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Diodes微型场效晶体管节省40%空间 (2015.02.13)
Diodes公司为提供空间要求严格的产品设计，扩充了旗下超小型分立组件产品系列。新推出的3款小讯号MOSFET包括20V和30V额定值的N信道晶体管，以及30V额定值的P信道组件，产品全都采用DFN0606微型封装 |
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英飞凌新一代功率MOSFET具备低导通电阻 (2015.02.10)
英飞凌科技(Infineon) 推出OptiMOS 5旗下80V和100V两款新产品。最新一代的功率MOSFET针对高切换频率所设计，适用于电信及伺服器电源供应器等同步整流，以及其他如太阳能、低压马达和变压器等工业应用 |
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德州仪器推出NexFET N信道功率MOSFET实现低电阻功效 (2015.01.22)
采用5公厘x 6公厘QFN封装并具极低Rdson的25 V和30 V装置
德州仪器（TI）推出NexFET产品线的11款新型N信道功率MOSFET，包括拥有低导通电阻（Rdson）且采用QFN封装的 25 V CSD16570Q5B和30 V CSD17570Q5B，其适合热插入和ORing应用 |
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安茂微电子推出高效率2A同步升压转换器 (2015.01.19)
安茂微电子推出一系列DC-DC升压转换器─AME5125，采用电流控制同步技术以及整合MOSFET，有效提供高效率的电源。 输入电压为2.7V~5.5V，提供最大5.5A的输出电流，主要应用于携带式电源、蓝牙音箱等单电池供电的便携设备相关产品，适用于以碱性电池、镍氢电池或锂电池 |
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Diodes全新MOSFET闸极驱动器提升转换效率 (2015.01.08)
Diodes公司推出一对1A额定值的40V轻巧闸极驱动器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY，能用在控制板上和嵌入式电源以及马达驱动电路的高电流功率MOSFET。ZXGD3009E6（采用SOT26封装）和 ZXGD3009DY（采用SOT363封装）可缩短MOSFET的开关时间，有助于尽量降低开关损耗、改善功率密度，以及提升整体转换效率 |
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麦瑞半导体新款小尺寸负荷开关提供7A安恒电流 (2015.01.08)
麦瑞半导体（Micrel）推出 MIC95410 7A 负荷开关，封装尺寸紧凑，仅仅为1.2mm x 2.0mm。该器件可用于有功率分配需求的系统，能够透过斜率控制来控制加电顺序，这种功能通常会用在工业计算、服务器主板、医疗设备、平板计算机、笔记本和固态硬盘等应用中 |
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Diodes推出40V额定值动态OR'ing控制器 (2014.12.24)
Diodes公司推出40V额定值的动态OR'ing控制器ZXGD3108N8，以提升电讯系统、资料中心及伺服器不断电供应系统的可靠性。新产品旨在全面改善超低导通电阻功率MOSFET，从而取代耗能的萧特基（Schottky）阻断二极体，有效降低运作温度并加强不断电供应系统的完整性 |
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IR新款FastIRFET双功率MOSFET采用4×5 PQFN功率模块封装 (2014.12.17)
国际整流器公司（International Rectifier；IR）推出采用高效能4×5 PQFN功率模块封装的IRFH4257D FastIRFET 双功率MOSFET。此项新的封装选择使IR的功率模块产品系列效能得以延伸至更低功率的设计 |
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凌力尔特涌浪抑制器解决方案符合MIL-STD-1275D标准 (2014.12.11)
凌力尔特（Linear Technology）日前推出符合MIL-STD-1275D标准的涌浪抑制器解决方案，并展示于评估板DC2150A。 MIL-STD-1275D是由美国国防部（United States Department of Defense）建立的标准，其规定了军用地面车辆的28V直流电源之稳态和瞬变电压特性 |
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凌力尔特新款j微型模块稳压器可高效转换 (2014.12.05)
凌力尔特（Linear）日前发表20A DC/ DC降压 uModule（微型模块）稳压器LTM4639，能够以优化效率转换2.5V至7V主电源系统电源端至低至0.6V的负载点电压。在复杂的机架安装系统中，更高的电压转换效率将可节省能源消耗、热管理和设备尺寸 |
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IR推出电池保护应用MOSFET系列 (2014.12.02)
国际整流器公司 (International Rectifier；IR) 针对锂离子电池保护应用推出一系列IR最新低电压MOSFET硅技术组件，包括IRL6297SD双信道DirectFET MOSFET。
全新功率MOSFET备有极低的导通电阻，藉以大幅减少导通损耗，提供20V和30V N信道及P信道组态组件 |
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凌力尔特发表60V同步升降压控制器 (2014.12.02)
凌力尔特( Linear)日前发表同步升降压DC/DC控制器LT3790，可以单一IC提供超过250W的功率。其4.7V至60V输入电压范围适合广泛的汽车、工业应用。输出电压可以设定于0V至60V，因此适合电压稳压器或电池/超级电容充电器 |
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意法半导体新650V超接面MOSFET提升安全系数 (2014.12.02)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）的最新超接面（super-junction）功率MOSFET可满足家电、低功耗照明以及太阳能微逆变器对电源能效的要求，同时提供更高的可靠性和最新且可满足高功率密度的封装选项 |
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IR推出表面黏着型75V MOSFET搭载极低导通电阻 (2014.11.13)
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)为工业应用扩充StrongIRFET MOSFET系列，为多种工业应用包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流马达驱动器、锂离子电池组保护、热插入及开关模式电源二次侧同步整流推出75V组件 |
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IR推出75V MOSFET具有极低导通电阻 (2014.10.29)
工业应用所需的工具与组件较一般电子组件更讲求坚固安全，国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩充StrongIRFET MOSFET系列，为多种工业应用推出75V组件，包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流马达驱动器、锂离子电池组保护、热插入及开关模式电源二次侧同步整流 |
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功率半导体市场大地震 英飞凌并购国际整流器 (2014.08.21)
近年来半导体市场的并购案件不断，像是英特尔并购英飞凌的无线射频部门、或是德州仪器一次买下美国国家半导体（NS）等，都是全球半导体产业十分关注的焦点，而此次英飞凌以以每股 40 美元、总计约 30 亿美元的现金出手买下国际整流器（IR），更是撼动了全球功率半导体市场 |
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车用电子翻新 英飞凌颠覆MCU想象 (2014.04.16)
车用电子所涵盖的半导体组件相当广泛，一言以蔽之，就是既有的系统设计架构套上车用规范。也因此，从既有的DC/DC、AC/DC、DC/AC、MCU（微控制器）、MPU（微处理器）等，这些组件都可以在车用电子中窥见其踪影 |
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次芯片级封装是行动装置设计新良药 (2013.11.29)
手机渗透率在已开发市场达到了很高比例，而在世界上其他地区也不断提高。根据GSMA的信息，先进的欧洲国家，其行动用户渗透率已经超过90%。开发中市场的平均渗透比例将由2012年的39%增加至2017年的47%，而且是未来5年内刺激全球行动市场成长的最大因素 |
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MOSFET封装进步 帮助提供超前芯片组线路图的行动功能 (2013.11.29)
面临为需求若渴的行动装置市场提供新功能压力的设计人员，正在充分利用全新次芯片级封装(sub-CSP)技术的优势，使用标准IC来构建领先于芯片组路线图的新设计。 |
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能源采集大不易 突破点就在静态电流 (2013.11.28)
能源采集这个议题在产业界的讨论并不算是相当热络，广泛来看，像是太阳能发电亦可以算是能源采集的一种。若将能源采集作一个简单的定义，将不同的能量转化为电能，就可等同视之 |
