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安森美推出TOLL封装SiC MOSFET小尺寸封装高性能低损耗 (2022.05.11)
安森美（onsemi）， 在PCIM Europe展会发布全球首款To-Leadless（TOLL）封装的碳化矽（SiC）MOSFET。该电晶体满足了对适合高功率密度设计的高性能开关元件迅速增长的需求。直到最近，SiC元件一直采用明显需要更大空间的D2PAK 7接脚封装 |
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UnitedSiC推出最小导通电阻6mΩ SiC FET 耗损仅竞品的一半 (2021.09.14)
碳化矽（SiC）功率元件的应用正快速且广泛的成长中，尤其是电动车相关的市场，而SiC元件的性能优劣也成为供应商的决胜点。而专注于碳化矽元件技术开发的美商UnitedSiC（联合碳化矽），今日推出了一款业界最佳的750V SiC FET产品，该元件的导通电阻（RDS on）仅有6mΩ，仅有竞争对手SiC MOSFET产品的一半，并提供了5μs额定短路耐受时间 |
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EiceDRIVER 搭配 CoolMOS CFD2 可实现优异冷藏效率 (2018.10.25)
本文说明闸极驱动器电路有效设计的基本考量，以及结合运用 EiceDRIVER IC 及 CoolMOS CFD2 所带来的效益。 |
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Nexperia推出尺寸减小80%的汽车用功率MOSFET封装 (2017.03.17)
Nexperia前身为恩智浦(NXP)的标准产品部门，该公司推出采用新型LFPAK33热增强型无损耗封装的汽车用功率MOSFET，与业界标准元件相比，尺寸减小80%以上。如今的汽车产业要求在减小汽车内模组尺寸的同时，持续提高能源效率和可靠性，而LFPAK33元件具备显著降低的电阻，可有效因应这一日益增加的产业压力 |
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MOSFET封装进步 帮助提供超前芯片组线路图的行动功能 (2013.11.29)
面临为需求若渴的行动装置市场提供新功能压力的设计人员，正在充分利用全新次芯片级封装(sub-CSP)技术的优势，使用标准IC来构建领先于芯片组路线图的新设计。 |
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深入解析新型Power Clip 33 Dual MOSFET (2013.10.07)
若干因素（包括矽材料的选择、IC 布局、功率电路组态）推动 Dual Power MOSET 的发展，使其在更小封装内实现更高功率密度。 |
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快捷半导体 20V 单一 P 信道 PowerTrench® MOSFET (2012.08.10)
为了帮助手机及其他可携式应用设计人员改善电池充电和负载开关， 快捷半导体公司(Fairchild Semiconductor)扩大其 P 信道 PowerTrench® MOSFET 产品线。
FDMA910PZ 和 FDME910PZT 具备 MicroFET™ MOSFET 封装，并提供以他们的尺寸大小（2 X 2 mm 和 1.6 X 1.6 mm）而言，卓越的散热性能，令他们完全匹配开关和线性模式应用 |
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Fairchild与Infineon达成创新型汽车MOSFET无铅封装技术许可协议 (2012.04.20)
快捷半导体(Fairchild)和英飞凌科技(Infineon)日前宣布已就英飞凌的H-PSOF (附散热片之小形扁平接脚塑料封装) 先进汽车MOSFET封装技术达成许可协议。H-PSOF是符合JEDEC标准的TO无铅(TO-LL) 封装 (MO-299) |
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Fairchild与Infineon签订车用MOSFET 封装技术协议 (2012.04.11)
英飞凌 (Infineon) 和快捷半导体 (Fairchild)日前宣布，针对英飞凌先进的车用 MOSFET 封装技术 H-PSOF（带散热器的塑料小型扁平引脚封装）签订授权协议，该技术是符合 JEDEC 标准的 TO 无导线封装 (MO-299) |
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瑞萨电子新高压电源MOSFET 可减少52%导通损失 (2011.02.01)
瑞萨电子近日宣布，推出能为电源供应器提供超高效率的高压N-channel电源金属氧化半导体场效晶体管（MOSFET）产品--RJK60S5DPK。新的电源MOSFET能减少PC服务器、通讯基地台以及太阳能发电系统的耗电量 |
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快捷推出超紧凑薄型MicroFET MOSFET产品系列 (2010.05.24)
快捷半导体（Fairchild）为满足可携式产品设计人员不断追寻效率更高、外形更小更薄的解决方案的需求，推出采用超紧凑薄型（1.6mm x 1.6mm x 0.55mm）封装的高性能MicroFET MOSFET产品系列 |
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Diodes推出新型MOSFET H桥组件 (2009.07.02)
Diodes公司推出四款H桥MOSFET封装，为空间有限的应用减少组件数量和PCB尺寸，显著简化DC散热扇和CCFL反相器电路的设计。
Diodes亚太区技术市场总监梁后权指出，ZXMHC零件采用SO8封装，设有两对互补型N和P信道MOSFET，可以取代四个分立的SOT23封装MOSFET或两个SO8互补型MOSFET封装 |
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Fairchild新款MicroFET MOSFET可延长电池寿命 (2009.03.24)
快捷半导体（Fairchild Semiconductor）推出FDMA1024NZ和FDMA410NZ 双N信道和单N信道MOSFET组件，可延长手机、电动牙刷和刮胡刀等应用中的电池寿命。
这两款产品采用具有高热效的2mm x 2mm x 0 |
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Vishay推出新款p信道功率MOSFET系列 (2008.08.21)
Vishay推出采用PowerPAK SC-75封装的p信道功率MOSFET系列，该系列包括额定电压介于8V～30V的多个器件，这些是采用此封装类型的首批具有上述额定电压的器件。
日前推出的这些器件包括首款采用PowerPAK SC-75封装的-12V(SiB419DK)及-30V(SiB415DK)单p信道功率MOSFET |
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Vishay推出20V p信道TrenchFET功率MOSFET (2008.04.10)
日前，为满足对可携式设备中更小组件的需求，Vishay推出20V p信道TrenchFET功率MOSFET，该组件采用MICRO FOOT芯片级封装，具有此类组件中最薄厚度及最低导通电阻。
Vishay Siliconix Si8441DB具有0.59mm的超薄厚度，以及1.5mm×1mm的占位面积 |
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IR授予英飞凌科技DirectFET封装技术授权同意书 (2007.09.28)
英飞凌科技与美商国际整流器公司（International Rectifier，IR）共同宣布，英飞凌将取得国际整流器公司授权使用该公司获得专利的先进功率管理封装技术DirectFET。
DirectFET的设计专门运用在计算机、笔记本电脑、通讯及消费性电子装置的AC-DC及DC-DC功率转换应用上 |
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IR推出高效率150V DirectFET MOSFET (2006.12.21)
国际整流器公司(IR)推出最新150V DirectFET MOSFET–IRF6643PbF，适用于包括36V至75V通用电讯输入及48V固定输入系统等多种运作环境的隔離式DC-DC转换器。新DirectFET组件结合了IR的DirectFET封装技术及新一代HEXFET功率MOSFET硅晶体 |
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IR推出全新30V同步降压转换器芯片组 (2006.07.28)
IR推出由IRF6631控制MOSFET及IRF6638同步MOSFET组成的全新30V同步降压转换器芯片组；这个组合备有IR的基准DirectFET封装及双面冷却功能，并具备最新的HEXFET MOSFET技术，能在中电流水平(低于18安培)达致高效率及散热效能 |
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Vishay推出创新型PolarPAK封装两款功率MOSFET (2005.12.23)
Vishay宣布，该公司正推出率先采用其创新型PolarPAK封装的两款功率MOSFET，该封装使用双面冷却，可降低热阻、封装电阻及封装电感，从而实现更高效、更快速的开关功率MOSFET |
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IR推出两款新型DirectFET功率MOSFET (2005.10.14)
功率半导体及管理方案领导厂商–国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出两款新型的DirectFET功率MOSFET。相比常用于网络及通讯系统的中功率200W DC-DC总线转换器应用中的增强式SO-8组件，它们可以把系统层面的功率损耗减少10% |
