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为嵌入式系统注入澎湃动力 开启高效能新纪元 (2024.10.07)
嵌入式系统正变得越来越复杂，对高效能、高精度和安全性的需求也日益增加。为应对这些挑战，Microchip Technology 不久前也推出全新dsPIC33A系列数位讯号控制器（DSC），以满足嵌入式系统日益增长的复杂性和高效能要求 |
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Diodes推出首款极小DSN1406 2A 封装的肖特基整流器 (2024.03.21)
Diodes 公司发布特基整流器系列，包括SDT2U30CP3 (30V/2A)、SDT2U40CP3 (40V/2A) 和 SDT2U60CP3 (60V/2A) ，在同级产品中实现了极高的电流密度，以低顺向压降和热阻的特性，为体积更小且更有效率的可携式、行动和穿戴式设备克服了设计难题 |
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Transphorm与伟诠电子合作开发氮化??系统级封装元件 (2023.12.28)
Transphorm与Weltrend Semiconductor（伟诠电子）合作推出100瓦USB-C PD电源适配器叁考设计。该叁考设计电路采用两家公司合作开发的系统级封装（SiP）SuperGaN电源控制晶片WT7162RHUG24A，在准谐振反激式（QRF）拓扑中可实现92.2%的效率 |
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爱德万测试瞄准NAND Flash/NVM市场 推出记忆体测试产品生力军 (2023.12.19)
爱德万测试 (Advantest Corporation)宣布旗下记忆体测试产品线再添三大生力军。新产品瞄准NAND Flash和非挥发性记忆体 (NVM) 元件而设计，这类元件往往承受须压低测试成本及测试区的总持有成本 (COO) 的庞大压力 |
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Transphorm新款TOLT封装形式的SuperGaN FET提供更灵活的热管理 (2023.11.29)
Transphorm继近期推出三款新型TOLL FET後，推出一款TOLT封装形式的SuperGaN FET，新品TP65H070G4RS电晶体的导通电阻为72毫欧，为采用JEDEC标准（MO-332）TOLT封装的顶部散热型表面贴装氮化??元件 |
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Transphorm新三款TOLL封装SuperGaN FET 支援高功率能耗AI应用 (2023.11.07)
全球氮化??（GaN）功率半导体供应商Transphorm公司近日推出三款TOLL封装的SuperGaN FET，导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准，可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代元件 |
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ST推出射频整合被动元件 全面提升STM32WL MCU性能 (2023.03.28)
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）推出九款针对STM32WL无线微控制器（MCU）优化的射频整合被动元件（RF IPD，RF Integrated Passive Device）。新产品整合天线阻抗配对、巴伦和谐波滤波电路 |
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TI透过抗辐射和耐辐射塑胶封装技术 扩展航太级产品组合 (2022.11.29)
德州仪器 （TI） 宣布扩大航太级类比半导体产品组合，推出采用高度可靠的塑胶封装产品，并适用於各种太空任务。TI 开发一种被称为太空等级塑胶 （SHP） 的新装元件筛检规范，其可适用於抗辐射产品，并推出符合 SHP 认证的新型类比转数位转换器 （ADC） |
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英飞凌推出950 V CoolMOS PFD7系列 大幅提高功率密度 (2022.11.09)
英飞凌推出全新CoolMOS PFD7高压MOSFET系列，为950 V超接面（SJ）技术树立新标竿。全新950 V系列具有出色的效能与易用性，采用整合的快速二极体，确保元件坚固耐用，同时降低了BOM（物料清单）成本 |
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Littelfuse推出全新TVS二极体系列 提供高可靠性及电压保护 (2022.11.03)
Littelfuse公司宣布推出全新5.0SMDJxxS-HRA TVS二极体系列。这些高可靠性TVS二极体经过精心设计、制造和筛选，提供强大的过电压保护功能，初期故障率更低，并且在连续浪涌事件中达到零衰减 |
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认识线性功率MOSFET (2022.10.18)
本文针对MOSFET的运作模式，元件方案，以及其应用范例进行说明，剖析标准MOSFET的基本原理、应用优势，与方案选择的应用思考。 |
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西门子与联华电子合作开发3D IC hybrid-bonding流程 (2022.09.30)
西门子数位化工业软体近日与联华电子（UMC）合作，为联华电子的晶圆对晶圆堆叠（wafer-on-wafer）及晶片对晶圆堆叠（chip-on-wafer）技术提供新的多晶片 3D IC 规划、组装验证，以及寄生叁数萃取（PEX）工作流程 |
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EPC推出高功率密度100V抗辐射电晶体 满足严格航太应用 (2022.07.05)
EPC推出100V、7mΩ、160 APulsed的抗辐射GaN FET EPC7004。尺寸小至6.56 mm2，其总剂量等级大於1 Mrad，线性能量转移的单一事件效应抗扰度为85 MeV/(mg/cm2)。EPC7004与EPC7014、EPC7007、EPC7019和EPC7018元件都是采用晶片级封装，这与其他商用的氮化??场效应电晶体（eGaN FET）和IC相同 |
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ST推出成本敏感的新太空卫星应用经济型辐射硬化晶片 (2022.03.29)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）简化新一代小型低轨道（Low-Earth Orbit，LEO）卫星的设计和量产。低成本又可靠的低轨道卫星可以从低地球轨道提供地球观测和宽频网路等服务 |
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中央大学携手是德 建立第三代半导体研发暨测试开放实验室 (2021.09.28)
是德科技（Keysight）携手国立中央大学光电科学研究中心（National Central University Optical Sciences Center），共同合作提高了GaN、SiC应用研发及测试验证之效率，并加速5G基建及电动车创新之步伐 |
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导入低温焊接LTS制程 宜特助客户降低封装Warpage变形量 (2021.07.27)
有鉴于近期异质整合晶片上板后的翘曲状况频率提升，导致后续可靠度因空冷焊而造成早夭现象，为协助客户克服此一品质问题，宜特今宣布，导入低温焊接LTS制程(Low Temperature Soldering |
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爱德万测试针对高速扫描与软体功能性测试开发创新方法 (2021.07.02)
爱德万测试 (Advantest Corporation) 针对次世代解决方案进行先导测试，运用先进IC现有之高速串列I/O介面，在V93000平台同时执行高速扫描测试与软体驱动功能元件测试。此全新方法能使在新的测试架构上的扫描测试结果与既有的方式相互吻合、同时能启动且执行晶载测试软体 |
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Mentor高密度先进封装方案 通过三星Foundry封装制程认证 (2020.12.01)
Mentor, a Siemens business宣布其高密度先进封装（HDAP）流程已获得三星Foundry的MDI（多晶粒整合）封装制程认证。Mentor和西门子Simcenter软体团队与三星Foundry密切合作，开发了原型制作、建置、验证和分析的叁考流程，提供先进多晶粒封装的完备解决方案 |
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意法半导体推出薄型表面黏着包装肖特基二极体提升功率密度和效能 (2020.08.24)
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）新推出26款采用薄型SMA和SMB扁平封装、额定电压25-200V、额定电流1-5A的肖特基二极体。
此款二极体的厚度1.0mm，相较标准SMA和SMB封装产品薄50％，让设计人员能够在提升功率密度的同时节省空间 |
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意法半导体推出高整合度电源管理IC 满足高整合系统的复杂功率需求 (2019.12.23)
横跨多重电子应用领域半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics；ST）推出STPMIC1电源管理晶片（Power-Management IC；PMIC），其整合四个DC/DC降压转换器、一个DC/DC升压转换器和六个低压降稳压器（Low-Dropout Regulator；LDO），可满足应用处理器之高整合系统的复杂功率需求 |
