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Ramtron推出可与飞思卡尔Tower System搭配使用的F-RAM内存模块 (2012.10.12)
Ramtron International Corporation (简称Ramtron)宣布，即刻起开始供应可与飞思卡尔半导体公司广受欢迎的Tower System开发平台共享的全新F-RAM内存模块(TWR-FRAM)。TWR-FRAM使用了Ramtron F-RAM磁芯内存和集成产品的扩展集，为采用飞思卡尔基于ARM Cortex 的Kinetis和i |
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Ramtron采用低功耗非挥发内存来控制时间 (2012.04.22)
Ramtron在日前举行的硅谷Design West/嵌入式系统会议 (Silicon Valley Design West/Embedded Systems Conference) 中发布了新型的低功耗F-RAM内存产品，进一步加强公司协助客户改善产品能效、访问速度和安全性的能力 |
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Ramtron和Revere Security合作安全高能效组件 (2012.03.16)
Ramtron 和Revere Security 日前宣布双方建立合作关系，计划将Revere Security的Hummingbird HB-2安全技术整合到Ramtron的非发挥性铁电随机存取内存 产品中。根据合作协议，Ramtron和Revere Security将共同进行产品开发、共同营销安全半导体解决方案，并共同制订推动安全技术整合进F-RAM产品中的蓝图 |
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Ramtron任命Scott Emley担任市场推广副总裁 (2011.11.03)
Ramtron近日宣布，任命Scott Emley担任市场推广副总裁。Emley先生将带领全球市场推广团队，全面负责包括应用和技术支持的产品线推广，并向Ramtron首席执行长Eric Balzer报告。
Emley先生来自德州仪器（TI），曾担任德州仪器ARM微处理器、DSP和多核产品的市场推广总监 |
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Ramtron开始供应高速串行F-RAM器件样品 (2011.10.31)
Ramtron日前宣布，已开始供应4-至64Kb串行非挥发性铁电RAM（F-RAM）内存的预认证样品，新产品于Ramtron在美国的新晶圆供应源以铁电内存制程生产，具有1万亿次（1e12）的读/写周期、低功耗和无延迟（NoDelay）写入等特性 |
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Ramtron推出64Kb串行F-RAM内存样片 (2011.07.27)
低功耗铁电内存（F-RAM) 和整合式半导体供货商Ramtron于近日共同宣布，该公司最新铁电随机存取内存（F-RAM） 产品的样片现已在IBM的新生产线生产。此一新产品FM24C64C是64 Kb、5V串行F-RAM器件，以总线速率运行且无写入延迟，并支持高达1万亿次（1e12）的读/写周期，这比相同等级的EEPROM器件高出100万倍 |
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Ramtron推出具有宽工作电压范围的串并列内存 (2011.04.01)
Ramtron International Corporation (简称Ramtron)近日宣布，推出W系列的 F-RAM内存，W系列器件具有串行I2C、SPI接口和并列接口（parallel interface），可提供从2.7V到5.5V的宽电压范围。此外，W系列具有更高的性能，如工作电流（active current）需求降低了25%至50%，串行器件的首次存取启动（初始上电）速度加快20倍 |
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Ramtron推出FRAM无线内存的商用样品 (2010.08.12)
Ramtron于前日（8/10）宣布，开始提供其具有F-RAM特性之MaxArias无线内存之商用样品。Ramtron的MaxArias系列无线内存，将非挥发性F-RAM内存技术的低功耗、高速度和高耐久性等特性 |
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Ramtron 1Mbit串行F-RAM提升至汽车标准要求 (2010.07.06)
Ramtron日前宣布，其1Mbit、2.0V-3.6V串行F-RAM内存FM25V10-G，通过了AEC-Q100 Grade 3标准认证，这项严格的汽车等级认证是汽车电子设备委员会（Automotive Electronic Council, AES）针对集成电路而制定的应力测试认证 |
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Ramtron推出新款32Kb串行非挥发性RAM器件 (2009.06.30)
Ramtron宣布推出一款编号为 FM24CL32的串行非挥发性RAM器件，它可提供高速读/写的性能、低电压运作，以及出色的数据保持能力。FM24CL32是32Kb 的非挥发性内存，工作电压的范围为2.7V至3.6V，采用8脚的SOIC封装，采用双线 (I2C) 协议；并提供快速存取、无延迟 (NoDelay) 写入、几乎没有限制的读/写次数 (1E14) 及低功耗特性 |
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Ramtron非挥发性状态保存器通过汽车标准认证 (2009.05.21)
非挥发性铁电内存(F-RAM)和整合式半导体产品开发商及供货商Ramtron International Corporation宣布，其两款非挥发性状态保存器(nonvolatile state saver)FM1105-GA和FM1106-GA已经通过AEC-Q100 Grade 1认证 |
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Ramtron发表512Kb和1Mb V系列串行F-RAM (2009.04.06)
Ramtron宣布为其新的并列和串行F-RAM系列新增两款产品，这些F-RAM组件可提供更高速的读/写性能、更低的工作电压和可选的器件特性。Ramtron的V系列F-RAM产品中最新产品的型号为512Kb的FM24V05和1Mb的FM24V10 |
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RAMTRON宣布与IBM达成代工协议 (2009.02.26)
Ramtron宣布已经与IBM达成代工服务协议，两家公司计划在IBM位于美国维佛蒙特州伯林顿市的先进晶圆制造设施内安装 Ramtron的F-RAM半导体制程技术，一旦安装完成，此一新代工服务将成为Ramtron 推出新款具成本效益的高性能F-RAM半导体产品之基础 |
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Ramtron新型4Mb F-RAM内存采用FBGA封装 (2009.02.24)
Ramtron宣布提供采用最新FBGA封装的4兆位（Mb）F-RAM内存。FM22LD16是一款采用48脚FBGA封装的3V、4Mb并行非挥发性F-RAM，具有访问速度高、几乎没有限制的读/写周期以及低功耗等优点 |
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Ramtron在V系列增添串行512Kb FRAM (2008.11.20)
Ramtron International推出F-RAM系列产品中的第二款串行组件FM25V05，提供高速读/写性能、低电压工作和可选器件特性。FM25V05是512Kb、2.0V至3.6V及具有串行周边接口（SPI）的非挥发性RAM，采用8脚SOIC封装，特点包括快速访问、无延迟（NoDelay）写入、1E14读/写次数和低功耗 |
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Ramtron推出1Mb并行FRAM (2008.11.18)
Ramtron推出全新并行和串行FRAM系列中的首款并行产品，提供更高速的读/写性能、更低的工作电压和可选组件的特性。Ramtron的V系列FRAM产品中的最新组件FM28V100，是100万位、2.0至3.6V的并行非挥发性RAM，采用32脚TSOP-I封装，具备快速访问、无延迟（NoDelay）写入、无乎无限的读写次数和低功耗特性 |
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Ramtron兆位串行FRAM内存 (2008.09.18)
Ramtron宣布推出新型F-RAM系列中的首款产品，具有高速读/写性能、低电压工作和可选组件的特性。Ramtron的V系列F-RAM产品的首款组件FM25V10，是100万位（Mb）、2.0至3.6V、具有串行外设接口（SPI）的非挥发性RAM，采用8脚SOIC封装，其特点是快速存取、无延迟（NoDelay技术）写入、1E14读/写次数和低功耗 |
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Ramtron委任贝能国际扩大FRAM中国销售管道 (2008.08.18)
Ramtron International将进一步增强中国市场渗透的措施，委任贝能国际（Burnon International）在中国内地及香港地区分销其全系列产品。
过去七年半以来，Ramtron在中国市场的销售大幅度成长，现在中国市场销售额占该公司亚太地区销售额超过三分之二 |
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其阳选择Ramtron的FRAM用于游戏机解决方案 (2008.08.08)
台湾应用工业计算平台制造商其阳科技（Aewin Technologies），已在其以Intel为基础的 GA-2000及以AMD为基础的GA-3000游戏和高分辨率多媒体PC电路板中，设计使用Ramtron的FM22L16 400万位FRAM非挥发性内存 |
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Energy Optimizers选择FRAM用于管理插头 (2008.07.25)
Ramtron宣布，英国的 ZigBee和蓝牙智能节能设备设计和制造商Energy Optimizers已将Ramtron的FM25L512 512千位（Kb）串行F-RAM内存，设计用于其Plogg系列无线能量管理插头中。F-RAM所提供的无延迟（NoDelay）写入、几乎无限的耐用性及低功耗特点 |
