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英飞凌全新 CoolMOS S7T系列整合温度感测器性能 (2024.01.11)
英飞凌科技（Infineon）推出整合温度感测器的全新 CoolMOS S7T 产品系列，具有出色的导通电阻和高精度嵌入式感测器，能够提高功率电晶体接面温度感测的精度，适用於提高固态继电器（SSR）应用的性能和可靠性 |
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英飞凌推出静态开关用的全新工业级和车规级高压超接面MOSFET (2023.07.31)
在静态开关应用中，电源设计着重於得以降低导通损耗、优化热性能、实现精简轻便的系统设计；英飞凌科技（Infineon）正扩大其CoolMOS S7 系列高压超接面（SJ）MOSFET 的产品阵容因应所需 |
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英飞凌推出新双通道电气隔离EiceDRIVER闸极驱动器IC (2023.05.24)
如今，3.3 kW的开关式电源（SMPS）透过采用图腾柱PFC级中的超接面（SJ矽）功率MOSFET和碳化矽（SiC）功率MOSFET，以及能够满足高压DC-DC功率转换要求的氮化??（GaN）功率开关等最新技术，使得功率密度可以达到100 W/inch3 |
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CGD ICeGaN产品技术经维吉尼亚理工大学研究获验证 (2023.04.10)
无晶圆厂无尘技术半导体公司Cambridge GaN Devices（CGD）使用氮化?? （GaN）开发出多款高能效功率装置，协助打造出更为环保的电子产品；CGD 宣布由学术研究机构维吉尼亚理工大学进行的独立第三方研究表现，CGD 的 ICeGaN氮化??技术较其他氮化??平台更具可靠性及坚固性 |
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英飞凌推出单级返驰式控制器 可电池充电应用实现扩展设计 (2022.12.09)
采用电池供电的电器是业界增长最快的市场区块之一，此类应用需要节能、稳健和高性价比的电池充电方案。为了满足这一需求，英飞凌推出了适用於返驰式拓扑结构的ICC80QSG单级PWM控制器，进一步扩展了英飞凌旗下AC-DC控制器IC的产品阵容 |
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英飞凌推出950 V CoolMOS PFD7系列 大幅提高功率密度 (2022.11.09)
英飞凌推出全新CoolMOS PFD7高压MOSFET系列，为950 V超接面（SJ）技术树立新标竿。全新950 V系列具有出色的效能与易用性，采用整合的快速二极体，确保元件坚固耐用，同时降低了BOM（物料清单）成本 |
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英飞凌推出全新800V和950V AC-DC整合式功率级产品 (2022.09.26)
在提高高压电源的性能、效率和可靠性的同时，也需要减少元件的数量和材料清单（BOM）成本，并降低所需的设计工作量。为了满足这些需求，英飞凌科技股份有限公司推出第五代定频（FF）CoolSET产品组合，旨在提供合适的关键元件，以优化设计 |
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ST发表全新MDmesh MOSFET 提升功率密度与效能 (2022.06.08)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）新推出之STPOWER MDmesh M9和DM9矽基N通道超接面多汲极功率MOSFET电晶体适用於设计资料中心服务器、5G基础建设、平面电视的交换式电源供应器（Switched-Mode Power Supply，SMPS） |
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意法半导体新MDmesh K6 800V STPOWER MOSFET 大幅降低开关功率损耗 (2021.10.28)
意法半导体（STMicroelectronics）新推出之新超接面STPOWER MDmesh K6系列强化了几个关键参数，以降低系统的功率损失。特别适合返驰式拓扑为基础的照明应用，例如LED驱动器、HID灯，或是适用于电源适配器和平板显示器的电源 |
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三星首款MOSFET冰箱变频器 采用英飞凌600V功率产品 (2021.05.27)
英飞凌科技向三星电子供应具有最高能源效率及最低噪音的功率产品。这些功率装置已整合在三星最新款的单门式(RR23A2J3XWX、RR23A2G3WDX)与FDR(对开式：RF18A5101SR)变频式冰箱 |
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英飞凌全新EiceDRIVER X3 Compact系列 快速整合高切换频率应用设计 (2020.12.24)
英飞凌科技针对旗下EiceDRIVER 1ED Compact隔离闸极驱动器系列，推出新一代产品X3 Compact (1ED31xx)系列。此闸极驱动器采用DSO-8 300 mil封装，提供单独的输出选项，并具备主动关断和短路箝制功能 |
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高能效储能系统中多阶拓扑之优势 (2020.12.02)
开关元件的功耗降低可减少散热，较低的谐波内容仅需较少的滤波且 EMI 明显降低。 |
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英飞凌推出650V CoolMOS CFD7A系列 打造汽车应用的超接面MOSFET效能 (2020.05.08)
为满足电动车市场需求，英飞凌科技推出全新CoolMOS CFD7A产品系列。这些矽基高性能产品适用於车载充电器系统的PFC和DC-DC级，以及专为电动汽车应用优化的高低压DC-DC转换器 |
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英飞凌推出低频应用的600V CoolMOS S7超接面MOSFET (2020.03.03)
英飞凌科技股份有限公司成功开发出满足最高效率和品质要求的解决方案，针对MOSFET低频应用推出600V CoolMOS S7系列产品，带来优异的功率密度和能源效率。
CoolMOS S7系列产品的主要特点包括导通性能优化、热阻改善以及高脉冲电流能力，并且具备最高品质标准 |
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英飞凌推出CoolSiC MOSFET 650V系列 进一步降低切换损耗 (2020.02.25)
英飞凌科技持续扩展其全方位的碳化矽(SiC)产品组合，新增650V产品系列。英飞凌新发表的CoolSiC MOSFET能满足广泛应用对於能源效率、功率密度和耐用度不断提升的需求，包括：伺服器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源储存和化成电池、UPS、马达驱动以及电动车充电等 |
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英飞凌CoolSiC 肖特基二极体 1200 V G5 系列增添新封装 (2019.06.19)
英飞凌科技扩充 CoolSiC 肖特基 1200 V G5 二极体系列，新增TO247-2 封装产品，可取代矽二极体并提供更高的效率。扩大的 8.7 mm 沿面与空间距离可为高污染环境提供额外的安全性 |
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英飞凌扩大量产并加速推出CoolSiC MOSFET分离式封装产品组合 (2019.05.17)
英飞凌科技1200 V CoolSiC MOSFET 产品组合进入大量生产阶段。这些产品的额定值从 30 m? 至 350 m? ，并采用 TO247-3 与 TO247-4 封装。另更延伸产品系列，即将推出的新产品包括表面黏着装置 (SMD) 产品组合及 650 V CoolSiC MOSFET 产品系列 |
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意法半导体推出快速恢复的超接面MOSFET (2019.02.14)
意法半导体推出之MDmesh DM6 600V MOSFET具备一个快速恢复二极体，将最新超接面（Super-Junction）技术的性能优势导入全桥和半桥拓朴、零电压切换（Zero-Voltage Switching，ZVS）相移转换器等的拓朴结构里通常需要一个稳定可靠的二极体来处理动态dV/dt的应用 |
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意法半导体超接面MOSFET瞄准节能型功率转换拓朴 (2019.01.16)
意法半导体（ST）新款MDmesh系列600V超接面晶体管是为提高中等功率谐振软开关和硬开关转换器拓朴的效能而设计。针对软开关技术优化的闸极开启电压使新型晶体管适用节能应用中的LLC谐振转换器和升压PFC转换器 |
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EiceDRIVER 搭配 CoolMOS CFD2 可实现优异冷藏效率 (2018.10.25)
本文说明闸极驱动器电路有效设计的基本考量，以及结合运用 EiceDRIVER IC 及 CoolMOS CFD2 所带来的效益。 |
