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力旺电子和联电合作22奈米RRAM可靠度验证 对应AIoT和行动通讯市场需求 (2023.03.28)
力旺电子与联华电子今（28）日宣布，力旺的可变电阻式记忆体（RRAM）矽智财已通过联电22奈米超低功耗的可靠度验证，为联电的AIoT与行动通讯应用平台提供更多元的嵌入式记忆体解决方案 |
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ST推出新一代Bluetooth系统晶片 新增位置追踪和即时定位功能 (2022.08.10)
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）推出第三代Bluetooth系统晶片（SoC），新增了用於位置追踪和即时定位的蓝牙方向找寻技术。
从透过得知蓝牙低功耗（BLE）讯号的方向，蓝牙5.3认证系统晶片BlueNRG-LPS能精确估算出物体运动的方向和位置，精准度在公分等级 |
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力旺和鸨码宣布全球首个嵌入式快闪记忆体IP通过联电矽验证 (2022.06.28)
力旺电子及其子公司鸨码科技和全球半导体晶圆专工业界的领导厂商联华电子，今日共同宣布全球首个基於物理不可复制功能（PUF）的嵌入式快闪记忆体（Embedded Flash；eFlash）解决方案通过矽验证 |
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车用晶片供需2023年见真章！ (2022.03.29)
由於设备建置与认证需要至少约一年的时间，产能最快2023年开出。因此，2022年车用晶片虽然不若2021年吃紧，供需恢复正常最快也要等到2023年。 |
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力旺携手联电推出新兴非挥发记忆体ReRAM矽智财 (2021.11.04)
力旺电子与联电(UMC)今日宣布，力旺电子的可变电阻式记忆体（ReRAM）矽智财已成功通过联电40奈米认证，支援消费性与工业规格之应用。
力旺电子的ReRAM矽智财于联电40奈米制程验证成功，充分显示力旺不但在传统非挥发记忆体矽智财产品线稳居领先地位，也在新兴非挥发记忆体技术研发布局有成 |
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可在量产中实现良率管理的STT-MRAM磁性测试 (2021.06.02)
由于STT-MRAM（自旋转移距－磁性随机存取记忆体）具有快速、非挥发性、耐用，低功耗和可扩展的优点，是目前正迅速获得关注的新记忆体技术之一。它是替代eFlash的强大候选者，尤其是对汽车、物联网和其他低功耗应用特别有吸引力 |
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启方半导体第二代0.13微米嵌入式快闪储存技术 将在汽车半导体制程量产 (2021.04.06)
韩国唯一专营积体电路制造代工服务公司启方半导体(Key Foundry)今天宣布已成功开发出采用第二代0.13微米嵌入式快闪储存技术的汽车半导体产品，年内将全面投入量产。
五年多来，启方半导体借助第一代0.13微米嵌入式快闪储存技术，不断推进微控制器(MCU)、触控(Touch)和自动对焦(Auto Focus)等各种消费类应用产品的量产 |
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TrendForce：中芯进囗美系设备露曙光 成熟制程生产暂无疑虑 (2021.03.07)
近日美系主要半导体设备WFE（Wafer Fab Equipment）供应商如Applied Materials、Lam Research、KLA-Tencor、Axcelis，在中芯14nm及以上制程的客服、备品与机台等相关出囗申请有??获许可。
TrendForce认为此举将有助於中芯在成熟制程优化模组与改善产能瓶颈，使下半年原物料与备品不至断链，预估2021年中芯的全球市占率仍可达4.2% |
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力旺、鸨码携手联电 开发PUF应用安全嵌入式快闪记忆体 (2020.12.10)
力旺电子(eMemory)及其子公司鸨码科技(PUFsecurity)与晶圆大厂联华电子(UMC)今日宣布，三方成功共同开发全球首个PUF应用安全嵌入式快闪记忆体解决方案PUFflash。
鸨码科技的PUFflash结合三方技术强项，将力旺电子的NeoPUF导入联华电子55nm嵌入式快闪记忆体技术平台，为市场提供了安全嵌入式快闪记忆体解决方案 |
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疫情无碍订单 第二季全球晶圆代工产值年增2成 (2020.06.11)
根据TrendForce旗下拓??产业研究院最新调查，2020年第一季晶圆代工订单未出现大幅度缩减，以及客户扩大既有产品需求并导入疫情衍生的新兴应用，加上2019年同期基期低，全球前十大晶圆代工业者2020年第二季营收年成长逾2成 |
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实现物联网与云端运算的新型记忆体技术 (2019.10.04)
研究指出，以 MRAM取代微控制器中的 eFlash 和 SRAM，可节省达 90% 的功耗。这些功耗与面积成本优势，使得MRAM成为边缘装置的理想选择。 |
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意法半导体NFC技术提供TCL Alcatel 3V手机卓越的连结体验 (2018.06.13)
意法半导体（STMicroelectronics）宣布TCL通讯为欧洲市场开发的新款Alcatel 3V智慧型手机采用了意法半导体近距离通讯（Near-Field Communication，NFC）技术。
Alcatel 3V智慧型手机的开发重点是透过NFC功能改善使用者体验和便利性，同时提升射频性能，而不会过多地消耗电池电量，此乃意法半导体NFC控制器的独有技术 |
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华虹半导体第二代90nm G1 eFlash 工艺平台成功量产 (2017.12.27)
华虹半导体宣布其第二代90奈米嵌入式快闪记忆体90nm G2 eFlash工艺平台已成功实现量产，技术实力和竞争力再度加强。
华虹半导体在第一代90奈米嵌入式快闪记忆体(90nm G1 eFlash)工艺技术积累的基础上，於90nm G2 eFlash工艺平台实现了多方面的技术提升 |
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华虹半导体推出12位SAR ADC IP助超低功耗MCU平台 (2017.12.17)
华虹半导体宣布基於其0.11微米超低漏电（Ultra-Low-Leakage，ULL）嵌入式闪存（eFlash）工艺平台，推出自主设计的超低功耗12位逐次逼近（SAR）型模数转换器（ADC）（12-Bit SAR ADC）IP |
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车电展登场 瑞萨:台厂可从两大技术着手切入ADAS应用 (2017.04.19)
2017「台北国际汽车零配件展与台北国际车用电子展」于今(19)日登场，全球最大车用MCU与SoC产品供应商日本瑞萨电子也参与其中，并向台湾媒体揭露其在台车用市场相关布局，以及该公司针对车用市场的现况发展 |
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瑞萨与台积电合作开发车用28奈米MCU (2016.09.01)
瑞萨电子与台积公司合作开发28奈米嵌入式快闪记忆体(eFlash)制程技术，以生产支援新世代环保汽车与自动驾驶车的微控制器(MCU)。采用此全新28奈米制程技术生产的车用MCU预计于2017年提供样品，2020年开始量产 |
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奥地利微电子和意法半导体携手推出安全NFC行动支付与交易解决方案 (2016.01.07)
奥地利微电子（ams）与意法半导体（STMicroelectronics；ST）携手推出全新的NFC系统参考设计，将为非接触式交易实现更高的便利性、可靠度及安全性，同时还能符合行动及穿戴式装置对纤薄外观的要求 |
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瑞萨电子开发28奈米嵌入式闪存技术 (2015.05.15)
瑞萨电子（Renesas）宣布已开发全新闪存技术，可达到更快的读取与覆写速度。 这项新的技术是针对采用28奈米（nm）嵌入式闪存（eFlash）制程技术的芯片内建闪存微控制器（MCU）所设计 |
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英飞凌与格罗方德共同开发 40nm嵌入式Flash制程 (2013.04.30)
英飞凌科技与格罗方德公司 (Globalfoundries Inc.) 今日宣布共同开发并合作生产 40 奈米 (nm) 嵌入式闪存 (eFlash) 制程技术。这项合作案将着重于以英飞凌 eFlash 芯片设计为基础的技术开发，以及采用 40nm 制程的车用微控制器及安全芯片的制造 |
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ST推出新微控制器产品 将汽车安全推向更高水平 (2013.03.01)
意法半导体（ST）宣布，该公司的多核微控制器系列产品再添新成员。新的多核微控制器针对汽车电子功能安全应用，不仅符合最严格的汽车安全标准（ISO 26262），并提高了非挥发性内存（Non-volatile Memory）的容量，让客户可方便地的使用现有组件进行系统升级，更加强了意法半导体的容错汽车微控制器的产品阵容 |
