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英飞凌CoolSiC萧特基二极体2000 V直流母线电压最高可达1500 VDC (2024.10.28)
许多工业应用如今可以透过提高直流母线电压以求功率损耗最低时，也朝向更高的功率水准。因应此需求，英飞凌科技（Infineon）推出CoolSiC萧特基二极体2000 V G5，这是市面上首款击穿电压达到2000 V的分立式SiC二极体，适用於直流母线电压高达1500 VDC的应用，额定电流为10 A 至80 A，符合光伏、电动汽车充电等高直流母线电压应用
JEOL推出新款Schottky Field Emission Scanning Electron Microscope JSM-IT810 (2024.07.30)
从观察到分析都可以轻松、准确、快速、高效使用的仪器，逐渐成为现代人的需求。JEOL公司近日发布新款Schottky Field Emission Scanning Electron Microscope JSM-IT810。JSM-IT810利用自动化技术提高了从仪器调整到观察和分析的操作效率
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极体 (2024.07.01)
威世科技（Vishay Semiconductors）推出16款新型第三代1200 V碳化??（SiC）肖特基二极体。Vishay器件采用混合PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流，有助於提升开关电源设计能效和可靠性
Nexperia汽车级肖特基二极体采用R2P DPAK 封装 (2024.06.11)
Nexperia宣布650V、10A 碳化矽（SiC）肖特基二极管现已通过汽车认证PSC1065H-Q，并采用真正的双引脚（R2P） DPAK （TO -252-2）封装，适合於电动车和其他汽车的各种应用。此外，为了扩展 SiC 二极体产品组合，Nexperia提供 TO-220-2、TO-247-2 和 D2PAK 额定电流为 6A、16A 和 20A 的工业级装置-2 包装有利於更大的设计灵活性
Diodes推出首款极小DSN1406 2A 封装的肖特基整流器 (2024.03.21)
Diodes 公司发布特基整流器系列，包括SDT2U30CP3 (30V/2A)、SDT2U40CP3 (40V/2A) 和 SDT2U60CP3 (60V/2A) ，在同级产品中实现了极高的电流密度，以低顺向压降和热阻的特性，为体积更小且更有效率的可携式、行动和穿戴式设备克服了设计难题
新一代单片式整合氮化??晶片 (2022.05.05)
氮化??或氮化铝??（AlGaN）的复合材料能提供更高的电子迁移率与临界电场，结合HEMT的电晶体结构，就能打造新一代的元件与晶片。
Diodes推出超小型CSP萧特基整流器 可节省电路板空间 (2022.05.04)
Diodes公司（Diodes）宣布推出一系列以超小型晶片级封装（CSP）的高电流萧特基（Schottky）整流器，SDM5U45EP3（5A、45V）、SDM4A40EP3（4A、40V）及SDT4U40EP3（4A、40V）达到业界同级最高电流密度，满足市场对於尺寸更小、更高功率的电子系统需求
Littelfuse新增1700 V碳化矽萧特基阻障二极体提供更快和低损耗开关 (2021.08.17)
Littelfuse公司今（17）日宣布扩充其碳化矽（SiC）二极体产品组合，新增1700 V级产品适用于资料中心、建筑物自动化和其他高功率电子应用。 LSIC2SD170Bxx系列碳化矽萧特基二极体采用TO-247-2L封装，可选择额定电流10A、25A或50A
电源元件市场高成长 激化品牌创新与纵横合作 (2020.12.02)
再生能源、智慧运算与无线互联的科技愿景当前，寻获最适的新兴材料、元件架构与系统设计，成为全球电源元件供应大厂争相追求的火种—迸发创新的束束火光，已然在全球前沿电力电子市场发散热力
Microchip推出最新汽车用700和1200V碳化矽萧特基二极体 (2020.10.29)
汽车电气化浪潮正席卷全球，电动汽车搭载的马达、车载充电器和DC/DC转换器等高压汽车系统都需要碳化矽（SiC）等创新电源技术。Microchip今日宣布推出最新通过认证的700和1200V碳化矽（SiC）萧特基二极体（SBD）功率元件，为电动汽车（EV）系统设计人员提供了符合严苛汽车品质标准的解决方案，同时支援丰富的电压、电流和封装选项
Toshiba Launches 1200V Silicon Carbide MOSFET That Contributes to High-efficiency Power Supply (2020.10.19)
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation has launched “TW070J120B,” a 1200V silicon carbide (SiC) MOSFET for industrial applications that include large capacity power supply. Shipments start today. The power MOSFET using the SiC, a new material, achieves high voltage resistance, high-speed switching, and low On-resistance compared to conventional silicon (Si) MOSFET, IGBT products
绿能重大突破！台湾研究团队利用超薄原子层材料开发光电化学制氢技术 (2020.02.12)
在科技部「尖端晶体材料开发及制作计画」长期的支持下，由台湾大学陈俊维教授，台湾科技大学黄炳照教授与东海大学王迪彦教授所组成之跨校际之「新世代能源研究团队」，最近在再生洁净能源相关之研究，「利用太阳能转换氢能」 相关议题，有重大之突破：研发出以原子层材料石墨烯与矽基材料结合之新型的光电化学制氢技术
新款200V耐压萧特基二极体有效降低功耗并实现小型化设计 (2019.08.27)
近年来，在48V轻度混合动力驱动系统中，将马达和周边零件集中在一个模组内的「机电一体化」已成为趋势，而能够在高温环境下工作的高耐压、高效率超低IR[1]萧特基二极体[2]（简称SBD）之需求也日益增加
解决7奈米以上CMOS的接触电阻挑战 (2019.06.11)
随着新型钛矽化技术的发展，来自爱美科（imec）的博士生Hao Yu，介绍了改进源/汲极接触方案，这将能解决先进CMOS技术接触电阻带来的挑战。
安森美半导体将於欧洲PCIM 2019推出新款IGBT产品 (2019.04.30)
安森美半导体（ON Semiconductor）将於5月7日开始的德国纽伦堡欧洲PCIM 2019展会推出新的基於碳化矽（SiC）的混合IGBT和相关的隔离型大电流IGBT门极驱动器。 AFGHL50T65SQDC采用最新的场截止IGBT和SiC萧特基二极体（Schottky Diode）技术
Wolfspeed推出首个满足汽车AEC-Q101标准的SiC器件系列 (2018.08.09)
科锐旗下Wolfspeed宣布推出E-系列碳化矽（SiC）半导体器件，这一新型产品家族针对电动汽车EV和可再生能源市场，能够为车载汽车功率转换系统、非车载充电、太阳能逆变器和其它户外应用提供目前最高的功率密度和长期可靠性
东芝推出最新低热阻及低逆向电流之肖特基二极体 (2018.07.16)
东芝电子元件及储存装置株式会社推出新型肖特基障壁二极体产品CUHS10F60，主要用於电源电路整流和回流预防等应用。 CUHS10F60在其新开发的US2H封装中采用105。C/W低热阻，封装代码为SOD-323HE，该封装的热阻较传统USC封装降低约50%，散热效果更隹
Littelfuse SiC萧特基二极体降低能源成本和空间要求 (2018.06.30)
Littelfuse新推出五款GEN2系列1200 V 3L TO-247萧特基二极体和三款GEN2系列1200 V 2L TO-263萧特基二极体，扩充其碳化矽电源半导体产品组合。 相比矽二极体，GEN2碳化矽萧特基二极体可显着降低开关损耗，并大幅提高电力电子系统的效率和可靠性
[Datasheet] LT8672-[Datasheet] LT8672 (2018.06.29)
[Datasheet] LT8672
[英文新闻稿] Active Rectifier Controller with Reverse Protection-[英文新闻稿] Active Rectifier Controller with Reverse Protection (2018.06.29)
[英文新闻稿] Active Rectifier Controller with Reverse Protection


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