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新一代NVM内存之争 MRAM赢面大 (2008.11.12)
全球先进半导体设备及制程技术供货商Aviza今日（11/13）在台表示，MRAM有希望从多家新一代非挥发性内存（Non-Volatile Memory;NVM）技术中脱颖而出，并取代目前主流的SRAM，成为终极的通用型内存解决方案 |
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Aviza新品发表媒体聚会 (2008.11.11)
随着内存应用越来越广泛，并不断朝向多功能、高效率及永久性的方向演进，半导体设备及制程技术领导厂商Aviza Technology，锁定使用于硬盘和CMOS金属闸门应用的磁阻式随机存取内存（MRAM）装置，推出了具高生产力的沉积系统产品 |
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革新闪存迈出下一步 (2008.11.05)
市场对于主流非挥发性内存、特别是NAND Flash独立储存应用仍有广大需求动能，短期内市场对NAND Flash及SSD的发展规模渐趋保守，长期发展前景仍旧维持审慎乐观。NAND Flash在奈米微缩可扩充能力（Scalability）、储存覆写次数耐久性（Endurance）和数据保存能力（Data Retention）的局限，使其面临技术上和经济上必须革新的关键 |
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飞思卡尔成立新公司推动MRAM业务 (2008.06.11)
飞思卡尔半导体宣布，将与几个顶尖创投公司集资成立一间以MRAM(磁性随机存取内存)为主要产品的独立新公司。这间新公司名为EverSpin Technologies，将持续提供并扩充现有的独立MRAM产品线及相关磁性产品 |
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东芝成功开发MRAM专用之新TMR组件 (2007.11.09)
东芝成功开发可达1Gbit以上储存容量的MRAM新型TMR组件。据了解，东芝透过自旋注入反磁化方式（简称自旋注入方式），以及可大幅减小组件体积的垂直磁化技术。东芝并于美国佛罗里达州Tampa所举办的第52届磁学与磁性材料年会（Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials；MMM）上发表这项研究成果 |
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非挥发性内存的竞合市场 (2007.10.24)
内存本身就具有通用与中介的性质，所以发展出来的各类内存组件，多能通用于不同系统之间。新一代的内存为了更通用之故，所发展的都是非挥发性的内存，这样才能既做为系统随机存取之用，又能组成各类的储存装置，例如嵌入在便携设备中的储存容量、弹性应用的记忆卡或固态硬盘等 |
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飞思卡尔MRAM组件获创新类奖项 (2007.03.03)
飞思卡尔其4兆位MRAM组件最近荣获In-Stat的Microprocessor Report年度「创新」类奖项。该组件在同年内也获得了Electronic Product的「年度产品大奖」、同时还入围了EDN的创新大奖及EE Times的ACE大奖等奖项的决选 |
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飞思卡尔推出商用MRAM技术 (2006.07.11)
飞思卡尔半导体发表首款商用磁阻式随机存取内存(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)组件，并已投入量产。
飞思卡尔的4兆位MRAM产品是一款耐用性极佳的高速非挥发性内存，这种高速且耐用的特性组合是任何半导体记忆装置都无法提供的 |
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Cypress将出售MRAM事业部 (2005.02.17)
Cypress Semiconductor宣布计划售出旗下专门供应磁阻式随机存取内存(Magnetic Random Access Memory, MRAM)的子公司Silicon Magnetic Systems (SMS)。Cypress执行长T.J. Rodgers表示：「经过三年的努力，Cypress于1月开始供应七家OEM客户全功能MRAM样品 |
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Ovonic Unified Memory支持独立型内存与嵌入型装置应用 (2003.11.05)
OUM的数据储存作业是透过类似可复写CD或DVD光盘使用的硫属合金材料所制成的薄膜，藉由热引起的相位变化在无规律与多晶排列的状态之间进行切换。OUM技术被视为高密度、低电压、高cycle-count的非挥发性内存，适合于VLSI独立型内存以及各种嵌入型产品的应用 |
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浅谈磁性记忆体技术原理与前景 (2003.11.05)
新一代的磁性随机存取记忆体不仅拥有flash的非挥发特性，DRAM的高集积度以及SRAM的高速存取特性；同时MRAM还具有相当高的的读写次数寿命，几乎是兼具现有三大记忆体的优点，所以被称为下一代的梦幻记忆体 |
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MRAM为我国磁储存产业发展重点 (2003.08.20)
中央社报导，工研院光电所副所长黄得瑞于台湾磁性技术协会所主办的研讨会中指出，台湾目前磁性产业产值约为台币100至200亿元，且未来仍有发展空间，未来发展重点则是在磁储存技术领域，尤其是MRAM（磁阻式随机存取内存）技术的研发 |
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高科技 安乐死 (2003.07.05)
在这个高度资讯化的时代，每天都有许多新科技、好科技，不断被提出，就像是曾引起广泛讨论与期待的FRAM（铁电记忆体）、MRAM（磁阻式记忆体）与Bluetooth （蓝芽）、HomeRF等技术一样，但是除了技术本身之外，许多外在因素包括市场等后天条件的配合，好像才是其能否避免「安乐死」－－尚未享受正常生命周期就必须殒落的关键 |
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以提供高整合度半导体储存技术为职志 (2003.03.05)
从1989年首度提出Flash Disk概念就专注于快闪磁盘解决方案的M-System（艾蒙系统），耕耘闪存技术多年，近年来由于信息产品可携式的概念风行，同时具备高储存容量、体积小与重量轻的闪存技术，在可携式产品与可携式储存解决方案上相当受到市场欢迎，使得该公司在发展高整合度的半导体储存技术上更具信心 |
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IC内存的统合应用 (2002.06.12)
Motorola的半导体部门及其实验室日前联合发表了业界第一款1Mb MRAM(磁电阻式随机存取内存，magnetoresistive random access memory)通用内存芯片，这让以半导体IC来做系统整合的应用更方便了，也会加大各类消费性电子产品的功能使用 |
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芯片市场战况激烈 (2002.06.11)
美商超威(AMD)9日发表第一款采用0.13微米制程，运转频率为1.8Ghz的最新Athlon XP 2200+微处理器芯片。在此同时，摩托罗拉半导体事业部(SPS)和摩托罗拉实验室，近期在「科技与电路超大规模集成电路座谈会」中，联合发表第一款1Mb MRAM（磁电阻式随机存取内存）芯片，并预定明年推出样品，2004年量产 |
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旺宏赶在2004年前布局MRAM及FRAM (2001.06.10)
国内闪存(Flash)大厂旺宏电子公司为取得未来进入系统单芯片(SOC)竞争优势，也加入新世代非挥发性内存-磁阻式随机存取内存(MRAM)及铁电随机存取内存(FRAM)开发，并计划赶在2004年前导入量产，以免被IBM及Infineon等国际整合组件大厂(IDM)抢食先机 |
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IBM Infineon合作研发MRAM (2000.12.07)
国际商业机器公司(IBM)与Infineon Technologies现正共同合作开发一全新的内存芯片，而此新芯片将很有可能取代目前被使用的所有内存芯片。这两家公司发表声明表示，他们希望能加速MRAM芯片的开发，期望能尽快将其从实验室研究的阶段提升至于市面上大量销售的景况 |
