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Spansion与中芯国际签署晶圆代工协议 (2007.10.26)
闪存解决方案供货商Spansion宣布，为加强对中国市场的关注，Spansion已与晶圆代工领域的中芯国际展开合作。Spansion将向中芯国际转移65奈米MirrorBit技术，用于其在中国的300毫米晶圆代工服务 |
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SRAM下一步是生是死？ (2007.10.25)
为何说「SRAM下一步是生是死？」因为SRAM除用在高速网通设备外，最大宗的应用是处理器内的高速缓存。然2007年1月AMD向瑞士ISi（Innovative Silicon Inc.）取得Z-RAM技术的授权，Z-RAM是一种密度比DRAM高、速度比DRAM快的内存 |
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三星推出全球首款30奈米闪存芯片 (2007.10.24)
外电消息报导，三星电子（Samsung）于周二（10/23）宣布，已开发出全球上第一个使用30奈米制程生产的NAND闪存芯片，能大幅提升现今闪存的储存容量，首款生产的芯片容量为64GB |
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非挥发性内存的竞合市场 (2007.10.24)
内存本身就具有通用与中介的性质，所以发展出来的各类内存组件，多能通用于不同系统之间。新一代的内存为了更通用之故，所发展的都是非挥发性的内存，这样才能既做为系统随机存取之用，又能组成各类的储存装置，例如嵌入在便携设备中的储存容量、弹性应用的记忆卡或固态硬盘等 |
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广颖电通推出雾面质感Touch510触动随身碟 (2007.10.19)
国内闪存厂商广颖电通(Silicon Power)，正式推出雾面质感Touch510触动随身碟。雾面质感Touch510触动随身碟拥有沉稳的烤漆设计，容量包含1GB、2GB、4GB与8GB，除此之外，Touch510系列更具备专利弹簧式开关设计，以及专属SmartKit软件，具备文件加密与管理功能 |
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多利吉科技正式在台营运 (2007.10.15)
日本「TDK Corporation」与台湾「劲永国际PQI」正式宣布在台湾共同成立储存媒体公司－多利吉科技股份有限公司（CoreSolid Storage Corporation），双方合资的投资案于十月一日正式完成 |
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SST与系微推出NB子系统─FlashMate (2007.10.09)
超捷(SST)和系微(Insyde)发表共同研发的新技术FlashMate。超捷(Silicon Storage Technology,Inc.;SST)是闪存(Flash Memory)技术开发厂商。系微(Insyde Software Corp)是领先开发UEFI架构下的韧体商 |
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事事都有儲存需求... (2007.10.09)
事事都有儲存需求... |
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FLASH内存战局再起 (2007.10.08)
iPod和iPhone的相继问世，给闪存（Flash Momory）市场铺了一条笔直的康庄大道，再加上固态硬盘（SSD）的增温与影音产品的嵌入式储存应用，更替此一市场挂上了保固延长和销售保证 |
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劲永国际再获「2007国家设计金奖」肯定 (2007.10.01)
第五届台湾设计博览会9月29日在台南县盛大举办，主办单位特别邀请陈水扁总统莅临开幕，经济部长陈瑞隆、台南县长苏焕智及文建会翁金珠皆陪同参与。由于台湾设计博览会每年平均参观人数达30万人次，为设计界的一大盛事 |
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日立使用新技术 将固态硬盘寿命提高100倍 (2007.09.29)
外电消息报导，有消息指称，硬盘制造商日立（Hitachi）已经研发出一种可以解决固态硬盘（solid state drive；SSD）使用寿命不长的读写技术，能将目前的使用寿命提升100倍左右 |
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Spansion任命Tom Eby为CSID部门执行副总裁 (2007.09.29)
Spansion宣布原营销长Tom Eby将接替Sylvia Summers担任公司CSID（Consumer,Set-top Box,and Industrial Division）部门执行副总裁。Sylvia Summers将离开公司，寻求其它个人发展。Eby上任后仍将继续直接对CEO办公室报告 |
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SanDisk于中国首座制造厂正式落成启用 (2007.09.28)
全球快闪记忆卡产品供货商SanDisk宣布，位于中国的首座制造厂正式落成启用。晟碟半导体上海有限公司(SanDisk Semiconductor (Shanghai) Co. Ltd.，简称「SDSS」)位于上海紫竹科学园区，专注封装及测试移动电话及消费性电子装置专用的先进闪存产品，将在SanDisk全球营运方面担当重要角色 |
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供不应求 东芝只能完成70%的闪存订单 (2007.09.27)
外电消息报导，东芝（Toshiba）半导体部门的执行长兼总裁Shozo Saito日前表示，由于市场需求超过产能，因此东芝无法满足所有客户的NAND闪存需求，目前订单已经排到了12月份 |
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三星预测下半年的芯片营收将提高。 (2007.09.26)
外电消息报导，三星电子（Samsung）上周五（9/21）于香港的投资者会议上表示，由于市场需求强烈和成本持续降低等因素，未来三星下半年的芯片业务收入将会提高。
三星电子在投资者关系会议的书面报告上表示，该公司NAND闪存的利润，呈现大幅度的成长，而DRAM内存的利润，也持续稳定的成长中 |
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华邦推出三款W19B系列并列式闪存 (2007.09.26)
华邦电子以自行研发之WinStack 0.13微米制程，推出三款W19B系列的并列式闪存，将闪存应用的涵盖领域除了PC产品之外，扩大拓展至消费性及通讯等3C市场，让整个应用产品市场更加完备；16Mb,32Mb和64Mb并列式闪存 |
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Spansion晶圆厂开始生产MirrorBit闪存 (2007.09.20)
Spansion宣布开始在其位于日本的Spansion 1(SP1)晶圆厂采用MirrorBit技术于300mm晶圆上生产65nm产品，并计划于年底向客户大量供货。为庆祝此一盛事，Spansion特地在SP1厂举行隆重的庆祝活动 |
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Spansion闪存在联发科完成预先验证 (2007.09.19)
Spansion宣布，其MirrorBit NOR闪存已完成在联发科主流手机参考设计平台上的预先验证。在联发科参考设计平台上完成对Spansion 闪存解决方案的预先验证，将使制造商能够将具有成本效率的高性能手机更快地推入中国及其它高速成长市场 |
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Spansion与台积电签署合作协议扩展MirrorBit技术 (2007.09.19)
Spansion与台积电宣布，双方已签署一项合作协议，共同开发MirrorBit技术在40nm及更先进制程下的变异处理技术（Variations）。根据协议，Spansion将利用双方共同开发的MirrorBit变异处理技术来扩展其在新领域的适用性，并由台积电负责制程验证，并随后将此Spansion的先进闪存技术导入量产 |
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海力士成功开发24层NAND Flash堆栈封装技术 (2007.09.13)
海力士半导体（Hynix Semiconductor）成功开发出24层堆栈、每层厚度为25μm的NAND型闪存，总厚度为1.4mm的MCP多芯片封装。这是在目前的MCP产品之中，堆栈层数最多的一次。
海力士是于2007年5月开发出了层迭20层芯片的MCP |
IEEE1394是一种能让计算机与接口设备之间相互链接沟通的共同接口标准。如此迅速有效率的传输速度，便时常应用在连接讯号传输密度高、传输量大的接口设备。
