 |
ROHM新款SiC萧特基二极体支援xEV系统高电压需求 (2024.11.14)
半导体制造商ROHM开发出引脚间沿面距离更长、绝缘电阻更高的表面安装型SiC萧特基二极体（SBD）。目前产品阵容中已经有适用於车载充电器（OBC）等车载应用的「SCS2xxxNHR」8款机型 |
|
英飞凌XENSIV PAS CO2 5V感测器提高建筑效能及改善空气品质 (2024.10.11)
在全球的能源消耗和碳排放量当中，建筑占据大部分的比例，为了推动低碳化进程，必须提高建筑的能源效率，而创新的解决方案能够优化能源消耗和维持室内环境的空气品质 |
|
英飞凌针对汽车应用推出最低导通电阻 80 V MOSFET OptiMOS 7 (2024.04.16)
英飞凌科技（Infineon）推出最新先进功率 MOSFET 技术 OptiMOS 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显着提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm2SMD封装 |
|
Littelfuse超小型包覆成型磁簧开关适用於空间受限设计 (2024.02.27)
Littelfuse公司推出59177系列超小型包覆成型磁簧开关，为设计人员提供高度灵活性，满足空间受限的应用需求。凭藉紧凑型设计和低功耗，59177系列磁簧开关为各类高速开关应用提供可靠的解决方案 |
 |
顶部散热MOSFET助提高汽车系统设计的功率密度 (2023.11.20)
本文讨论顶部散热（TSC）作为一种创新的元件封装技术能够如何帮助解决多馀热量的散热问题，从而在更小、更轻的汽车中实现更高的功率密度。 |
|
英飞凌推出静态开关用的全新工业级和车规级高压超接面MOSFET (2023.07.31)
在静态开关应用中，电源设计着重於得以降低导通损耗、优化热性能、实现精简轻便的系统设计；英飞凌科技（Infineon）正扩大其CoolMOS S7 系列高压超接面（SJ）MOSFET 的产品阵容因应所需 |
|
明纬推出1A/12A超小尺寸SMD封装非隔离DC-DC稳压器系列新品 (2022.08.15)
明纬企业推出SPOL-01/12 系列新品，此为1Amp 及 12 Amp 非隔离式可程编负载点DC-DC 转换器，采用 SMD 封装，适合於合嵌入式表面贴装。其主要特点包括尺寸超小、3~14.4Vdc宽输入范围和透过外加电阻可调输出电压0.6~5.5 Vdc、宽工作温度摄氏-40~+90度、遥控ON/OFF功能和短路保护，适用於中间汇流排架构，例如工业、分散式电源、电信和资料通信应用 |
|
英飞凌CoolSiC助力台达双向逆变器 化EV为家庭紧急备用电源 (2022.08.03)
英飞凌科技股份有限公司宣布旗下CoolSiC产品获得全球领先的电力与能源管理解决方案供应商台达电子（Delta Electronics）选用，助力台达朝向利用绿色电力实现能源转型与碳中和的目标迈出了一大步 |
|
聚焦医疗照护应用 英飞凌发布多款感测器方案 (2022.04.13)
英飞凌(Infineon)今日发表了一系列的先进感测器产品，包含毫米波雷达（mmWave Radar）感测、ToF感测和二氧化碳感测等，并聚焦目前正快速成长的医疗照护应用领域，如智慧手表、手环、眼镜等 |
|
英飞凌推新款混合返驰式控制器 支援USB PD快充与适配器成长 (2021.05.18)
快速充电器和适配器的技术和市场迅速发展，持续对电源系统的设计带来挑战。为满足对更高功率密度和能源效率的需求，英飞凌科技旗下XDP系列推出首款非对称半桥返驰式拓扑结构的特定应用标准产品 |
|
英飞凌全新CoolSiC MOSFET 实现无需冷却风扇的伺服驱动方案 (2020.11.16)
英飞凌科技支援机器人与自动化产业实作免维护的马达变频器，今日宣布推出采用最隹化D2PAK-7 SMD封装、搭载.XT互连技术的全新1200V CoolSiC MOSFET，可实现被动冷却。相较於矽基解决方案，其损耗可降低达80%，因此不再需要冷却风扇与相关服务 |
|
英飞凌推出新款1700V CoolSiC MOSFET 采用高压SMD封装 (2020.06.08)
继今年稍早推出的650V产品後，英飞凌科技扩充旗下CoolSiC MOSFET系列电压等级，现在更新添具专属沟槽式半导体技术的1700V电压等级产品。新款1700V表面黏着装置(SMD)产品充分发挥了碳化矽(SiC)强大的物理特性，提供优异的可靠性和低切换及导通损耗 |
|
英飞??推出分离式CoolSiC MOSFET模组化评估平台 助碳化矽成为主流 (2020.05.25)
双脉冲测试是设计人员要了解功率装置切换特性的标准程序。为方便测试1200V CoolSiC MOSFET采用TO247 3针脚和4针脚封装的驱动选项，英飞凌科技推出模组化评估平台，其核心包含一个主板与可互换的驱动器卡板，驱动器选项包括米勒钳制和双极供电卡；其他版本将於近期内推出 |
|
英飞凌推出650V CoolMOS CFD7A系列 打造汽车应用的超接面MOSFET效能 (2020.05.08)
为满足电动车市场需求，英飞凌科技推出全新CoolMOS CFD7A产品系列。这些矽基高性能产品适用於车载充电器系统的PFC和DC-DC级，以及专为电动汽车应用优化的高低压DC-DC转换器 |
|
英飞凌CoolSiC肖特基二极体系列新增D2PAK正2引脚封装 (2020.04.06)
英飞凌科技扩展其CoolSiC肖特基二极体1200V产品组合，新推出六款采用D2PAK正2引脚封装的产品。新产品采用SMD封装，助力打造体积更精简，更符合成本效益的设计。此外，新款D2PAK 2引脚封装移除了中间的引脚，爬电距离达到4.7mm，间距达到4.4mm |
|
英飞凌推出低频应用的600V CoolMOS S7超接面MOSFET (2020.03.03)
英飞凌科技股份有限公司成功开发出满足最高效率和品质要求的解决方案，针对MOSFET低频应用推出600V CoolMOS S7系列产品，带来优异的功率密度和能源效率。
CoolMOS S7系列产品的主要特点包括导通性能优化、热阻改善以及高脉冲电流能力，并且具备最高品质标准 |
|
明纬SMT01系列 1W SMD型式宽压输入稳压输出DC/DC转换器 (2019.08.05)
有鉴於持续提升明纬DC/DC转换器产品线完整性，明纬继推出SMD型式1W±10%窄压输入非稳压的低价DC/DC转换器SBTN/SFTN01系列後，推出了1W 2:1宽压输入稳压单组输出SMT01系列。
SMT01主要是专为电源系统中安装於PCB板上做为隔离干扰、电压转换等功能而设计 |
|
英飞凌在台发表氮化??功率元件新品 抢占GaN市场龙头 (2018.12.04)
英飞凌（Infineon）今日在台北举行氮化??（GaN）方案CoolGaN新品发表会，宣布推出新一代GoolGaN 600 V增强型HEMT方案，以及专为其氮化??晶片所设计的驱动IC EiceDRIVER产品，能为电源产品带来更隹的电源效率与功率密度，同时也能缩小装置的体积，并进一步降低整体的设计成本 |
|
英飞凌氮化?? (GaN) 解决方案进入量产 (2018.11.16)
英飞凌科技股份有限公司携氮化??（GaN）解决方案CoolGaN? 600 V增强型HEMT和 氮化??驱动IC EiceDRIVER?，精彩亮相2018年德国慕尼黑电子展。
英飞凌展示了其产品优势：它们具备更高功率密度，可实现更加小巧、轻盈的设计，从而降低系统总成本和营运成本，减少资本支出 |
|
英飞凌推出Double DPAK 首款高功率应用之顶层散热 SMD (2018.07.03)
英飞凌科技股份有限公司推出首款Double DPAK (DDPAK) 顶层散热 SMD 封装，满足如伺服器、电信、太阳能，以及高阶 PC 电源等高功率应用之要求。此全新封装方案能以更小的体积和重量提供快速切换与高效率，将整体拥有成本降至最低 |
