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艾迈斯欧司朗推出256通道ADC 助CT探测器降低系统复杂性 (2023.02.07)
艾迈斯欧司朗，推出一款256通道类比数位转换器AS5911，用於高效能电脑断层扫描（CT）设备中实现光电二极体阵列讯号的数位化。
艾迈斯欧司朗医学成像资深产品经理Josef Pertl表示：「AS5911在当今高阶CT探测器专用ADC领域具有全面优势，体积更小、功耗更低、效能和整合度更高，更方便系统设计人员使用 |
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英飞凌推出8 Mbit和16 Mbit EXCELON F-RAM非挥发性记忆体 (2022.11.24)
英飞凌宣布该公司最新8 Mbit和16 Mbit EXCELON F-RAM记忆体（铁电存取记忆体）开始批量供货。
该系列产品是业界功率密度最高的串列F-RAM记忆体，能够满足新一代汽车和工业系统对非挥发性资料记录的需求，防止在恶劣的工作环境中逸失资料 |
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联电携手Avalanche推出航太用高密度P-SRAM装置 (2022.09.13)
因应现今无所不在的感测装置以及日益升高的资料处理需求推升对耐磨损、高持久性记忆体的需要，半导体晶圆厂商联华电子与专精於MRAM技术的创新公司 Avalanche Technology於今（13）日推出具有高可靠度的持续性静态随机存取记忆体（Persistent Static Random Access Memory；P-SRAM） |
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瑞萨退出16Mb与32Mb进阶低功率SRAM (2015.10.30)
瑞萨电子（Renesas）推出两款全新系列的进阶低功率SRAM (Advanced LP SRAM)，为目前最主要的低功耗SRAM类型，其设计可提供更高的可靠性及更长的备份电池使用寿命，适用于工厂自动化(FA)、工业设备及智慧电网等应用 |
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Cypress的平行式nvSRAM非挥发内存获LSI青睐 打造业界首款12Gb/s SAS适配卡 (2013.09.25)
触控感测市场领导厂商Cypress Semiconductor宣布LSI已为其新款12 Gb/s SAS适配卡（HBA）选用Cypress的平行式非挥发静态随机存取内存（nvSRAMs），这些适配卡将用在高效能服务器、工作站、及外接式储存系统 |
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Micrel推出高集成功率管理集成电路MIC2829 (2010.05.21)
麦瑞半导体（Micrel）日前发布了针对4G无线应用的高集成功率管理集成电路（PMIC）MIC2829。该器件为处理器、多标准射频（例如HEDGE/LTE或WiMAX）收发器与功率放大器、内存、USB-PHY、相关I/O接口和其他系统需求的供电提供整套功率管理解决方案 |
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Micrel推出高集成功率管理集成电路MIC2829 (2010.05.21)
麦瑞半导体（Micrel）日前发布了针对4G无线应用的高集成功率管理集成电路（PMIC）MIC2829。该器件为处理器、多标准射频（例如HEDGE/LTE或WiMAX）收发器与功率放大器、内存、USB-PHY、相关I/O接口和其他系统需求的供电提供整套功率管理解决方案 |
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广颖电通推出全新DDR3超频内存 (2010.01.06)
广颖电通于昨日（1/5）宣布推出Xpower DDR3超频系列产品，全系列产品有套装双信道4GB(2GBx2)及三信道6GB(2GBx3)，数据传输率有DDR3-1600、1800、2000、2133 MHz等可供选择，且完全支持新一代Intel四核心处理器Core i5与Core i7新平台 |
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Spansion将出售苏州后端制造厂予力成科技 (2009.08.25)
为降低长期固定成本、提高制造与生产弹性，并进一步推动企业组织重整，Spansion公司25日宣布其独立拥有的子公司Spansion LLC将与力成科技股份有限公司（Powertech Technology Inc.）签署最终协议，将该公司位于中国苏州的后端制造厂与设备售予力成科技 |
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广颖新一代服务器内存模块内建温度传感器 (2009.07.30)
广颖电通看好未来服务器用内存将改换DDR3之商机，近日正式宣布针对服务器及工作站市场，推出内建温度传感器的DDR3 1333/1066内存模块。
广颖电通DDR3 1333/1066服务器内存模块不但完全支持采用三信道的最新Intel Nehalem-based Xeon 5500系列处理器服务器平台 |
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Cypress推出首款65奈米制程SRAM (2009.05.05)
Cypress公司4日宣布推出业界首款采用65奈米线宽的Quad Data Rate（QDR）与Double Data Rate（DDR）SRAM组件。此新款72-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII、以及DDRII+内存，采用与晶圆代工伙伴联华电子合作开发的制程技术 |
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Ramtron新型4Mb F-RAM内存采用FBGA封装 (2009.02.24)
Ramtron宣布提供采用最新FBGA封装的4兆位（Mb）F-RAM内存。FM22LD16是一款采用48脚FBGA封装的3V、4Mb并行非挥发性F-RAM，具有访问速度高、几乎没有限制的读/写周期以及低功耗等优点 |
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富士通选用R&S设备进行WiMAX SoC单芯片测试 (2008.08.14)
富士通微电子欧洲（Fuijitsu Microelectronics Europe, FME)和R&S(Rohde & Schwarz,罗德史瓦兹) 携手提供专为研发和制造WiMAX手机、终端设备、PC卡和多媒体手持式客户设计的优化测试方案，这个客制化自动更正和验证的测试方案是建构在R&S CMW270 WiMAX单机测试仪上，行动WiMAX System-on Chip(SoC)单芯片的客户可以经济并有效地简易量测 |
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广颖电通推出DDR2 800 ECC Unbuffered DIMM (2008.07.09)
国内闪存厂商广颖电通（Silicon Power）宣布推出DDR2 800 ECC Unbuffered DIMM内存模块2GB。广颖电通DDR2 800 ECC Unbuffered DIMM 2GB内存模块使用先进FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）球型数组封装颗粒，加强了电力与热感特性，提供良好的散热性能 |
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巨景科技推出9x9mm Memory MCP产品 (2008.04.15)
巨景科技(ChipSiP)因应市场产品微型化需求，于四月中将推出更小包装Memory MCP(9x9x1.2mm)应用于超薄型及多功能数字相机(DSC)市场。拥有丰富的SiP与Memory MCP研发经验与技术，巨景10x13mm MCP在2006年开始导入台湾数字相机ODM大厂，并Design Win至知名日系相机品牌，2007出货量达300万颗 |
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劲永国际推出最新双信道内存模块 (2008.03.27)
全球内存模块厂厂-劲永国际（PQI）推出最新DDR3-1600 4GB双信道内存模块，运算频率最高可达1688MHz，1.54V低电压设计，在运作上比DDR2内存模块更为省电。PQI DDR3-1600双条2GB内存模块，不仅容量加倍，超频速度更快 |
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茂纶推出新款ASIC Prototyping Board (2008.03.20)
Altera于2007第四季发表Stratix III系列FPGA组件，并于2008二月开始销售FPGA组件EP3SL340F1517，EP3SL340F1517最大可提供将近338,000个等效逻辑单元、16,272K RAM Bits、576个18X18硬件乘法器及12个PLL |
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广颖电通推出独家代理之南亚高容量内存模块 (2007.12.19)
国内闪存厂商广颖电通(Silicon Power)，宣布推出独家代理之台湾区南亚科技Elixir品牌内存—Elixir DDR2 800 Unbuffered DIMM 2GB高容量内存模块。广颖电通独家代理之南亚Elixir DDR2-800 Unbuffered DIMM 2GB内存模块使用16颗先进FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装制造之128Mx8颗粒，提供良好的散热性能以确保运作质量 |
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广颖电通推出服务器专用内存模块 (2007.11.23)
国内闪存厂商广颖电通(Silicon Power)，宣布推出DDR2 667 Register DIMM 2GB内存模块。广颖电通针对服务器专用推出DDR2 667 Register DIMM 2GB内存模块，采用18颗FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装制造之颗粒，提供良好的散热性能 |
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PQI DDR3-1333玩家级内存模块上市 (2007.11.05)
随着高阶内存市场的需求激增，劲永国际（PQI）特别推出高速240-Pin DDR3-1333内存模块，采用8 bit预取设计，运算频率可达1333MHz，1.5V~1.7V的低电压设计，在效能表现上不仅比DDR2快上一倍，同时也更为省电 |
