 |
异质整合 揭橥半导体未来20年产业蓝图 (2019.10.09)
晶片的设计和制造来到一个新的转折。于是，异质整合的概念，就砰然降临到了半导体的舞台上。它是驱动半导体未来20～30年最重要的发展趋势。 |
|
矢志成为IC设计界的建筑师 (2019.10.03)
再庞大复杂的电路设计，也要从最根本的架构来发想，而且一但架构错了，后面再怎么补，也难竟全功，这是撷发科技的核心商业模式。 |
|
半导体产业换骨妙方 异质整合药到病除 (2019.10.02)
异质整合是助力半导体产业脱胎换骨的灵丹妙药，以结合具备不同材料特性和物理需求的功能区块，打造高整合、低功耗又小巧的的晶片设计。 |
|
逻辑制程演进下之IC制造产业竞争态势 (2013.08.09)
随着2013年的经济景气可望较2012年复苏，半导体市场亦有回苏景象。位居全球领导地位之晶圆制造业者除公布2013年第一季经营状况之外，亦纷纷发表未来的资本支出规划和先进制程提升蓝图 |
 |
采用三闸极3D技术的新一代FPGA (2013.07.07)
2013年2月，Altera和英特尔(Intel)共同宣布新一代Altera的高性能FPGA产品将独家采用英特尔的14奈米3D三闸极晶体管技术。这代表着FPGA也已跨入3D晶体管世代了。
全球领先的半导体公司都不断地针对3D晶体管结构进行优化和可制造性研究 |
|
跨领域结合 台湾高阶医材找机会 (2013.06.21)
当行动装置已经融入人们生活后，消费者已习惯行动装置所带来的便利性，这样的特性不只在消费性电子产业中，也带进医疗设备里，医疗电子产品的趋势正往微型化、可携式、无线连接的方向发展，而资通讯技术在健康照护产业的应用上更是急速的成长中 |
|
高容量内存 可望因3D IC而不再是奢侈品 (2010.06.24)
旺宏电子今日（6/24）发表最新的3D NAND Flash研究成果，其总经理卢志远表示，这颗3D IC与一般讨论的Sip、TSV技术不同，但是能够大幅降低Bit Cost。未来若能步入量产，可以解决高容量内存成本高昂的问题，最高目标希望能与硬盘并驾齐驱，甚至超越硬盘 |
|
从3D IC/TSV 的不同名词看3D IC 技术 （下） (2010.05.05)
目前，3D-IC定义并不相同，有人认为只要将一颗 die 放在一个substrate 上就是 3D integration，这似乎与将Chip 放在PCB上面没有两样，顶多称之为3D Package。 3D-IC与3D 封装(package)不同的是，3D Package 里面的元件是离散的，都是在元件的周边利用bonding wire 相接，但是3D IC 却是一个独立的IC，透过垂直与水平整合来大量提高集积密度 |
 |
诺发发表新一代电浆化学气相沉积制程 (2010.05.05)
诺发系统日前宣布，已在VECTOR PECVD平台上开发出，具有晶圆对晶圆间膜厚变异小于2埃的精密抗反射层薄膜（ARL）。这种新制程采用VECTOR特有的多重平台序列式沉积工艺技术架构（MSSP），以达成沉积的ARL薄膜具有格外均匀的薄膜厚度，折射率（n）和消光系数（K） |
|
从节能省碳谈3D IC (2009.07.03)
CPU节能功率已面临瓶颈，气冷式散热功能也面临极限，SoC散热和漏电流问题亦迫在眉睫，资料中心更是节能省碳的重点。 3D IC降低功耗设计可有效降低RF功耗、明显提升记忆体效能，有助建构绿色资料中心，用3D Stack技术大幅降低伺服器记忆体功耗，3D IC符合节能省碳环保潮流 |
|
3D IC有其他好处吗？ (2009.05.05)
3D IC必须要由电子电路的工程师与封装设计的工程师一起共同工作，藉由垂直与水平整合达到大量提高集积密度的要求。3D IC可进一步减少 ESD 需求、有效提高散热效果、提高良率，并具备可延展性／可规画性／可替换性 |
|
ASM和SAFC签订认证制造厂商与合作协议 (2009.01.16)
ASM International N.V.和 Sigma-Aldrich子公司SAFC旗下的SAFC Hitech宣布针对进阶超介电常数绝缘层(advanced Ultra High-k insulators)之特定原子层沉积(ALD)原料签订认证制造厂商与合作协议。 该协议提供化学原料之认证标准、特定ASM ALD 专利之授权许可，以及针对这些化学原料的营销与进阶开发合作关系 |
|
Qcept非光学可视性缺陷检测系统获Soitec使用 (2008.12.24)
半导体制造业新型晶圆检测系统开发商Qcept（Qcept Technologies Inc.）宣布绝缘层上覆硅（SOI）与其他工程基板的供货商Soitec公司，将采用其ChemetriQ 3000非光学可视性缺陷（NVD）检测系统 |
|
低电压射频接收器前端电路于CMOS制程之挑战与实现 (2008.10.07)
近年来，基于成本及整合的考虑，使用CMOS制程来实现RF IC已渐趋主流。然而，CMOS本身的转导较GaAs或BJT来得低，所以设计上的挑战相对较大，特别是当低电压使用时。本文以CMOS组件作出发点 |
|
Qcept提供晶圆快速在线非光学可视性缺陷侦测 (2008.06.13)
Qcept的ChemetriQ 3000提供整片晶圆的快速在线非光学可视性缺陷(NVDs)侦测，包括了有机、无机、金属污染、制程导致的电荷、水渍或其他的非光学可视性缺陷。NVDs无法以光学检测系统探测，在尖端晶圆厂中，占了所有缺陷的30% |
|
非挥发性内存的竞合市场 (2007.10.24)
内存本身就具有通用与中介的性质，所以发展出来的各类内存组件，多能通用于不同系统之间。新一代的内存为了更通用之故，所发展的都是非挥发性的内存，这样才能既做为系统随机存取之用，又能组成各类的储存装置，例如嵌入在便携设备中的储存容量、弹性应用的记忆卡或固态硬盘等 |
|
统计型时序分析 (2007.08.20)
若IC设计不考虑相关性，而只用一些简单分布的情况做为设计依据，则许多原可利用的margin将浪费掉。为充分利用此一特性，最近在数字IC的时序领域热切提出了一种新的时序分析方法--统计型时序分析(Statistical Timing Analysis-SSTA) |
|
65到45：半导体制程微细化技术再突破 (2006.11.27)
当半导体微细化制程从65奈米迈向45奈米、甚至晶片结构体尺寸将朝向32或是22奈米之际，我们将会面临什么未知的物理性质变化？为了追寻更微小体积、切割更多晶片的商业成本效益 |
|
微电子大都会的建筑师 (2006.11.27)
就像大都会的建筑，依照晶片接合结构来说，SiP大致上可三类：平面结构、堆叠结构以及内藏结构。其晶片可以经由陶瓷、金属导线架、有机基板压合或增层，甚至于矽基板或胶带式软性基板等来承载 |
 |
以全湿式单晶圆清洗方式领导市场 (2006.10.31)
晶圆清洗在半导体制程的多项步骤，包括前段制程与后段制程（BEOL与FEOL）都会出现。对于制程来说，晶圆清洗的重要性取决于减少晶圆前、后两面上粒子与污染物质，还能同时进行湿式表面准备动作的能力 |
