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东芝推出最新一代650V SiC SBD可提高工业设备效率 (2023.07.13)
东芝（Toshiba）推出TRSxxx65H系列碳化矽（SiC）萧特基二极体（SBD），这是该公司第三代也是最新一代SiC SBD晶片，用於工业设备开关电源、电动汽车充电站、光伏逆变器为应用领域 |
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ROHM SiC MOSFET/SiC SBD结合Apex Microtechnology模组提升工控设备功率 (2023.03.31)
电源和马达占全世界用电量的一大半，为实现无碳社会，如何提高其效率已成为全球性的社会问题，而功率元件是提高效率的关键。ROHM的SiC MOSFET和SiC萧特基二极体（简称SiC SBD）已被成功应用於大功率类比模组制造商Apex Microtechnology的功率模组系列产品 |
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ROHM SiC SBD成功应用於Murata Power Solutions D1U系列 (2023.03.15)
ROHM（总公司：日本京都市）开发的第3代SiC萧特基二极体（以下简称 SBD）已成功应用於Murata Power Solutions的产品上。Murata Power Solutions是擅长电子元件、电池、电源领域的日本着名制造商村田制作所集团旗下的企业 |
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Diodes推出碳化矽萧特基势垒二极体 提高效率和高温可靠性 (2023.02.08)
Diodes公司今日宣布推出首款碳化矽（SiC）萧特基势垒二极体（SBD）。产品组合包含DIODES DSCxxA065系列，共有十一项650V额定电压（4A、6A、8A和10A）的产品，以及DIODES DSCxx120系列，共有八款1200V额定电压（2A、5A和10A）产品 |
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Microchip推出3.3 kV SiC MOSFET和SBD 实现高性能与可靠性 (2022.03.23)
Microchip Technology Inc.今日宣布扩大其碳化矽产品组合，推出业界最低导通电阻RDS（on）3.3 kV碳化矽MOSFET和市场上最高额定电流的碳化矽SBD，让设计人员可以充分利用其耐固性、可靠性和性能 |
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ROHM内建SiC二极体IGBT（Hybrid IGBT）「RGWxx65C系列」 损耗减少67% (2021.07.13)
半导体制造商ROHM开发出650V耐压、内建SiC萧特基二极体的IGBT（Hybrid IGBT）「RGWxx65C系列」（RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR），且均符合汽车电子产品可靠性标准「AEC-Q101」 |
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扩大SiC功率元件产能 ROHM Apollo环保新厂房完工 (2021.01.13)
面对全球的能源短缺问题，节能将是开发未来电子元件的重要考量，尤其在电动汽车与工业4.0领域，SiC SBD与SiC MOSFET等SiC功率元件，很有可能成为电动车和工业装置的关键元件 |
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Microchip推出最新汽车用700和1200V碳化矽萧特基二极体 (2020.10.29)
汽车电气化浪潮正席卷全球，电动汽车搭载的马达、车载充电器和DC/DC转换器等高压汽车系统都需要碳化矽（SiC）等创新电源技术。Microchip今日宣布推出最新通过认证的700和1200V碳化矽（SiC）萧特基二极体（SBD）功率元件，为电动汽车（EV）系统设计人员提供了符合严苛汽车品质标准的解决方案，同时支援丰富的电压、电流和封装选项 |
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Toshiba Launches 1200V Silicon Carbide MOSFET That Contributes to High-efficiency Power Supply (2020.10.19)
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation has launched “TW070J120B,” a 1200V silicon carbide (SiC) MOSFET for industrial applications that include large capacity power supply. Shipments start today.
The power MOSFET using the SiC, a new material, achieves high voltage resistance, high-speed switching, and low On-resistance compared to conventional silicon (Si) MOSFET, IGBT products |
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Microchip推出低电感SiC功率模组与可程式设计栅极驱动器套件 (2020.09.01)
从火车、有轨电车和无轨电车，到公共汽车、小汽车和电动汽车充电桩，全球交通电气化转型仍在加速，各国纷纷采用效率更高、技术更创新的交通方式。Microchip今天宣布推出AgileSwitch数位可程式设计栅极驱动器和SP6LI SiC功率模组套件 |
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Microchip扩展碳化矽电源晶片产品线 提升能源效率、尺寸和可靠性 (2020.03.17)
业界希??基於碳化矽（SiC）的系统能大幅提升效率、减小尺寸和重量，协助工程师研发创新的电源解决方案；这一需求正在持续、快速地增长。SiC技术的应用场景包括电动汽车、充电站、智慧电网、工业电力系统、飞机电力系统等 |
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Microchip宣布推出全新碳化矽（SiC）产品 (2019.05.16)
Microchip Technology Inc. 透过其子公司Microsemi（美高森美）宣布推出一系列SiC功率元件。该系列元件具有良好的耐用性，以及宽能隙(wide-bandgap)半导体技术优势。它们将与Microchip各类微控制器和类比解决方案形成产品的互补优势，加入Microchip不断壮大的SiC产品组合，满足了电动汽车和其它大功率应用领域迅速发展的市场需求 |
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ROHM推出1700V全SiC功率模组「BSM250D17P2E004」 在高温高湿环境下实现可靠性 (2018.12.05)
半导体制造商ROHM（总公司：日本国京都市）针对以户外发电系统和充放电测试仪等评估装置为首的工业装置用电源逆变器(Inverter)和转换器(Converter)，研发出实现可靠性的保证额定值1700V 250A的全SiC功率模组「BSM250D17P2E004」 |
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看准SiC低耗能、高效率 罗姆将其用于赛车逆变器 (2018.10.04)
罗姆于碳化矽制程以有18年的经验，除了常见的将碳化矽元件使用于新能源及电动车上之外，罗姆于2016年也与Venturi Formula E团队合作，将SiC功率元件使用于赛车的逆变器中 |
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马达控制技术趋势 (2018.05.31)
马达控制IC的应用范围越来越广，不论是在工厂或是居家用品，都能看见它的身影，整合度高、驱动能力强为近年的设计要点。 |
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美高森美下一代1200 V SiC MOSFET样品和700 V SBD (2018.05.29)
美高森美公司 (Microsemi Corporation) 宣布在下季初扩大其碳化矽(SiC) MOSFET和SiC二极体产品组合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的样品，及下一代700 V、50 A 萧特基势垒二极体(SBD)和相应的裸晶片 |
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ROHM於福冈增建新厂房 扩大SiC功率元件产能 (2018.04.19)
半导体制造商ROHM决定在ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福冈县）的筑後工厂增建新厂房，以因应日渐升高的SiC功率元件生产需求。
该新厂房为地上3层建筑，总建筑面积约11,000平方米 |
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美高森美瞄准工业和汽车市场推出新型SiC MOSFET和SiC SBD (2018.03.01)
美高森美公司(Microsemi Corporation)宣布提供下一代1200V 碳化矽(SiC) MOSFET系列的首款产品 40 mOhm MSC040SMA120B器件，以及与之配合的1200 V SiC萧特基阻障二极体(SBD)，进一步扩大旗下日益增长的 SiC 离散器件和模组产品组合 |
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「Formula E 电动方程式赛车」使用ROHM全SiC功率模组 (2017.12.03)
ROHM於12月2日开幕的世界最高等级电动车赛事「FIA Formula E 电动方程式赛车2017-2018（第4季）」中，再次提供全SiC（碳化矽）功率模组予合作夥伴VENTURI车队，让车辆的性能取得更好的表现 |
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电源需求方兴未艾 罗姆打造全方位电源方案 (2017.11.16)
从物联网、无线充电到电动车，
各领域市场对於电源供应的需求呈现多元与复杂化，
而罗姆也以自家技术，打造全方位电源方案来应战。 |
