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Littelfuse 200W瞬态抑制二极管阵列提供钳位保护 (2015.07.21)
Littelfuse公司的SM24CANA系列200W瞬态抑制二极管阵列（SPA二极管）可用以保护汽车的控制器区域网络（CAN）汇流排免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和其它过压瞬变的影响 |
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Littelfuse扩展LV UltraMOV压敏电阻系列 (2015.07.13)
Littelfuse公司日前宣布已扩展LV UltraMOV压敏电阻系列，为具有更高直流电压和浪涌要求的应用提供解决方案。该系列于2013年问世，最初可提供14VDC到56VDC的直流电压额定值，浪涌电流额定值高达8kA（8/20 us脉冲） |
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Diodes单信道负载开关采用2mm x 2mm封装 (2015.05.07)
Diodes公司推出单信道负载开关AP22850，新产品提供从4.5V到高达12V的操作范围并具有近零静态电流，适合在以电池供电的小笔电、平板计算机和电子阅读器内使用。 AP22850透过高达8A的负载电流、可调节启动功能及放电率来处理开关电源排序 |
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Littelfuse新款延时型保险丝具有增强型过流保护和浪涌耐受能力 (2015.03.17)
Littelfuse公司日前推出延时瓷质交流保险丝—835系列保险丝。 835系列为Littelfuse首款同时具备I2t值；直流电压为250V时，最大分断电流为1,500A；1.5kA 8/20us浪涌承受能力以及5x20封装的保险丝 |
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ADI推出故障检测和保护、低/超平坦电阻值开关系列产品 (2014.11.19)
在制程控制和数据撷取应用中实时辨识和防范故障，可提高系统正常运行时间。
美商亚德诺（ADI）推出故障检测和保护、低/超平坦电阻值开关系列产品：ADG5412F、ADG5413F、ADG5412BF和ADG5413BF |
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IR推出表面黏着型75V MOSFET搭载极低导通电阻 (2014.11.13)
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)为工业应用扩充StrongIRFET MOSFET系列，为多种工业应用包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流马达驱动器、锂离子电池组保护、热插入及开关模式电源二次侧同步整流推出75V组件 |
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ROHM耐突波芯片电阻「ESR01」 (2010.11.08)
ROHM株式会社近日宣布，研发出最适合移动电话等行动装置及各种电源机器多样化应用的耐突波芯片电阻「ESR01系列」。
近年来随着各类的电子机器的小型化、高功能化的发展，对于小型大功率的电阻需求也日益升高 |
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ROHM推出超低阻值芯片电阻PML100系列 (2010.09.10)
ROHM株式会社近日宣布，新研发动力方向盘等车用电子用， 6432（2512 inch）尺寸，额定功率达3W的长边电极型电流检测用芯片电阻「PML100系列」。此制品已以月产300万颗的规模投入量产（样品价格：20日圆） |
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综观多点触控介面 (2009.06.05)
多点触控人机介面的时代已经来临，但尚未准备好进入日常生活应用领域。多点触控提供了一个改变世界的机会，相关竞赛也已经开始，若无其他变数，多点触控介面很快就会胜出 |
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投射电容触控技术应用面面俱到！ (2009.06.05)
当前投射电容多点触控应用精彩可期。支持多点触控应用的其他技术无法传递真实坐标位置，不能满足Windows 7对多点触控应用更为严谨的要求。因此投射电容触控技术优势便脱颖而出，其中Multi-Touch All-points互容侦测多技术可精确侦测多颗手指同时在屏幕移动变化的绝对寻址，以及多手指同时接触屏幕时的绝对位置 |
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Vishay推出改良式高精度箔卷绕表面贴装电阻 (2009.03.03)
Vishay日前推出经改良的VSMP0603高精度BMZF箔卷绕表面贴装电阻，该器件额定功率增至0.1 W且电阻值高达5kΩ。该组件为采用0603芯片尺寸的产品，当温度范围在-55°C至+125°C（参考温度为+25°C）时，可提供±0.2 ppm/°C的军用级绝对TCR、±0.01%的容差以及1纳秒的快速响应时间，且无振铃 |
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Vishay推出新型Bulk Metal Z箔电阻 (2009.02.05)
Vishay日前推出新型超高精度Bulk Metal Z箔电阻E102Z。该款电阻可在-55°C到+125°C的温度范围内提供达军品级标准的绝对TCR值（±0.2 ppm/°C），容差为±0.005%（50 ppm），在+70ºC下工作2000小时的负载寿命稳定性达到±0.005%（50 ppm） |
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广域电压范围操作之静态随机存取记忆体设计 (2009.02.03)
目前设计低功率SOC系统的主要方式，是以操作速度需求不高的电路以较低VDD来设计，低电压高效能的记忆体设计将是其中一项主要的挑战。本设计应用了低电压操作原理，把静态随机存取记忆体操作在0.5V，让此设计在使用时能够达到80MHz的最高操作频率 |
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未来公共资讯看板触控萤幕科技应用 (2009.01.05)
以公用资讯看板为中心的商务服务逐渐成为普遍的销售媒介，因此为了满足客户的需求，如何有效降低成本，并提供耐久性佳的触控技术，已成为重要课题。 |
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Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET系列 (2008.11.20)
Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型20V n信道器件，扩展了其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。该器件采用PowerPAK SO-8封装，在20V额定电压时具有业界最低导通电阻及导通电阻与闸极极电荷乘积 |
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Vishay扩展Gen III TrenchFET功率MOSFET系列 (2008.10.23)
Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型25V n信道器件，从而扩展了其Gen III TrenchFET功率MOSFET系列，对于采用PowerPAK SO-8封装类型且具有该额定电压的器件而言，该器件具有业界最低的导通电阻以及导通电阻与闸极极电荷之乘积 |
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Maxim推出DS1841数字电阻 (2008.09.16)
Maxim的DS1841是一颗7位、对数型态且非挥发的数字电阻，特色在于内建温度传感器和一个模拟-数字转换器。内建的温度传感器编制了一个72 bytes的非挥发性的查询表(LUT)，包含了从-40°C到+100°C的温度范围 |
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Vishay推出新款p信道功率MOSFET系列 (2008.08.21)
Vishay推出采用PowerPAK SC-75封装的p信道功率MOSFET系列，该系列包括额定电压介于8V～30V的多个器件，这些是采用此封装类型的首批具有上述额定电压的器件。
日前推出的这些器件包括首款采用PowerPAK SC-75封装的-12V(SiB419DK)及-30V(SiB415DK)单p信道功率MOSFET |
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Vishay推出高精度Z箔表面贴装电流感应芯片电阻 (2008.08.18)
Vishay宣布推出新型VCS1625Z超高精度Z箔表面贴装电流感应芯片电阻。此新器件可提供±0.05ppm/°C（当温度介于0°C至+60°C之间）或±0.2 ppm/°C（当温度范围在−55°C至+125°C）（参考温度为+25°C）的工业级别绝对TCR、在额定功率时±5ppm的超卓功率系数（“自身散热产生的R∆”）及±0.2%的容差 |
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Vishay推出专业汽车用薄膜芯片电阻 (2008.08.14)
Vishay宣布推出采用0603封装尺寸的专业汽车用薄膜芯片电阻，该电阻结合了高达+175°C（1000小时）的高工作温度以及先进额定功率。大多数薄膜芯片电阻在+70°C的环境温度下额定功率为100mW，而MCT 0603 AT在+85°C时额定功率规定为150mW |
IAB是Internet Activities Board的简称，意即美国网络广告组织，是一个专门管理与观察美国网络广告活动的一个机构。
