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ASML与imec成立High-NA EUV微影实验室 (2024.06.05)
比利时微电子研究中心（imec）与艾司摩尔（ASML）共同宣布，双方於荷兰费尔德霍温合作开设的高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）微影实验室正式启用，为尖端的逻辑、记忆体晶片商以及先进的材料、设备商提供第一部高数值孔径（high-NA）极紫外光（EUV）曝光机原型TWINSCAN EXE:5000以及相关的制程和量测工具 |
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英特尔晶圆代工完成商用高数值孔径极紫外光微影设备组装 (2024.04.22)
英特尔位於美国俄勒冈州希尔斯伯勒的英特尔研发基地中，研发人员已完成商用高数值孔径极紫外光微影设备（High NA EUV）组装。此台由微影技术领导者艾司摩尔（ASML）供应的TWINSCAN EXE:5000 High-NA EUV微影设备，将开始进行多项校准步骤，预计於2027年启用、率先用於Intel 14A制程，协助英特尔推展未来制程蓝图 |
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低 IQ技术无需牺牲系统性能即可延长电池续航力 (2024.04.17)
由於电池制造的功率需求带来全新且复杂的限制，使得现今电池续航力必须具备最长的运作时间与更长的保存寿命，且无需牺牲系统性能。 |
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应材Sculpta图案化解决方案 拓展埃米时代晶片制造能力 (2024.02.29)
随着台湾晶圆代工大厂持续向外扩充版图，并将制程推进至2nm以下，正加速驱动晶片制造厂商进入埃米时代，也越来越受惠於新材料工程和量测技术。美商应用材料公司则透过开发出越来越多采用Sculpta图案成形应用技术，与创新的CVD图案化薄膜、蚀刻系统和量测解决方案 |
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Imec展示高数值孔径EUV生态系统进展 率先导入ASML曝光机 (2024.02.26)
於本周举行的2024年国际光学工程学会（SPIE）先进微影成形技术会议（Advanced Lithography and Patterning Conference）上，比利时微电子研究中心（imec）将呈现在极紫外光（EUV）制程、光罩和量测技术方面取得的进展，这些技术都在为实现高数值孔径（high-NA）EUV微影应用而筹备 |
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Toppan Photomask与IBM签署EUV光罩研发协议 推进2奈米技术 (2024.02.14)
半导体光罩供应商Toppan Photomask宣布，已与IBM就使用极紫外(EUV)光刻技术的2奈米(nm)节点逻辑半导体光罩的联合研发达成协议。该协议尚包含开发用於下一世代半导体的高NA EUV光罩 |
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新唐Cortex-M4微控制器系列推升工作极宽温范围 (2023.12.26)
新唐科技全新一代高性能M463微控制器系列搭载200 MHz Arm Cortex-M4处理器，同时推升工作温度范围从-40℃至125℃，应对严苛的高温环境要求，并确保在极端条件下稳定运行。除了极宽温工作温度范围外 |
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新唐科技针对来汽车电子和工业市场 推出Cortex-M4微控制器系列 (2023.12.26)
新唐科技推出高性能M463微控制器系列，此系列搭载了200 MHz Arm Cortex-M4处理器，同时一举推升工作温度范围从-40℃至125℃，以应对严苛的高温环境要求，并确保在极端条件下稳定运行 |
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康隹特COM Express模组通过IEC-60068认证 可应用於铁路运输领域 (2023.09.11)
全球嵌入式和边缘运算技术供应商德国康隹特宣布，搭载第11代Intel Core（代号Tiger Lake）处理器的conga-TC570r COM Express Type 6 Compact模组获得IEC-60068认证。获得此认证显示该系列模组可应用於铁路运输领域，也是肯定该系列在应对温差过大，温度变化迅速，冲击大，振动强等极端条件时的性能 |
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筑波与泰瑞达携手ETS 打造化合物半导体IC动态测试整合方案 (2023.09.01)
筑波科技(ACE Solution)与美商泰瑞达(Teradyne)携手合作推出ETS GaN Mos、Power Module、IGBT测试整合方案。半导体功能测试（FT）向来需要克服各种挑战，包括复杂的案例设计、执行和系统维护、数据分析管理，以及对测试环境稳定性的高度要求 |
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imec与ASML签署备忘录 推动欧洲半导体的研究与永续创新 (2023.06.30)
比利时微电子研究中心（imec）及艾司摩尔（ASML）宣布，双方计画在开发最先进高数值孔径（high-NA）极紫外光（EUV）微影试验制程的下一阶段强化彼此之间的合作。
该试验制程的目标是协助采用半导体技术的所有产业了解先进半导体技术所能带来的契机，并提供一套能在未来支援其创新的原型设计平台 |
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STLINK-V3PWR线上除错烧录器 支援下一代超低功耗应用 (2023.05.26)
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）新推出之STLINK-V3PWR是一款线上除错烧录器，能够准确地测量在任何一款STM32微控制器（MCU）上运行的应用功耗。
该产品的宽动态测量能够处理物联网和无线应用等功耗敏感的开发专案，范围从奈安培（Nanoamp，nA）到500mA的电流值，而且准确度维持在±0.5% |
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imec观点：微影图形化技术的创新与挑战 (2023.05.15)
此篇访谈中，比利时微电子研究中心（imec）先进图形化制程与材料研究计画的高级研发SVP Steven Scheer以近期及长期发展的观点，聚焦图形化技术所面临的研发挑战与创新。 |
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Silicon Labs推出整合电路xG27 SoC和BB50 MCU系列 (2023.03.15)
Silicon Labs（芯科科技）今日推出两款专为极小型 IoT 装置设计的新式整合电路系列：xG27系列蓝牙晶片系统（SoC）和 BB50 微控制器（MCU）。xG27和BB50系列专为极小尺寸之物联网设备而设计，尺寸范围从2平方公厘（约为标准#2铅笔芯的宽度）到5平方公厘（小於标准#2铅笔的宽度） |
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看好晶片微缩进展 imec提出五大挑战 (2023.03.13)
面对当代的重大挑战时，人工智慧应用越来越广泛，未来的运算需求预计会每半年翻涨一倍。为了在处理暴增的巨量资料的同时维持永续性，需要经过改良的高性能半导体技术 |
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应材推出电子束量测系统 提升High-NA EUV制程的控制与良率 (2023.03.08)
由於包含极紫外光（EUV）和新兴高数值孔径（High-NA）的光阻越来越薄，量测半导体元件特徵的关键尺寸变得愈来愈具挑战性。应用材料公司最新推出新的电子束（eBeam）量测系统，则强调专门用来精确量测由EUV和High-NA EUV微影技术所定义半导体元件的关键尺寸（critical dimension） |
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探索IC电源管理新领域的物联网应用 (2023.02.17)
本文深入探讨物联网电池技术，并提出设计人员可能面临的一些电源问题，以及ADI提供的解决方案。这些高效的解决方案可以协助克服物联网装置中的其他问题，包括尺寸、重量和温度 |
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如何达到3D位置感测的即时控制 (2022.11.28)
本文回顾3D霍尔效应位置感测器的基础知识，并描述在机器人、篡改侦测、人机介面控制和万向节马达系统中的用途；以及介绍高精密度线性3D霍尔效应位置感测器的范例 |
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ASML：将提升EUV机台年产能 并回购120亿欧元股票 (2022.11.11)
微影技术商艾司摩尔(ASML)，於投资人会议中表示，预计将年产能增加到90 台EUV，和600台DUV系统（2025-2026 年），以及20台High-NA EUV系统（2027-2028 年）。同时，计画回购高达120亿欧元的股票，并计画执行200 万股的员工分红计划，同时将注销剩馀的回购股份 |
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国际太空站KIBO机器人程式设计挑战赛 台大获第一 (2022.10.30)
由日本宇宙航空研究开发机构（JAXA）与美国航太总署（NASA）主办的「国际太空站KIBO机器人程式设计挑战赛」（KIBO-RPC）决赛，在国研院太空中心的台湾预赛中脱颖而出的台湾大学KIBO la na tsu bu KIBO / Robology Awesome Aliensu队，夺下第一名隹绩 |
