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NAND Flash Inside！ (2007.07.09)
为了持续提高NAND Flash的储存容量与密度，东芝（Toshiba）计划一改过去持续挑战半导体制程极限的作法，转而透过3D结构以提高NAND Flash的储存密度。此外，其他内存厂商也都不断开发新技术以取代传统浮动闸极（floating gate）结构之NAND Flash，藉此解决该技术容量极限难以突破的问题 |
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NAND flash is king ! (2007.07.05)
NAND flash is king ! |
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NAND flash is king ! (2007.07.03)
OLPC因为是以成本为前提的设计，所以也是用NAND flash来取代传统硬碟 |
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都是價格考量拉～ (2007.06.28)
都是價格考量拉～ |
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2009年笔记本电脑的SSD使用率将达到12％ (2007.06.27)
固态硬盘（solid state drive；SSD）前景看好，因此各市调机构纷纷提出该市场的未来预测。iSuppli便指出，SSD占有率到2009年底将达到12％。而预计同时使用硬盘和闪存的混合型硬盘占有率将达到35％ |
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SSD的市場來臨? (2007.06.27)
SSD的市場來臨? |
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三星1.8吋64GB混合式硬盘正式进入量产 (2007.06.26)
外电消息报导，三星电子（Samsung）已开始量产1.8吋容量为64GB的混合式硬盘(SSD)，并预计在数月内，该款混合式硬盘便会被使用在UMPC上。
据报导，三星在今年3月便推出了这款产品，直至今日才宣布正式进入量产 |
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分析师：2011年15％的NB使用混合式硬盘 (2007.06.20)
外电消息报导，市场分析机构Gold Associate的分析师日前表示，采用闪存为基础的混合式硬盘（SSD），可能在2011年时，达到15％的笔记本电脑硬盘占有率。
该分析师表示，依照目前的发展状况来看，至2009年时，SSD的价格将不超过200美元 |
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东芝发表三维数组NAND闪存 (2007.06.14)
东芝发表了新一代的NAND闪存技术。据了解，东芝成功研发了不必依赖微细化而能增大NAND闪存容量的储存单元排列技术。在栅极电极膜和绝缘膜交互层迭的结构上，打入贯通上层到下层的小孔，在柱状空隙中填入含杂质的硅 |
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东芝计划提高七成闪存产量 (2007.06.13)
东芝计划提高闪存产量到目前的七成水平。根据日经新闻报导，东芝是预定在2008年6月之前，将目前闪存的产能自三月份的产量，提高至七成。
目前东芝的闪存是在其三重县四日市市的晶圆厂所生产 |
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iSuppli预测：采Flash的可携式播放器将供货大增 (2007.06.11)
美国iSuppli预测，采用闪存的可携式播放器的供货量将从2007年开始大幅增长，2011年将达到2006年的25倍以上。iSuppli将可携播放器定义为配备彩色显示屏，能够播放视频的MP3播放器 |
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东芝率先推出采用SSD硬盘之笔记本电脑 (2007.06.11)
东芝率先使用SSD固态硬盘于笔记本电脑上。据了解，东芝于今年6月5日发表的笔记本计算机Dynabook SS RX1，其八款型号中已有三款配备了使用NAND闪存的固态硬盘（solid state drive；SSD） |
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测试效果不佳 HP拒采用英特尔Turbo Memory技术 (2007.06.05)
外电消息报导，惠普（HP）日前表示，将不会在其Centrino笔记本电脑産品内，使用英特尔（Intel）的Turbo Memory技术。
HP表示，Turbo Memory在其公司的内部测试成果不佳，并没有实际的使用价值，且会限制産品的设计弹性 |
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三星成功开发储存空间可嵌入手机芯片组技术 (2007.06.01)
根据外电消息报导，三星电子（Samsung Electronics）已成功地将4GB的储存空间嵌入于手机芯片组，这项技术将可能使手机的外部储存卡成为历史。
Samsung所推出的这项嵌入式多芯片系统moviMCP，能在一个单元上整合多个储存功能，可不再需求外部的扩展槽，进而可节省手机内部更多的空间 |
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2010年两岸DRAM产量将超越南韩 (2007.05.31)
台湾和中国的DRAM总产量，将在2010年之前超过南韩。根据iSuppli预测，台湾和中国的DRAM厂陆续扩产，相较之下南韩仅有三星电子（Samsung Electronics）和海力士半导体（Hynix Semiconductor）为主要DRAM生产商，且该两厂商未来也会将生产的重心移向NAND闪存 |
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宇瞻发表新一代固态硬盘 访问速度快两倍 (2007.05.30)
宇瞻科技发表其新一代的SATA固态硬盘 -- 2.5吋SAFD （Serial ATA Flash Drive），容量高达128GB，为业界唯一采用单一控制芯片，可充分发挥SATA II接口高速传输效能，支持 SATA II 3Gb/s传输接口规格，其连续访问速度可超越100MB/sec，相较目前市场上其它SATA固态硬盘及SATA传统机械硬盘速度快2倍以上 |
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PQI多样新款内存于Computex 2007同步亮相 (2007.05.30)
2007 Computex Taipei将于2007年6月5日~6月9日于台北世贸展览中心隆重登场，劲永国际（PQI）于世贸一馆D330~435将展出全线产品，完整呈现USB旅行碟、Flash记忆卡、Intelligent Stick智能棒、DRAM模块、DOM及MP3六大产品线，满足来自各国的参观者 |
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旺宏与奇梦达合作进军NAND Flash (2007.05.29)
继不久前英特尔与意法半导体成立闪存公司，旺宏于2007年5月28日表示，将与全球第三大DRAM厂奇梦达（Qimonda）合作进军新世代非挥发性内存（NAND Flash）领域。
2000～2005年，NAND闪存位出货量的年复合成长率达179.6％，是DRAM年复合成长率51.2％的三倍 |
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英特尔与意法半导体成立闪存公司 (2007.05.23)
根据外电消息指出，意法半导体（ST）、英特尔，以及弗朗西斯柯伙伴（Francisco Partners）私募基金公司计划共同成立一家独立闪存芯片公司，生产供移动电话、MP3播放器，以及数字相机使用的闪存芯片 |
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Spansion寻找新蓝海 计划攻占DRAM市场 (2007.05.21)
专门供应NOR闪存供货商Spansion，决定瞄准年度规模高达300亿美元的DRAM市场。NOR市场竞争非常激烈，而且面临强大的价格压力。Spansion计划将该公司专属的MirrorBit技术定位为DRAM的竞争技术，希望藉此打开高阶手机、PDA、通讯话机的市场 |
USB的沿革历史充满曲折，其中各大厂商从本位主义的相互对抗，到尝尽深刻教训后的Wintel合作，能否给予后进有意「彼可取而代之」者一些深思与反省？
