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Microchip与韩国IHWK合作 开发类比计算平台 (2023.09.14)
为了适应网路边缘人工智慧（AI）计算及相关推论演算法的快速发展，韩国智慧硬体公司（IHWK）正在为神经技术设备和现场可程式设计神经形态设备开发神经形态计算平台 |
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堆叠层数再升级 储存容量免焦虑 (2023.08.28)
本次要介绍的产品，是来自SK海力士（SK Hynix）最新的一项记忆体产品，它就是目前全球最高层树的「321层NAND快闪记忆体」。 |
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创新SOT-MRAM架构 提升新一代底层快取密度 (2023.04.17)
要将自旋轨道力矩磁阻式随机存取记忆体（SOT-MRAM）用来作为底层快取（LLC），目前面临了三项挑战；imec在2022年IEEE国际电子会议（IEDM）上提出一套创新的SOT-MRAM架构，能够一次解决这些挑战 |
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意法半导体整合CAN FD Light协议推出L99LDLH32线性稳流器 (2022.10.27)
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）推出的L99LDLH32线性稳流器，根据轻型CAN FD Light协议为动态车用照明控制提供方便的整合性解决方案，并可与很小表面之发射明亮、均匀且高对比光线的OLED完美搭配，设计师除了能为汽车打造复杂图案及光效外，亦可提升其安全性及外观设计 |
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实现洁净发电：新一代电池与储能技术 (2022.09.24)
对间歇性发电的再生能源电力系统来说，很难将它们稳定地连接到商业电网。最隹的解决方案，就是开发大规模的储能电池技术，将电力储存起来。 |
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力旺和鸨码宣布全球首个嵌入式快闪记忆体IP通过联电矽验证 (2022.06.28)
力旺电子及其子公司鸨码科技和全球半导体晶圆专工业界的领导厂商联华电子，今日共同宣布全球首个基於物理不可复制功能（PUF）的嵌入式快闪记忆体（Embedded Flash；eFlash）解决方案通过矽验证 |
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宇瞻工控宽温SSD可为智能联网实现最隹资料存储耐用性和成本效益 (2022.03.10)
3D NAND快闪记忆体广泛用於各种工业应用及垂直细分市场，根据Allied Market Research发布的3D NAND快闪记忆体市场展??，2020 年全球 3D NAND 快闪记忆体市场规模为 123.8 亿美元，预计到 2030 年将达到 784.2 亿美元，2021至 2030 年的复合年增长率(CAGR)为 20.3% |
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美光推出176层NAND资料中心SSD 满足资料中心工作负载需求 (2022.03.04)
美光科技宣布全球首款垂直整合的资料中心 176 层 NAND 固态硬碟 (SSD) 已正式送样。为满足高标准的资料中心工作负载需求，采用 NVMeTM 技术的美光 7450 SSD 能将服务品质 (QoS) 延迟1控制在 2 毫秒 (ms) 或以下、多样的容量设计和业界最多元的规格尺寸 |
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儒卓力供应Lumberg大电流接触元件 提供灵活的机电连接??入选择 (2021.05.03)
Lumberg相位接触元件可在狭窄空间中实现最隹连接，它在两侧具有敞开的接触表面(面积14.0mm x 10.2mm)，提供了多种??配选择：从上方、穿过PCB或从下方(间距0.8/1.0mm)。接触元件在汽车领域众多应用上均不可或缺，例如工业电动马达的变频器、电动汽车中的控制单元、电池储存单元或车载充电模组 |
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启方半导体第二代0.13微米嵌入式快闪储存技术 将在汽车半导体制程量产 (2021.04.06)
韩国唯一专营积体电路制造代工服务公司启方半导体(Key Foundry)今天宣布已成功开发出采用第二代0.13微米嵌入式快闪储存技术的汽车半导体产品，年内将全面投入量产。
五年多来，启方半导体借助第一代0.13微米嵌入式快闪储存技术，不断推进微控制器(MCU)、触控(Touch)和自动对焦(Auto Focus)等各种消费类应用产品的量产 |
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Western Digital与??侠共推第六代126层3D快闪记忆体 (2021.02.25)
Western Digital与??侠株式会社（Kioxia），今日共同宣布完成第六代162层的3D快闪记忆体（BiCS6）技术开发，为双方20年的合作关系立下一个全新里程碑。
第六代3D快闪记忆体拥有超越传统八维堆叠储存通孔阵列的先进架构 |
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ROHM推出读入最快的EEPROM 减省30%装置生产工时 (2021.01.06)
半导体制造商ROHM推出全新EEPROM「BR24H-5AC系列」，新产品针对车电相机/感测器出厂设定、安全气囊弹出记录，以及需要长时间通电的FA装置和伺服器资料记录系统等应用而设计，在严苛环境可稳定储存/写入资料、还支援I2C汇流排和125℃工作 |
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BCM将高压电池转化至SELV系统 (2020.09.15)
纯电动汽车和混合动力汽车的电源架构以混合电压储存并分配电源，以便为各种感测、控制、安全及资讯娱乐子系统供电。这为电源储存和供电网路带来了一个成本、空间及重量挑战 |
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扫除导热阴霾 拉近IC与AI的距离 (2020.09.03)
不论是处理器或终端应用晶片，都面临散热的严峻挑战，未来晶片设计也显现高度整合与智慧化的发展趋势。 |
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鉴往知来 洞察不同应用领域的DRAM架构（下） (2020.08.13)
本文上篇已回顾了各种DRAM的特色，下篇则将进一步探讨3D结构发展下的DRAM类型，并分享爱美科的DRAM发展途径。 |
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三星推出8TB消费级固态硬碟 结合HDD级大容量与SSD高性能 (2020.07.27)
台湾三星电子宣布将推出第二代四层储存单元（QLC）快闪固态硬碟━870 QVO SATA SSD，为大容量消费电子储存产品树立新标竿。新款固态硬碟（SSD）以高达8TB的超大容量霸气领先群雄，结合无与伦比的速度、储存空间和可靠性，锁定主流市场和专业PC使用者 |
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NOR记忆体朝向高容量、低功耗、小尺寸发展 (2020.06.09)
因为先天的架构设计差异，NOR的重要性在近期备受注目，尤其是在5G基地台、汽车电子，以及高性能的工业应用上。 |
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Marvell与鸿海、智邦和??侠合作 加速端到端乙太网路储存采用 (2020.03.12)
Marvell近日宣布，与SSD供应商??侠(KIOXIA)及原始设计制造商鸿海科技集团旗下鸿佰科技(Foxconn-Ingrasys)、智邦科技(Accton)携手合作，共同将开创性的乙太网路快闪记忆体束(EBOF)技术解决方案推向市场 |
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Western Digital推出BiCS5 3D NAND技术 满足庞大且快速增长的资料储存需求 (2020.02.24)
Western Digital今（24）日宣布成功开发出第五代3D NAND技术BiCS5，提供最先进的快闪记忆体技术。BiCS5采用三层单元（TLC）与四层单元（QLC）两种架构，能以极具吸引力的成本提供卓越的容量、效能与稳定性，满足因连网汽车、行动装置与人工智慧而急速增长的资料量需求 |
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实现物联网与云端运算的新型记忆体技术 (2019.10.04)
研究指出，以 MRAM取代微控制器中的 eFlash 和 SRAM，可节省达 90% 的功耗。这些功耗与面积成本优势，使得MRAM成为边缘装置的理想选择。 |
