 |
美光、Hynix合并破局 (2002.01.14)
根据外电，美光坚持合并价格采东芝Dominion晶圆厂模式，即新厂成本的四分之一，总合并金额在40亿美元以下; 不过，Hynix债权银行却认为，近期DRAM价格上扬，坚持合并金额在50亿美元以上，甚至出现65亿美元之说法 |
|
DRAM涨势可期 (2002.01.09)
业界人士透露，南韩三星电子已自元月起开始提高记忆芯片合约价25%到30%，128Mb动态随机存取记忆芯片（DRAM）合约价约涨为2.3美元到2.4美元，此举促成国内DRAM市场回春。过去一个月来，三星电子与Hynix总共涨价三次，对个人计算机制造商的供应价共调高约60% |
|
DDR产量与DRAM不成正比 (2002.01.08)
根据SEMI数据，2001年全球128Mb DRAM产出当量达33亿颗，年增率达51.2%，今年在12吋晶圆厂投产及制程微缩刺激下，全球DRAM产量成长率约在四到五成间。不过，今年1月全球DDR主要制造厂商仍以南亚科技、美光及三星为主，月产出不到4,000万颗，占整体DRAM市场比重不到两成，因此，英特尔845B及845G芯片组上市，将出现供不应求现象 |
 |
台湾12吋晶圆厂的展望与未来 (2002.01.05)
建造一座晶圆厂所需的成本极高，8吋晶圆厂需10亿美元的资本，而12吋晶圆厂更高达30亿美元左右才能建厂，所以从决定盖厂到盖厂完成、采购生产设备到正式生产，期间所耗费的成本，每笔都是惊人的数字，因此完成12吋晶圆厂，等于完成一项庞大的成果 |
|
Hynix将调涨DRAM现货价30% (2002.01.03)
南韩芯片大厂Hynix日前指出，该公司已自一月一日起将大客户的128MB DRAM合约价格平均调涨30%。三星电子同时表示，将在一两个星期内跟进。在连番涨价的激励下，南韩半导体类股周三全面大涨 |
|
DRAM市场稳定度待观察 (2002.01.02)
近期一二八Ｍｂ DRAM现货价在上游制造厂与下游通路商强力拉抬下，由去年十月的○．八五美元历史低点一路向上飙升，在短短二个月内，便站上了二．五美元的变动成本以上价位 |
|
东芝技转0.13微米制程于中芯 (2001.12.21)
日本半导体大厂东芝廿日宣布，已与上海中芯国际签订低功率静态随机存取内存(Low PowerSRAM)策略合作合约，东芝将技转0.13微米的SRAM制程予中芯，并将中芯列为重要代工伙伴，而东芝也以技术作价方式取得中芯约5%的股权 |
|
DRAM厂可望否极泰来 (2001.12.21)
近期在韩国三星电子以及 Hynix大厂的作价下，一二八兆位 SDRAM合约价格已顺利站上二美元。现货价格以及合约价格均出现回升契机，一二八兆位SDRAM重返二美元，国内主要 DRAM工厂已回到现金净流入的情况 |
|
东芝将退出DRAM销售 (2001.12.20)
日前东芝与亿恒合并案破局后，东芝表明将退出标准型DRAM制造与销售，华邦现有八吋晶圆厂在DRAM制程技术上将可延续到何种程度，已成为市场瞩目焦点，市场上因此传出亿恒转向寻求与华邦的合作机会 |
|
美光、Hynix联盟进行中 (2001.12.19)
南韩Hynix半导体公司整顿委员会主席辛国焕18日说，美光科技公司虽计划买下东芝公司记忆芯片厂，但Hynix与美光的联盟商议仍持续进行。美光发言人也表示，正继续评估Hynix的厂房设备 |
|
华邦卖出五吋晶圆厂 (2001.12.18)
华邦电为摆脱今年动态随机存取内存(DRAM)景气低迷，10月底，公司董事会做出历年组织及策略调整最大的方案，包括关闭方案：包括关闭五吋晶圆厂、精简人力及转战利基型内存市场等策略三头并进，让华邦电在极短的时间内由现金净流出转为净流入，走出半导体不景气的困境 |
|
256Mb DDR与512Mb DDR争霸 (2001.12.17)
动态随机存取内存(DRAM)容量世代交替加速，德国亿恒 (Infineon)指出，今年第四季将全面生产256M DRAM，预计明年初就将导入512Mb以及1Gb 以上的 DRAM 生产。
DRAM容量站上128Mb以后大约维持了近两年的时间，但是在今年第三季因为价格快速下降的因素，许多制造厂商纷纷转向更高容量的产品生产，希望能够避开标准产品的流血战争 |
|
DRAM涨价 茂硅亿恒合并案破裂 (2001.12.08)
台湾内存芯片大厂台湾茂硅表示，已取消与德国亿恒公司(Infineon)的合并谈判，茂硅表示，亿恒仍希望透过与竞争对手合作，扩大其市场占有率。
动态随机存取内存 (DRAM) 价格持续飙涨 |
|
SRAM价格未随DRAM上扬 (2001.12.08)
国内SRAM设计公司表示，目前低功率二五六Kb约维持在○．七或○．八美元，供货商只有连邦与国外Cypress、韩国三星等少数厂家，低功率二Mb价格在一．五美元上下，四Mb区间落在二．一美元至三．五美元、均价约为三美元 |
|
DRAM涨价，模块厂跟进 (2001.11.21)
动态随机存取内存（ＤＲＡＭ）价格飙涨，主要导因于上游ＤＲＡＭ厂锁货策略，不过在近一周内的ＤＲＡＭ涨价期间，一向为ＤＲＡＭ市场最大采购者的内存模块业者，却不见在市场上大举搜括现货的大动作，预料将削弱ＤＲＡＭ厂锁货策略成效 |
|
DRAM市场浮现假性需求 (2001.11.19)
动态随机存取内存（ＤＲＡＭ）价格在上游大厂锁货不出下，在短短一周内大涨九成以上，上周五（十六日）虽已小幅回调，业界仍觉得ＤＲＡＭ此波涨势来得过快且突然，倘若仔细评估其中原因，除了市场供给量的大幅萎缩外，系统厂、通路商、模块厂等回填安全库存的假性需求，则是刺激价格飙涨的主要因素 |
|
全球DRAM厂供应量将减少10% (2001.11.08)
DRAM价格崩盘，全球DRAM厂厂莫不寻求出路。尤其以产量占全球第一名的美光，在本次的不景气中受到相当大影响，是否减产甚至关厂备受注目。据指出，此次美光停工的厂可能是先进制程大厂，包括美国本土的0 |
|
DRAM经营难 市场再现变动 (2001.11.08)
据金融时报报导，日本东芝公司董事长西室泰三6日暗示，东芝公司可能退出营运艰难的动态随机存取内存(DRAM)市场。另一方面，华邦电八日表示，将与日商夏普签约技术合作 |
|
DRAM厂设防减少现金流出 (2001.11.07)
DRAM厂也急着摆脱售价低迷的DRAM包袱，各厂为减少现金流出各出奇招。茂硅、华邦电将致力转型为IC设计公司，力晶、世界先进转型为专业内存代工，茂德及南亚科技，则转进高阶内存，并藉新制程拉大与竞争者差距 |
|
DRAM厂恐难逃合并命运 (2001.11.06)
因各家理财及融资投资策略互异，因而六家DRAM厂结算前三季期末约当现金余额，以力晶的139.31亿元最高、华邦电128.26亿元次之、茂德则在116.9亿元的水平，茂硅则约63.11 亿元，世界先进约50 |
