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博格华纳采用ST碳化矽技术为Volvo新一代电动车设计Viper功率模组 (2023.09.08)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）将与博格华纳（BWA）合作，为其专有的Viper功率模组提供最新的第三代750V碳化矽（SiC）功率MOSFET晶片。该功率模组用於博格华纳为Volvo现有和未来多款电动车型设计的电驱逆变器平台 |
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东芝首款2200V双碳化矽MOSFET模组协助工业设备高效和小型化 (2023.08.30)
东芝电子开发业界首款用於工业设备的2200V双碳化矽（SiC）MOSFET模组MG250YD2YMS3 。新模组的漏极电流（DC）额定值为250A，并采用该公司的第三代SiC MOSFET晶片。适用於使用DC1500V的应用，如光伏发电系统、储能系统等 |
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ROHM推出5款全新超低导通电阻100V耐压Dual MOSFET (2023.08.22)
近年来，在通讯基地台和工控设备的应用领域，为了降低电流值并提高效率，以往的12V和24V系统逐渐转换为48V系统，电源电压呈提高趋势。半导体制造商ROHM针对通讯基地台和工控设备等风扇马达驱动应用，推出将二颗100V耐压MOSFET一体化封装的Dual MOSFET新产品 |
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英飞凌CoolSiC功率模组 推动节能电气化列车迈向低碳化 (2023.06.05)
为了实现全球气候目标，交通运输必须转用更加环保的车辆，比如节能的电气化列车。然而，列车运行有严苛的运行条件，需要频繁加速和制动，且要在相当长的使用寿命内可靠运行 |
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英飞凌扩展CoolSiC系列高电压产品 符合1500 VDC应用需求 (2022.06.08)
高功率密度的需求日益成长，因此推动了开发人员在其应用中采用1500 VDC系统规格，以提高每台逆变器的额定功率和降低系统成本。不过，1500 VDC型系统在系统设计上带来更多挑战，例如在高DC电压下快速切换，这通常需要多层次拓扑，因此需要复杂的设计和相对较多的元件数量 |
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英飞凌推出XHP 2功率模组 降低有轨电车能耗与引擎噪音 (2022.03.08)
英飞凌科技股份有限公司将推出采用XHP 2封装，采用CoolSiC MOSFET和.XT技术的功率半导体，特别适用於轨道交通的定制需求。
英飞凌XHP 2功率模组的价值，已在西门子铁路系统（Siemens Mobility）和Stadtwerke Munchen（SWM）公司联合展开的实际道路测试中得到证明 |
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从原理到实例：详解SiC MOSFET如何提高电源转换效率 (2021.10.12)
本文以Cree/Wolfspeed的第三代SiC MOSFET为例，分析其效率和散热能力方面的优势，并说明如何使用此类元件进行设计。 |
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英飞凌全新CoolSiC MOSFET 实现无需冷却风扇的伺服驱动方案 (2020.11.16)
英飞凌科技支援机器人与自动化产业实作免维护的马达变频器，今日宣布推出采用最隹化D2PAK-7 SMD封装、搭载.XT互连技术的全新1200V CoolSiC MOSFET，可实现被动冷却。相较於矽基解决方案，其损耗可降低达80%，因此不再需要冷却风扇与相关服务 |
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CoolSiC MOSFET与TRENCHSTOP IGBT推出Easy 2B 封装 (2019.08.07)
相较於传统 3 阶中点箝位拓扑，进阶中点箝位 (ANPC) 变频器设计可支援半导体装置间的均匀损耗分布。英飞凌科技旗下1200V系列混合式 SiC 与 IGBT 功率模组新增采用 ANPC 拓扑的 EasyPACK 2B封装 |
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EPC eGaN技术在性能及成本上实现质的飞跃 (2017.03.17)
全球增?型氮化镓电晶体厂商、致力于开发创新的矽基功率场效应电晶体（eGaN FET）及积体电路的宜普电源转换公司（EPC）推出全新的EPC2045（7微欧姆、100 V）及EPC2047（10 微欧姆、200 V）电晶体，在提升产品性能的同时也可以降低成本 |
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宏微科技推出大功率低压MOSFET模组 (2016.10.14)
在全世界积极推展清洁能源的同时，另一方面如何协助更有效率使用能源也是一大课题，宏微科技已成功开发出多款大功率低压MOSFET模组，该系列产品让电力电子工程师在设计低压大电流应用来得更容易，模组化外壳也显著地减低系统整机的运转温度，解决了大功率MOSFET线路设计的各种麻烦 |
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Diodes新型MOSFET芯片高度减少50% (2012.05.11)
Diodes 公司日前推出了一系列采用薄型DFN2020-6封装的高效率N信道和P信道MOSFET。采用DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4，离板高度只有0.4mm，面积只有4mm2，是一款额定电压为 -25V的P信道组件，较同类型组件薄50% |
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IR新款DirectFET MOSFET 为DC-DC应用提高效率 (2010.12.21)
国际整流器（IR）近日宣布，推出了IRF6708S2及IRF6728M 30V DirectFET MOSFET芯片组，特别为讲求成本的19V输入同步降压应用，例如笔记本电脑而设计。
IRF6708S2小罐和IRF6728M中罐组件可减少零件数量达30%，所以能够大幅降低整体系统成本 |
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ST MDmesh V MOSFET 为终端产品带来节能优势 (2009.02.23)
意法半导体（ST）宣布在功率MOSFET芯片的性能方面取得巨大突破，MDmesh V使得ST新一代的650V MOSFET，采用紧凑型功率封装，可将RDS（ON）降到0.079Ω以下。这些产品的应用是锁定以小尺寸和低能耗为诉求的功率转换系统 |
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IR将于IIC-China展示最新功率管理方案 (2009.02.16)
国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）宣布，IR将参与由2009年2月26日至27日在深圳会展中心举行的国际集成电路研讨会暨展览会（IIC-China）。
IR的工程师及应用工程师将于编号2E01的展位展示最先进的功率管理方案 |
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IR推出25V DirectFET MOSFET晶片组 (2008.07.16)
国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出25V同步降压转换器DirectFET MOSFET晶片组，适用于负载点(POL)转换器设计，以及伺服器、高端桌上型电脑和笔记簿电脑应用。
新25V晶片组结合IR最新的HEXFET MOSFET矽技术与先进的DirectFET封装技术，把高密度、单一控制和单一同步MOSFET解决方案整合在SO-8元件的占位面积，并采用了0.7mm纤薄设计 |
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IR新MOSFET芯片组提高2％轻负载效率 (2006.02.10)
国际整流器（International Rectifier；IR）推出一对新型30V HEXFET功率MOSFET。相比于采用30V MOSFET的解决方案，它们可提供高出2％的轻负载效率，用于驱动最新Intel和AMD处理器中的45A、二相同步降压转换器，适用范围包括笔记簿型计算机及其他高效能计算机应用 |
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瑞萨科技推出第一款整合6-Channel输出MOSFET芯片 (2005.11.02)
瑞萨科技宣布推出用于数字相机(DSC)总共包括七个升降压转换频道之M62298FP DC-DC转换器。产品将于2005年12月开始在日本样品出货。
在M62298FP的七个频道中，将有六个频道具有一个或两个内建的MOSFET，此为业界第一款用于DSC之DC-DC转换器 |
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IR推出同步降压转换器芯片组 (2005.07.25)
国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出IRF6621/IRF6612同步降压转换器芯片组。这款新型30V DirectFET MOSFET芯片组是特别为每相14A至18A的DC-DC功率转换而设计，其小体积、高效率和改善导热效能是配备最新Intel和AMD处理器的先进笔记簿型计算机设计所必需的 |
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选择正确的功率MOSFET封装 (2004.07.01)
当终端设备对于电源效率的需求越高，电源管理系统中更高效能的组件也越被重视。由于硅科技在进化的过程中，渐渐使封装成为组件达到更高效能的绊脚石，因此，为兼顾散热需求与效率，引进更先进的功率MOSFET封装势在必行 |
