 |
EPC新推EPC9186马达控制逆变器 实现更长续航里程 (2023.05.11)
宜普电源转换公司（EPC）新推EPC9186，这是一款采用EPC2302 eGaN FET的三相BLDC马达控制逆?器。EPC9186支持14 V~ 80 V的输入直流电压。大功率EPC9186支持电动滑板车、小型电动汽车、农业机械、叉车和大功率无人机等应用 |
|
EPC推出ePower功率级积体电路 实现更高功率密度和简化设计 (2022.08.11)
宜普电源转换公司（EPC）推出ePower功率级积体电路，它整合了整个半桥功率级，可在1 MHz工作时实现高达35 A的输出电流，为高功率密度应用提供更高的性能和更小型化的解决方案，包括DC/DC转换、马达控制和D类音频放大器等应用 |
|
EPC推出高功率密度100V抗辐射电晶体 满足严格航太应用 (2022.07.05)
EPC推出100V、7mΩ、160 APulsed的抗辐射GaN FET EPC7004。尺寸小至6.56 mm2，其总剂量等级大於1 Mrad，线性能量转移的单一事件效应抗扰度为85 MeV/(mg/cm2)。EPC7004与EPC7014、EPC7007、EPC7019和EPC7018元件都是采用晶片级封装，这与其他商用的氮化??场效应电晶体（eGaN FET）和IC相同 |
|
EPC推出基于氮化镓元件的12 V/48 V、500 W升压转换器演示板 (2022.01.06)
宜普电源转换公司（EPC）推出12 V输入、48 V输出、500 W的DC/DC演示板（EPC9166），展示瑞萨电子(Renesas)的ISL81807 80 V两相同步GaN升压控制器和宜普公司最新一代EPC2218 eGaN FET，在开关频率为500 kHz的12 V输入到48 V稳压输出转换中，效率超过96.5% |
|
EPC推出40 V eGaN FET 因应高功率密度电讯、网通和运算解?方案 (2021.11.01)
EPC推出了40 V、1.3 m?的氮化镓场效应电晶体 （eGaN FET），元件型号?EPC2067，专?设计人员而设。 EPC2067比MOSFET更小、更高效、更可靠，适用于高性能且空间受限的应用。
宜普电源转换公司（EPC）是增?型矽基氮化镓功率电晶体和积体电路的全球领导者 |
|
EPC新推80 V和200 V eGaN FET (2021.06.17)
宜普电源转换公司（EPC）推出新一代氮化镓场效应电晶体(eGaN FET)产品--EPC2065 和 EPC2054。 EPC2065是一款 80 V、3.6微欧姆的氮化镓场效应电晶体，可提供221 A?冲电流，其晶片级封装的尺寸?7.1 mm2，让整体电源系统的尺寸更小和更轻，并且成?电动出行、电动自行车和踏板车，服务、交付、物流机器人和无人机的32V/48V BLDC电机驱动应用的适用元件 |
|
EPC与无线电能技术创新者携手引领5G及其他新应用的发展 (2018.10.30)
工研院於今(30)日举办「无线电能传输（WPT）结合5G新应用研讨会」，邀请来自AirFuel无线充电联盟、宜普电源转换公司（EPC）、jjPLUS 和 IHS Markit 的业界领袖进行专家演讲。
该研讨会得到台湾经济事务主管部门技术处的工业技术部门、中兴大学电子工程与电脑科学学院和台湾电磁产学联盟的支持 |
|
EPC基於eGaN的非隔离稳压式转换器开发板 (2018.07.10)
宜普电源转换公司(EPC)的EPC9130开发板是一款48V转换至12V的非隔离稳压式开发板、具用五个相位、每相具12A、最大输出电流为60安培，开发板的输出功率可以超过700W。该板具超高功率密度（每立方英寸大於1250W），其效率高於96% |
|
EPC公司於PCIM Asia 2018 探讨无线电源及雷射雷达技术 (2018.06.25)
宜普电源转换公司（EPC）於中国上海与功率管理工程师会面，并讨论关於针对大於30 W功率高度谐振无线功率接收器、内建同步整流FET的E类整流器；及采用eGaN FET、120 A、少於10纳秒脉冲及占板面积小於3平方厘米的千瓦级雷射驱动器 |
|
[COMPUTEX]jjPLUS与EPC於InnoVEX演示大面积并多设备无线供电 (2018.06.06)
捷隹科技股份有限公司(jjPLUS)将於台北国际电脑展的InnoVEX 2018新创特展，展示新一代磁共振无线电源传输（WPT）技术。
作为jjPLUS公司的技术合作夥伴EPC公司在6月6日至8日携手叁展，於TWTC的3号馆、展览摊位G0309a与工程师会面 |
|
宜普於CES 2018展示 GaN大面积无线电源及高解析雷射雷达 (2017.12.16)
EPC公司将於2018年1月9日至12日在美国拉斯维加斯举行的国际消费电子展（CES 2018）展示eGaN技术如何实现两种改变业界游戏规则的消费电子应用 --分别是无线充电及自动驾驶汽车的雷射雷达应用 |
|
宜普电源推出高频单片式氮化镓半桥功率电晶体 (2017.06.12)
宜普电源推出高频单片式氮化镓半桥功率电晶体
EPC2111氮化镓半桥功率电晶体?明系统设计师实现具高效率的负载点系统应用，在14 A、12 V转至1.8 V、5 MHz开关时实现超过85%效率，及在10 MHz开关时实现超过80%效率 |
|
Tektronix 提出隔离量测标准 (2017.05.24)
Tektronix 提出隔离量测标准
Tektronix 提出隔离量测标准
IsoVu 量测系统在 APEC 2016 展会上首次亮相时即获得广泛的好评。 Panasonic Semiconductor Solutions 的Daijiro Arisawa表示：「市场上显然需要一种新的探棒技术，使我们能够对高端电压进行直接量测 |
|
EPC eGaN技术在性能及成本上实现质的飞跃 (2017.03.17)
全球增?型氮化镓电晶体厂商、致力于开发创新的矽基功率场效应电晶体（eGaN FET）及积体电路的宜普电源转换公司（EPC）推出全新的EPC2045（7微欧姆、100 V）及EPC2047（10 微欧姆、200 V）电晶体，在提升产品性能的同时也可以降低成本 |
|
CES 2017:宜普电源展示基于eGaN技术的多元化应用 (2017.01.04)
宜普电源转换公司（EPC）将于国际消费电子展(CES 2017)展示氮化镓（GaN）技术是众多最新应用的主要技术，包括自动驾驶车、不使用电源线的未来家居、联网汽车及于药丸内的微型X光系统以非侵入式方法进行结肠镜检查等应用 |
 |
宜普电源推出全新增?型氮化镓功率电晶体 (2015.08.27)
宜普电源（EPC）推出EPC2039功率电晶体。该产品是一种具备高功率密度的增?型氮化镓（eGaN）功率电晶体，其尺寸只是1.82mm2、80 VDS、6.8 A及在闸极上施加5 V电压时的最大阻抗? 22 微欧姆 |
|
宜普演示板采用氮化镓场效应晶体管实现音频高效 (2015.02.06)
宜普电源转换公司（EPC）推出新款采用具备高频开关性能的氮化镓功率晶体管的D类音频放大器参考设计（EPC9106）采用 Bridge-Tied-Load（BTL）设计，包含四个接地的半桥输出功率级电路，使得设计可以升级及扩展 |
|
宜普电源推出单片式氮化镓半桥功率晶体管 (2015.01.23)
宜普电源转换公司（EPC）推出EPC2102(60 V)及EPC2103（80 V）增强型单片式氮化镓半桥元件。可推动48 V转12 V降压转换器在20 A输出电流下实现超过97%的系统效率。在于透过整合两个eGaN功率场效应电晶体而成为单个元件可以除去印刷电路板上元件之间的相连电感及空隙，使电晶体的占板面积减少50% |
|
宜普电源推出450 V增强型氮化镓功率晶体管 (2015.01.15)
具备４奈秒上升时间特性的450 V氮化镓场效应功率晶体管(eGaN FET)并适合于高频直流-直流转换器及医疗诊断仪器的应用。
宜普电源（EPC）推出450 V并通常处于关断状态的增?型功率晶体管（EPC2027），可用于需要高频开关的应用，从而实现更高的效率及功率密度 |
|
宜普电源推出单片半桥式氮化镓功率晶体管 (2014.12.09)
为了协助功率系统设计增加效率与功率密度，宜普电源转换公司（EPC）推出60 V单片半桥式氮化镓功率晶体管-- EPC2101。透过整合两个eGaN功率场效应晶体管而成?单个组件，可以除去互连电感及电路板上组件之间所需的空隙，使得晶体管的占板面积?少50% |
