳能发电系统的功率调节器使用。随着节能议题愈来愈受到关注,其中,太阳能发电可谓是最具代表性的可回收能源,因此使得该市场在近年来不断地成长扩张


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