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Vishay推出具长使用寿命的小型面板电位计 (2008.01.21)
Vishay宣布推出具有长久使用寿命的最新小型面板电位计，该器件具有2W的高额定功率、低温度系数及高工作扭矩。标准面板电位计的寿命为100,000个周期，而P30L具有100万个周期的长久使用寿命 |
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Vishay推出新型首款ESD单线路保护二极管 (2008.01.21)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出业界首款具有1.5pF低电容且采用新型LLP1006封装的ESD单线路保护二极管。
凭借0.6毫米×1.0毫米的占位面积以及0.38毫米的超薄浓度，BUS051BD-HD1可在面向移动计算、移动通信、消费类、工业及医疗应用的电子设备中节省板面空间，以及提供ESD保护 |
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Vishay 3V红外接收器系列具高灵敏度 (2008.01.14)
Vishay宣布利用可在光线较低的情况下将组件灵敏度提高一倍的新一代IC升级其3V红外接收器的性能。该IC是IR接收器性能的主要决定因素之一，此外还有光电二极管及光封装本身 |
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Vishay推新高压单、双电源单刀双掷模拟开关 (2008.01.14)
Vishay推出两款新型高压单、双电源单刀双掷(SPDT)模拟开关。DG469与DG470器件是相同的，不同之处是DG470带有启动引脚，该引脚可将所有开关置于高阻抗状态，从而在启动时可保持“安全状态”并可防止意外信号或电源短路 |
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Vishay推出新型SiP21301 LDO控制器 (2008.01.07)
Vishay推出具有可调及固定输出电压选择的LDO控制器，该器件采用n信道MOSFET，可在高达7A的极高电流情况下提供不到50mV的超低压降。
SiP21301器件已进行了优化，可驱动n信道MOSFET，以便为游戏机、机顶盒、液晶电视及网络设备中的FPGA、ASIC及 ASSP供电 |
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Vishay发表200-V、TMBS槽沟式肖特基整流器 (2007.12.20)
Vishay发表业界首款200-V、30-A双路高压TMBS槽沟式肖特基整流器，为同步整流解决方案提供一低成本之替代方案。V30200C提供许多超越平面肖特基整流器之优点。当操作电压达到100 V及更高时 |
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Vishay产品现可由Digi-Key供货 (2007.12.19)
Vishay Intertechnology, Inc.与Digi-Key Corporation宣布，Vishay的延伸性半导体产品，包括MOSFET、二极管、整流器、RF晶体管、光电及选择性IC目前已可透过Digi-Key供货。藉由此新产品阵容强化，Digi-Key现已负责经销Vishay的半导体及被动组件全系列产品 |
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Vishay推出尺寸09的新型单匝衬套位置传感器 (2007.11.19)
Vishay宣布推出尺寸为09（22.2mm）的新型单匝、衬套位置传感器，该器件采用霍尔效应技术，面向恶劣环境中的应用。
新型351 HE的霍尔效应技术使其能够在高达20G的高频率振动、高达50G的冲击条件下在–45°C～+125°C的温度范围内工作，因此其具有比其他技术更胜一筹的强大优势 |
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Vishay宣布推出Vishay FCSP FlipKY系列芯片 (2007.11.16)
Vishay宣布推出的Vishay FCSP FlipKY系列包含0.5A、1.0A及1.5A器件，这些器件的占位面积为0.9mm×1.2mm及1.5mm×1.5mm。
凭借0.6mm（1A器件）及0.5mm（0.5A器件）的超薄厚度，Vishay FlipKY芯片级肖特基二极管可节省手机、蓝牙附件、PDA、MP3播放器、数码相机、个人视频播放器及其他需要超薄器件的可擕式电子系统的空间 |
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Vishay新型环形高温电感器可选择垂直及水平安装 (2007.11.15)
Vishay宣布推出新型环形高电流高温电感器系列中的首款器件，该器件具有高额定电流及饱和电流及极低的DCR。
凭借+200°C的额定工作温度以及可减少EMI的环形设计，新型TJ5-HT电感器专为汽车、工业及深井钻探产品中的开关电源、EMI/RFI滤波及输出电抗器而进行了优化 |
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Vishay推出新系列汽车用TrenchFET功率MOSFET (2007.11.15)
Vishay推出已通过AEC-Q101认证的新系列汽车用TrenchFET功率MOSFET，该系列包含两款采用PowerPAK 1212-8封装且额定结温为175°C的60V组件。日前推出的组件为在10V栅极驱动时导通电阻为25毫欧的Vishay Siliconix n信道SQ7414EN以及额定导通电阻为65毫欧的p信道SQ7415EN |
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Vishay推出三款新型单线路ESD保护二极管 (2007.11.12)
Vishay宣布推出采用小型塑料SOD923封装的三款新型单线路ESD保护二极管，这些组件面向可擕式电子设备及其他对空间敏感的应用。
VESD03A1C-02Z、VESD05A1C-02Z及VESD12A1C-02Z可在空间受限的应用中提供ESD保护，例如可擕式电子设备，包括可擕式游戏设备、MP3播放器及手机 |
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Vishay推宽泛光强度及独立颜色控制SMD三色LED (2007.11.12)
Vishay推出具有宽泛光强度范围及独立颜色控制的新型多SMD三色LED。VLMRGB343..多SMD三色LED是一种高亮度器件，可针对苛刻的高效应用单独控制红色、绿色及蓝色LED芯片。该器件为黑色表面，可与所有视频标准兼容，其采用占位面积为3.2mm×2.8mm、厚度仅为1.8mm的小型PLCC-4封装，可实现板面空间节约 |
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Vishay推出采SMD功率封装的新型Little Star LED (2007.11.08)
Vishay宣布推出新系列黄色、淡黄色、暖白色及白色1W功率SMD LED。Little Star VLMK71..、VLMY71..、VLMW71..及VLMW711..系列为众多应用提供了低热阻及高光强度。
Vishay新型Little Star LED采用具有6.0mm×6.0mm较小占位面积及1.5mm超薄厚度的SMD功率封装，这些器件是市场上最坚固耐用、光效率最高的产品 |
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VSH推出三款面向OR-ing应用的功率MOSFET (2007.11.08)
Vishay Intertechnology, Inc.(VSH)推出三款面向OR-ing应用的功率MOSFET，这些器件具有三种封装选择，可提供最佳的导通电阻性能，凭借这三款器件，公司将有助于提升固定电信网络的效率 |
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Vishay推出具高敏感度/尺寸比之红外接收器模块 (2007.10.29)
Vishay宣布推出具有业界最高敏感度/尺寸比的新系列表面贴装红外接收器模块。新型TSOP85..系列器件可在红外遥控、数据传输及光障应用中实现远距离操作，主要用于需要超薄、超小型组件的可擕式系统 |
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Vishay推出面向加热应用的PTC热敏电阻 (2007.10.29)
Vishay宣布推出面向加热应用的新系列自调节 PTC（正温度系数）热敏电阻。这些直接加热的PTCHP系列器件已进行了优化，可用作热致动器、杀虫剂与香水喷雾器及小型保温板等家电中的加热组件 |
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Vishay推新型DSMZ超高精度Z箔表面贴装分压器 (2007.10.23)
Vishay宣布推出新型DSMZ超高精度Z箔表面贴装分压器，该器件在0°C～+60°C范围内的TCR低至±0.05ppm/°C，在 −55°C～+125°C范围内低至±0.2ppm/°C，在额定功率时具有5ppm的PCR跟踪（“R，由于自加热”），并且具有±0.01%的匹配容差，以及±0.005%的负载寿命稳定性 |
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Vishay将光耦合器的温度范围扩展到+110ºC (2007.10.15)
Vishay Intertechnology宣布推出采用长形超薄4引脚及5引脚表面贴装SOP-6微型扁平封装的光耦合器，这些封装具有-40ºC～+110ºC的更广泛的新温度范围。TCLT系列光耦合器提供了更大封装时更高的隔离电压，同时也为设计人员提供了板面空间节约 |
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Vishay推出新系列P信道MOSFET (2007.10.11)
Vishay推出新系列P信道MOSFET，这些组件建立了每单位面积最低导通电阻的新记录。基于新一代TrenchFET芯片技术的新型Vishay Siliconix组件采用PowerPAK SC-70封装（2.05 mm×2.05 mm）时最大导通电阻额定值为29毫欧，采用标准SC-70封装（2.0 mm ×2.1 mm）时为80毫欧，采用SC-89封装（1.6 mm×1.6 mm）时为130毫欧 |
倘若供应计算机的电源发生不正常中断或是电流不稳定时，不断电系统UPS（Uninterruptible Power Supply）便担负起暂时紧急供应电源的功能，使计算机不会因停电而被迫流失数据，或者造成系统的毁损。
