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富士通针对功率放大器开发CMOS晶体管 (2008.12.29)
富士通微电子近日发表CMOS逻辑高电压晶体管的最新开发进展，此款晶体管具备高崩溃电压的特性，适合支持无线装置所使用的功率放大器。富士通开发此款45奈米世代CMOS晶体管，能支持10V功率输出，让晶体管能因应各种高输出规格，满足WiMAX与其他高频应用中功率放大器的规格需求 |
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瑞萨科技智能型电池IC 可精确侦测电池残量 (2008.12.29)
瑞萨科技宣布推出R2J24020F Group IC，适用于支持智能型电池系统（SBS）之锂电池。已于2008年12月9日起在日本开始提供样品。
智能型电池系统是电池与装置间的数据与通讯标准化规格 |
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Xilinx推出与2.0 PCI Express兼容之5Gbps平台 (2008.12.29)
Xilinx(美商赛灵思)公司宣布推出可与2.0版的PCI Express标准完全兼容之Virtex-5 FXT FPGA平台，为首款可支持5Gbps版序列链接标准之FPGA产品。Virtex-5 FXT FPGA已通过PCI-SIG第62号兼容性工作小组最后一回合的规格测试，并列入PCI-SIG PCI Express的官方Integrator List中，成为赛灵思与其联盟伙伴所提供可支持PCIe® 2.0应用的广大设计资源中心 |
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晶诠科技USB 2.0 OTG产品采用MIPS IP核心 (2008.12.29)
美普思科技公司(MIPS)宣布，晶诠科技公司取得MIPS多种 USB 2.0 OTG (Oo-The-Go) PHY(物理层) IP 核心授权，将应用于特许半导体 (Chartered Semiconductor) 的0.18微米、0.13微米、90奈米泛用型(G) 、90奈米低耗电 (LP)以及65奈米制程 |
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并不并？真有学问? (2008.12.28)
这波的金融风暴再次吹出了台湾内存和面板厂的整并问题。有趣的是，所有的人都认为整并是势在必行，但现在是不是时机点？却是众说纷纭。但大家要问的是，如果现在不并 |
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恩智浦将在2009年持续整并和收购扩大业务规模 (2008.12.26)
恩智浦半导体（NXP）在年终记者会中，台湾区总裁王俊坚先生向与会记者介绍了恩智浦在2008年的公司发展状况以及公司对于未来的展望。2008年发生的一连串金融和经济危机，为半导体产业整体带来了很大的挑战 |
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发挥PCIe交换器架构特性结合Switch Partitioning概念提升高速传输效能 (2008.12.24)
由于网络多媒体传输应用越来越普及，服务器、储存和网通设备对于高速串流传输接口的效能要求也越来越高，提升点对点传输架构与网络接口交换器设计效能便非常重要，其中PCIe接口和交换器解决方案应用在网通设备及服务器应用的革新趋势，更备受业界关注 |
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德州仪器推出第3代数字音频处理器 (2008.12.24)
德州仪器 (TI)宣布推出第三代 DA830 与 DA828 Aureus数字音频处理器。此款高整合度、具双核心的DA8x 产品系列，不仅结合ARM应用处理器与音频数字信号处理器 (DSP) 核心，并同时支持各种丰富周边 |
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Altera与DDD将2D数字影像带入3D (2008.12.24)
Altera公司和DDD集团双方将共同合作，把3D数字剧院的高质量影像送到每个家庭的客厅。DDD的TriDef Core嵌入式3D图像处理器在Altera Arria GX FPGA上运行，已经通过了产品测试。DDD提供的订制电路板整合了现有的2D视讯电子电路，增强了3D功能，包括自动2D至3D转换等 |
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MAXIM推出DS3991低价的CCFL控制器 (2008.12.24)
DS3991是一颗控制冷阴极荧光灯管的产品，用来作为液晶显示器（LCD）的背光板所需。DS3991提供了推-拉和半桥驱动拓扑。
DS3991转换DC电压（5V到24V）到需要驱动CCFLs的高电压（300VRMS to 1400VRMS）AC波型 |
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LSI针对建置整合式通讯推出新款芯片 (2008.12.23)
LSI公司日前发表一款采用外部数据交换（FXO）芯片组，其中整合了由系统供电的silicon DAA。该解决方案可在各种IP应用之间建构高可用度的链接，包括媒体网关、VoIP装置以及传统的模拟线 |
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NI将仪器层级的I/O新增至LabVIEW FPGA硬件中 (2008.12.23)
NI发表新款的开放式FPGA架构硬件系列，并适用于PXI平台。NI FlexRIO产品系列，为业界首款商用现货（COTS）解决方案，可提供NI LabVIEW FPGA技术的弹性，并整合仪器层级的高速I/O |
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德州仪器0.7 V输入升压转换器支持5 µA工作电流 (2008.12.23)
德州仪器（TI）宣布推出一款2 MHz DC/DC升压转换器，工作静态电流为5 µA，而且可在轻负载条件下维持极高的效率。该解决方案支持0.7 V至5.5 V的输入电压，以及1.8 V至5.5 V的输出电压，进一步延长应用低功耗微控制器设计方案的电池使用寿命，例如采用单节AA电池或碱性钮扣电池等应用 |
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强化802.11n芯片组技术确保数字家庭高画质视讯无线传输质量 (2008.12.23)
应用在数字家庭和企业网络领域、以Wi-Fi无线传输方式传送高画质视讯内容的技术，已经越来越成熟。根据 In-Stat的市场研究报告指出，到2012年，网络设备与消费性电子制造商对Wi-Fi 芯片组的需求，预估将达到9.38亿个芯片组，销售总额可达60亿美元 |
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虹晶科技采用MIPS模拟/混合信号IP (2008.12.23)
美普思科技公司(MIPS)宣布，虹晶科技公司取得多种制程的MIPS USB 2.0 OTG (Oo-The-Go) PHY(物理层) IP 核心及控制器授权。虹晶科技是专精于系统单芯片﹝SoC﹞设计服务及嵌入式平台以简化客户自行研发时程的台湾IC 设计服务公司 |
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Diodes新款自我保护式MOSFET节省85%电路板空间 (2008.12.23)
Diodes公司扩展其IntelliFET产品系列，推出超小型的完全自我保护式低端MOSFET。该ZXMS6004FF组件采用2.3 x 2.8毫米的扁平式SOT23F封装，能节省85%的电路板空间。
扁平式SOT23F封装虽然小巧，但热性能却相当强劲 |
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IR全新基准MOSFET提升60%封装电流额定值 (2008.12.22)
国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）推出具备高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列，适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。
新组件的封装电流额定值达到195A，较典型封装电流额定值高出60% |
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恒忆推出新系列NAND闪存 (2008.12.22)
恒忆（Numonyx）针对无线通信、嵌入式设计和数据储存应用推出新系列NAND闪存产品，持续为业界提供完整的 NOR、NAND、RAM和PCM（相变化内存）解决方案。新系列产品包括高达32Gb（gigabits）的MLC NAND、32GB（gigabytes）的eMMC和高达8 GB的microSD产品，均采用先进的41奈米制程 |
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Silicon Labs发表高效同步以太网路频率芯片 (2008.12.22)
類比与混合讯号厂商Silicon Laboratories发表抖动衰减频率倍频芯片Si5315，进一步扩充任何速率精密频率系列产品。新组件可满足甚至超出1G和10G同步以太网路市场对于效能、整合度、频率和抖动的需求 |
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Vishay宣布推出采用2020封装尺寸电感器 (2008.12.22)
Vishay宣布推出采用2020封装的新型IHLP薄型，高电流电感器。此款小尺寸IHLP-2020CZ-11组件仅有3.0mm厚度，宽泛的电感范围与低DCR。
该新型IHLP电感器成为终端产品稳压器模块和直流到直流转换器应用的小型高性能低功耗解决方案，适用于笔电，个人多媒体设备等行动终端产品 |
