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独步全球！台湾进入16奈米组件新时代 (2009.12.16)
国科会国家实验研究院于周二（12/15）宣布，开发出全球第一款16奈米的SRAM（静态随机存取内存）的单位晶胞新组件，由于可容纳晶体管是现行主流45奈米的10倍，可使未来3C设备更轻薄短小，主板面积大幅缩小、储存量更大、运算效率更快 |
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Cypress推出65奈米144-Mbit SRAM内存 (2009.10.27)
Cypress公司宣布推出单片式(monolithic)SRAM，密度可达144-Mbit，是65奈米 SRAM系列组件的最新成员。此新款144-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII、以及DDRII+内存，采用与晶圆代工伙伴联华电子连手开发的65奈米制程技术 |
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瑞萨新款SRAM产品可提供533 MHz运作速度 (2009.07.19)
瑞萨科技发表72-Mbit Quad Data Rate II+（QDR II+）及Double Data Rate II+（DDRII+）高速SRAM系列产品，适用于次世代通讯网络中的高阶路由器及交换器，上述SRAM产品可达到业界最高运作速度，并符合QDR Consortium工业标准 |
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Cypress推出首款65奈米制程SRAM (2009.05.05)
Cypress公司4日宣布推出业界首款采用65奈米线宽的Quad Data Rate（QDR）与Double Data Rate（DDR）SRAM组件。此新款72-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII、以及DDRII+内存，采用与晶圆代工伙伴联华电子合作开发的制程技术 |
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Cypress三款全新组件，扩大异步SRAM阵容 (2009.04.02)
Cypress公司1日宣布推出一款低功耗SRAM以及两款高速异步SRAM，扩大其产品阵容。此新款64-Mbit MoBL（More Battery Life）SRAM能协助扩充如高阶销售端点管理系统、游戏应用、VoIP网络电话、掌上型消费性产品、以及医疗设备等装置中之电池续航力 |
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广域电压范围操作之静态随机存取记忆体设计 (2009.02.03)
目前设计低功率SOC系统的主要方式，是以操作速度需求不高的电路以较低VDD来设计，低电压高效能的记忆体设计将是其中一项主要的挑战。本设计应用了低电压操作原理，把静态随机存取记忆体操作在0.5V，让此设计在使用时能够达到80MHz的最高操作频率 |
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美国SRAM反垄断调查结束 海力士声称无违法 (2008.12.25)
外电消息报导，美国司法部日前宣布，已结束自2006年10月份开始的SRAM反垄断法违法行为调查，而所有的结果也已寄交给接受调查的半导体公司。其中海力士即刻发布声明表示，该公司并未涉及任何的不法 |
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东芝、IBM及AMD合作开发出世界最小的SRAM (2008.12.20)
外电消息报导，东芝、IBM与AMD日前共同宣布，采用FinFET共同开发了一种静态随机内存（SRAM），其面积仅为0.128平方微米，是目前世界上最小的SRAM。这项技术是在上周（12/16）在旧金山2008年国际电子组件会议上所公布的 |
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Cypress整合PSoC与非挥发性SRAM技术 (2008.09.26)
Cypress Semiconductor公司发表业界首款整合非挥发性静态随机存取内存（non-volatile static random access memory, nvSRAM）与可编程系统单芯片之组件。全新的PSoC NV系列产品结合Cypress旗舰级PSoC架构之弹性化设计功能，以及永续记忆的nvSRAM于单一芯片的封装中 |
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电池供电SRAM与非挥发性SRAM技术比较 (2008.06.10)
过去三十年来，工程师由于结合电池与静态RAM，能在刻意与意外断电情形时，让系统仍可保护资料。最初业界采用内建低密度记忆体电路的分立式解决方案，及单纯的电池技术，搭配分立式电源感测与切换电路 |
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MAXIM新推出DS3605I2C非挥发性SRAM控制器 (2008.01.22)
Maxim推出兼容于I2C非挥发性SRAM控制器DS3605，内建窜改检测，允许用户指定自己的外部SRAM。当检测到窜改事件时，DS3605可以快速消除该外部SRAM上的密钥。DS3605并整合了实时频率（RTC）、电池备份控制器、系统电源监视器、CPU监控器、温度传感器以及4路通用窜改检测比较器输入 |
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Digi-Key与ISSI签署全球经销协议 (2007.06.06)
电子零件经销商Digi-Key Corporation与内存解决方案厂商Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)宣布签署一项全球经销协议。
ISSI为一针对数字消费性电子、网络、行动通讯和汽车电子市场设计、开发及营销高效能集成电路厂商，该公司主要产品包括高速和低功率SRAM、及低与中密度DRAM |
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联电将成为Cypress之SRAM制造伙伴 (2007.02.28)
Cypress宣布晶圆代工厂联电（UMC）已成为该公司重要制造伙伴之一。根据双方共同协议，Cypress将采用联电之先进制程生产下一世代的SRAM产品。此举为Cypress首次选用非自家晶圆厂生产其旗舰级SRAM产品 |
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Cypress宣布与联华电子建立制造伙伴关系 (2007.02.26)
Cypress Semiconductor Corp.宣布联华电子（联电）成为该公司重要制造伙伴之一。根据双方共同协议，Cypress将采用联电之先进制程生产下一世代的SRAM产品。此举为Cypress首次选用非自家晶圆厂生产其旗舰级SRAM产品 |
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Cypress推出高速小型非挥发性SRAM系列产品 (2006.06.05)
Cypress Semiconductor宣布推出非挥发性SRAM系列产品-nvSRAM的第一款组件产品。此款创新组件在切断电源的情况下，继续储存内部数据，而无须外接电池，因此，让Cypress这项创新高速装置不但符合欧盟电子电机设备有害物质限用指令（RoHS）的规定，且可提供比其他解决方案更小的封装 |
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ST的8位MCU系列搭载32KB芯片上SRAM (2006.02.13)
ST发表了高性能8051 uPSD3400 Turbo Plus系列的最新版本uPSD3454E，该组件具备大容量SRAM，整合了32Kbyte SRAM与256Kbyte的闪存，以及USB 2.0全速及大量接口与外围。ST已全面为其广受欢迎之uPSD产品线中三大微控制器系列提供相同的内存密度，已采用该系列组件的客户提供有效升级途径，并为新型嵌入式控制应用提供更具竞争力与多样化的8051解决方案 |
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低电流、高速SRAM特性与使用技巧 (2005.10.01)
网际网路的普及与宽频的增加，让资讯传输的需求日益增加，在各界极力要求网路设备资料处理能力提升的同时，也意味着网路设备使用SRAM必需朝高速化、大容量化方向发展 |
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IBM研发全球最小SRAM内存细胞 (2004.12.15)
IBM在美国旧金山所举办的一场研讨会中，宣布该公司发展出全球最小型的SRAM内存细胞（cell），该组件与现行SRAM cell相较仅有十分之一大小，未来将应用在IBM服务器产品系列上 |
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新世代记忆体技术展望 (2004.04.25)
非挥发性与速度是未来记忆体技术的两大诉求，轻薄短小、降低成本以及省电更成为系统设计所追求的目标，引进新的记忆体架构与新材料不仅是大势所趋，也是下一波竞赛的重要关键 |
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FPGA架构成本之分析探讨 (2004.02.05)
现阶段有三种基本FPGA技术分别为反熔丝、FLASH与SRAM，三种架构技术中以SRAM为应用最为广泛之技术，本文将以FPGA架构为主，另提及该技术如何提供安全性的设计成本为主。 |
OASIS是一个非营利的机构，其作用在于发展、整合，以及统一世界各地电子商业所需要的专用标准。OASIS并制定出全球电子商业的安全标准、网络服务、XML的标准、全球商业的流通，以及电子业的出版。
