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CTIMES / 朱文義
科技
典故
叫醒硬件准备工作的BIOS

硬件组装在一起,只是一堆相互无法联系的零件,零件要能相互联络、沟通与协调,才能构成整体的「系统」的基础,而BIOS便扮演这样的角色。
IR推出IR iMOTION 16A额定集成功率模块 (2003.07.14)
国际整流器公司(IR)在其PlugNDrive集成功率模块系列中加入新成员IRAMX16UP60A,全面简化变速电动马达之控制电路。额定16A的 IRAMX16UP60A模块能为电子控制式变速马达节省高达30%的能源,并专为750W至1.2kW变速马达驱动器应用而设计,适用于室内空调系统、商用冰箱及大容量洗衣机
IR推出新款隔离式封装Co-Pack NPT IGBT (2003.07.03)
国际整流器公司(International Rectifier)推出全新600V非穿孔式 (NPT) IGBT,该产品采用TO-220全隔离封装 (Full-Pak),隔离效能保证最低限度为2kV;此装置同时与IR新一代超高速、软性恢复二极管联合封装,更于制作过程中进一步结合了IR先进的薄晶圆技术
IR推出全新iP2002集成功率区块 (2003.05.10)
半导体及管理方案厂商-国际整流器公司(International Rectifier)推出全新iP2002集成功率区块,能驱动四相、120A同步降压转换器于每相1MHz频率下进行切换,全负载效率高达82.5%
IR推出多用途MOSFET (2003.02.19)
全球功率半导体及管理方案厂商国际整流器公司(IR)于19日推出IRF1312型HEXFET功率MOSFET,额定电压达80V,可用作隔离式直流-直流转换器中的主要和次要MOSFET,专门应用于网络通讯及数据通讯应用领域
IR推出IRF6156型20V双重双向式HEXFET功率MOSFET (2003.02.12)
国际整流器公司(International Rectifier),推出IRF6156型20V双重双向式HEXFET功率MOSFET。该元件采用共同汲极配置,与采用TSSOP-8封装的元件比较起来,除了体积减少了80%之外,厚度更大幅减少到0.8 mm以下
IR推出高可靠度抗幅射直流-直流转换器 (2003.01.21)
国际整流器公司(International Rectifier),推出全新M3G「立即可用」(off-the-shelf) 抗幅射、高可靠度(hi-rel) 直流-直流转换器系列,大幅缩短高成本航太系统研发周期。 M3G 转换器是完整单端式前置降压转换器「建构元件」(building blocks),可支援28V、 50V及70V的输入电源,并配备有单、双及三重输出配置
IR新款MOSFET采条形沟道设计 (2003.01.13)
国际整流器公司(IR)13日推出IRLR7833及IRLR7821两款HEXFET功率MOSFET,该产品以全新条形沟道(Stripe-trench)技术设计,为目前D-Pak封装上导通电阻最低的30V MOSFET。 。与同类直流-直流转换器MOSFET相比,此两款以新技术制成的MOSFET能将效率提升高达2.5%,节省高达25%零件数目,可依照实际应用需要而定
IR推出可替代电机继电器的300V MOSFET功率元件 (2003.01.08)
全球功率半导体及管理方案厂商-国际整流器公司(International Rectifier),推出IRF3000型300V N通道HEXFET功率MOSFET,它能取代多类电信及网路应用系统中的电机继电器(Electro-mechanical Relay)
IR 推出的IRF6607 DirectFET MOSFET (2002.12.11)
国际整流器公司(International Rectifier)​​,推出全新的IRF6607 DirectFET MOSFET,可用于高频同步降压转换器中的同步MOSFET开关应用系统。降压转换器只需装上一对IRF6607 DirectFET MOSFET,便可在2MHz频率下提供每相30A的电流,效率高达77%,电流输出更为业内最佳的SO-8封装MOSFET的2倍
IR推出 500V MOSFET (2002.12.05)
国际整流器公司(International Rectifier)​​,推出全新500V L系列HEXFET功率MOSFET,当中的快恢复本体二极管能在零电压开关(ZVS) 电源中可靠地操作,特别适合轻负载环境。新元件的问世使IR用于ZVS电源的MOSFET系列更加充实,应用范​​围涵盖电信及其他高阶开关式电源系统
IR推出三相逆变器驱动器集成电路 (2002.11.25)
全球功率半导体及管理方案厂商国际整流器公司(IR),推出IR2136三相逆变器驱动器集成电路系列,适用于变速马达驱动器设计。新元件把六个MOSFET或IGBT高电压栅驱动器整合起来,并融合多元化的保护功能,系统成本较光耦合器方案低30%
IR推出三相逆变器驱动器集成电路系列 (2002.11.22)
全球功率半导体及管理方案厂商国际整流器公司(International Rectifier)​​,推出IR2136三相逆变器驱动器集成电路系列,适用于变速马达驱动器设计。新元件把六个MOSFET或IGBT高电压栅驱动器整合起来,并融合多元化的保护功能,系统成本较光耦合器方案低30%
IR推出可驱动Intel及AMD的功率管理晶片组 (2002.11.14)
全球功率半导体及管理方案厂商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR))推出符合Intel VRM 9.0设计规范,并可简化低电压、高电流多相同步直流-直流转换器设计的完整功率管理晶片组
IR推出双FETKY组合封装元件 (2002.11.07)
国际整流器公司(IR)日前推出全新的IRF7335D1型双FETKY元件,把两个N通道MOSFET及一个肖特基二极管,组合于单一SO-14封装,载电效能远超市场上同类双MOSFET-肖特基组合封装方案,亦较IR早前推出的IRF7901D1元件提供高出40%的电流
IR推出myPOWER网上设计中心 (2002.10.17)
国际整流器公司(International Rectifier),推出以网际网路为基础的设计及模拟工具- myPOWER网上设计中心(Online Design Centre),提供一天完成的设计组件定制服务,并成功把先进功率系统的设计时间缩短数星期,甚至数月
IR开发出业界最高集成度智能功率模块 (2002.09.19)
全球功率半导体及管理方案厂商-国际整流器公司(International Rectifier),日前表示该公司开发出至今集成度最高的智能功率模块。这款iNTERO可程序化隔离智能功率模块 (PI-IPM),可在单一封装内把功率平台整合于嵌入式驱动器机板,板上更配备一组可程序化数字信号处理器
IR推出IRIS4009集成开关 (2002.09.09)
全球功率半导体及管理方案厂商-国际整流器公司(International Rectifier),推出全新的IRIS4009集成开关,把一组控制集成电路及一枚低损耗、强化型HEXFET功率MOSFET结合于单一五脚封装,专门应用于30W以下交流-直流供应
IR DirectFET MOSFET组件为 英特尔Itanium 2处理器确立功率 (2002.08.16)
全球功率半导体及管理方案厂商----国际整流器公司(IR),宣布其创新的DirectFET功率封装技术,能使功率系统符合英特尔最新64位处理器Itanium 2的功率管理要求。该公司的IRF6601及IRF6602 HEXFET功率MOSFET均采用DirectFET封装,能够在最精简的面积上,以最少量组件满足Itanium 2的功率规格
IR推出150V及200V MOSFET组件 (2002.08.09)
全球功率半导体及管理方案厂商----国际整流器公司(简称IR) 推出一系列全新的150V及200V HEXFET功率MOSFET,它们的导通电阻和栅电荷特性经过优化,能将48V输入隔离式直流-直流转换器的效率提升1%,适用范围包括网络和电信系统
IR推出600V IGBT Co-Packs组件 (2002.07.26)
全球功率半导体及管理方案厂商---国际整流器公司(IR) 推出全新600V非穿透式 (NPT) IGBT Co-Packs组件,适用于洗衣机及冷气机等以马达驱动的家电应用,及以轻型马达驱动的工业应用

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