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Vishay IGBT和MOSFET驱动器拉伸封装可实现紧凑设计、快速开关 (2024.10.24)
Vishay Intertechnology推出两款采用紧凑、高隔离延伸型SO-6封装的新型IGBT和MOSFET驱动器。 Vishay Semiconductors VOFD341A和VOFD343A分别提供3 A和4 A的高峰值输出电流,提供高达 +125 。C的高工作温度和最大200 ns的低传播延迟
TI透过SiC闸极驱动器让电动车行驶里程最大化 (2023.05.16)
德州仪器(TI)推出一款高效、符合功能安全要求的绝缘式闸极驱动器,使工程师能够设计出更有效率的牵引逆变器,将电动车(EV) 的行驶里程最大化。新式强化型绝缘式闸极驱动器 UCC5880-Q1 提供的整合功能使电动车动力系统工程师能够提高功率密度,降低系统设计复杂性和成本,同时实现其安全和性能目标
意法半导体新MDmesh K6 800V STPOWER MOSFET 大幅降低开关功率损耗 (2021.10.28)
意法半导体(STMicroelectronics)新推出之新超接面STPOWER MDmesh K6系列强化了几个关键参数,以降低系统的功率损失。特别适合返驰式拓扑为基础的照明应用,例如LED驱动器、HID灯,或是适用于电源适配器和平板显示器的电源
从原理到实例:详解SiC MOSFET如何提高电源转换效率 (2021.10.12)
本文以Cree/Wolfspeed的第三代SiC MOSFET为例,分析其效率和散热能力方面的优势,并说明如何使用此类元件进行设计。
Littelfuse新增1700 V碳化矽萧特基阻障二极体提供更快和低损耗开关 (2021.08.17)
Littelfuse公司今(17)日宣布扩充其碳化矽(SiC)二极体产品组合,新增1700 V级产品适用于资料中心、建筑物自动化和其他高功率电子应用。 LSIC2SD170Bxx系列碳化矽萧特基二极体采用TO-247-2L封装,可选择额定电流10A、25A或50A
TRENCHSTOP IGBT7:工业驱动器的理想选择 (2020.09.30)
变速驱动器(VSD)相较于以机械节流进行的定速运作,能够节省大量电力。 IGBT7适合需要高效率和功率密度的变速驱动器使用。
直流电源模组的介绍与应用 (2018.07.27)
人类的好奇心驱使对新科技的需求,而一个产品能够成功的推出,除了靠优异的效能与扎实的内在功能性设计之外,产品外观设计又攸关顾客的第一印象。在有限的产品空间中保持效能与增加功能性
搭载整合型MOSFET的最佳化降压稳压器将功率密度提升至新水准 (2018.07.26)
整合是固态电子产品的基础,理想的方案是将所有降压转换器功能整合到一个单一、小型及高能效的元件中,以提供更强大的整体系统优势。
運用數位隔離器技術強化工業馬達控制效能 (2016.05.04)
系統設計人員在傳統上傾向選擇以光耦合器為基礎的解決方案,而數位隔離器則是一種以磁能為基礎的方法,本文著眼於這兩種方案的隔離要求,特別著重以磁能為基礎的隔離,在測量延遲時間所提升的性能
Diodes闸极驱动器可在半桥或全桥组态下开关功率MOSFET与IGBT (2016.03.14)
Diodes公司新推出的DGD21xx系列包括6款半桥式闸极驱动器及6款高/低侧600V闸极驱动器,可在半桥或全桥组态下轻易开关功率MOSFET与IGBT。目标应用包括大型家电的驱动马达、工业自动化系统以及电动自行车和无人驾驶飞机等以电池供电的运载工具
快捷整合式智能功率级模块 带来更高功率密度和提高效率 (2013.11.14)
在下一代服务器以及通讯系统功率输出应用中,在不断缩小电路板可用空间中实现高效率与高功率密度是设计人员面临的两大关键问题。 为了应对这一挑战,快捷半导体公司开发出智能功率级模块 (SPS:Smart Power Stage) 系列— 下一代超紧凑型整合式 MOSFET 外加驱动器功率级解决方案
快捷半导体的智能型闸极驱动光耦合器 (2013.04.09)
在当今的高功率工业应用中,设计人员通常使用离散组件来设计 IGBT 驱动器,这会导致整体设计复杂性更大和系统成本更高。 为了帮助设计者攻克这一难题,快捷半导体公司推出了具有主动米勒钳制(Active Miller Clamp)功能的FOD8318 智能型闸极驱动(Gate Driver)光耦合器
严苛环境下的开关与多工器设计考量 (2012.12.10)
本文介绍把类比开关与多工器设计成使用于严苛环境中之模组时, 工程师要面对的挑战,并针对一般性的解决方案提供建议, 让电路设计者可以用来保护其脆弱的零件
严苛环境下的开关与多任务器设计考虑 (2012.07.20)
本文介绍把模拟开关与多任务器设计成使用于严苛环境中之模块时,工程师要面对的挑战,并针对一般性的解决方案提供建议,让电路设计者可以用来保护其脆弱的零件。
凌力尔特( Linear Technology )日前发表具备单级-隔离式功率因素校正 Off-Line 稳压器不需光隔离器 (2012.07.02)
凌力尔特( Linear Technology )日前发表具备单级
凌力尔特发表新款隔离式反驰控制器 (2011.12.06)
凌力尔特(Linear)近日发表,具备单级主动功率因子校正(PFC)的隔离式反驰控制器LT3798。优于0.97的功率系数可透过主动调变输入电流而达成,不需额外的开关功率级及相关组件
安森美荣获EN-Genius颁发「年度产品」奖 (2008.03.29)
安森美半导体(ON)宣布公司的NUS3116充电和电源开关解决方案因其最简单的可携产品充电方法获得EN-Genius Network颁发的“年度产品”奖。 NUS3116是主开关功率MOSFET和双充电双极结型晶体管(BJT),将主电池开关、墙式充电开关和USB充电开关组件集成到单个组件中,优化充电性能,并节省手持电子设备电路板上弥足珍贵的空间
快捷半导体获2007十大DC-DC产品奖殊荣 (2007.09.17)
快捷半导体(Fairchild Semiconductor)再次荣获《今日电子》杂志的十大 DC-DC 2007产品大奖,获评审小组肯定而胜出的产品是快捷半导体全面优化的集成式12V驱动器加MOSFET功率级解决方案FDMF8700
为现代数位化系统提供动力 (2006.10.05)
当系统变得越来越复杂时,设计者的最大挑战是:如何在应用功能中,为不同的模组/组合单元,设计不同的电源和电压。尤其是针对手持式装置而言,因为电池供电的限制,使得设计工作变得更加错综复杂
快捷半导体推出三款新型智能功率模块 (2006.05.23)
快捷半导体(Fairchild Semiconductor)推出三款新型智能功率模块(SPM),是为3-6kW功率范围马达驱动应用的全程高频开关功率因子校正(PFC)而设计的。每款PFC-SPM器件均在44 x 26.8mm的高热效能封装中整合两个快速恢复二极管、两个整流(freewheeling)二极管、两个IGBT、一个驱动IC、一个分流电阻和一个热敏电阻


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10 Bourns SA2-A系列GDT高浪涌电流等级提升电气性能和浪涌保护

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