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CTIMES / 静态随机存取内存
科技
典故
Internet的起源

组成Internet的两大组件,一是作为传达内容的本体—超文本,另一个是传输的骨干—网络,网际骨干可追溯到1968年的美俄冷战时期,当时美国国防部的DARPA计划发展出ARPANET,网页结构则是由超文件(Hypertext)演变而来。
宜鼎全面扩充边缘AI智慧应用与智慧储存 (2024.05.30)
●首度揭示Architect Intelligence全新品牌主张,展现Innodisk AI策略布局 ●AI人流追踪、空气品质管理、智慧制造解决方案,全面加速产业应用边缘AI落地 ●旗下首款工控级CXL记忆体、16TB大容量系列SSD
宜鼎发布全球首款Ultra Temperature极宽温DRAM模组 (2021.10.27)
近来全球记忆体市场话题不断,DRAM新品持续在容量、频宽及速度上力求突破;看似面面俱到,却始终不见耐受温度向上提升,使得严苛的高温应用情境备受挑战。为此,宜鼎国际正式推出全球首款「Ultra Temperature」极宽温DDR4记忆体模组
拓展伺服器记忆体产品组合 Crucial 首推 32GB NVDIMM 系列 (2018.10.31)
Micron Technology 旗下领导全球记忆体及储存升级方案的消费者品牌 CrucialR,於今日发表一款全新的 32GB 非挥发性 DIMM (NVDIMM) 产品,协助企业在系统电力中断的情况下保存关键资料,并缩短停机时间以避免成本上的浪费
美高森美为关键任务应用推出建基于SLC的高容量安全固态硬碟 (2015.08.04)
美高森美公司(Microsemi)针对国防、情报、无人机(unmanned aerial vehicle, UAV)和其它国防相关网路区域储存(NAS)应用, 推出具备高安全性和容量等级的序列先进技术附接(serial advanced technology attachment, SATA) 固态硬碟(solid state drive, SSD)
Altera展示FPGA中的DDR4记忆体资料速率 (2014.12.25)
Altera公司宣布,在矽晶片中展示了DDR4记忆体介面,其运作高速率为2,666 Mbps。 Altera的Arria 10 FPGA和SoC是目前支援此速率DDR4记忆体的FPGA,记忆体性能比前一代FPGA提高了43%,比20 nm FPGA高出10%
[专栏]记忆体撞墙效应谁来解? (2014.12.15)
电脑系统的效能精进,在近年来遭遇一些问题,例如处理器的时脉撞墙(Clock Wall)问题,即运作时脉难以超越4GHz,2011年第4季Intel推出第二代的Core i7处理器达3.9GHz,至今Intel所有的处理器均未超过3.9GHz
HGST推出通过VMWARE认证的完整性阶层式储存产品组合 (2014.10.20)
为协助全球释放数据数据力量,HGST(昱科环球储存科技)宣布,其生产的 SAS 企业级HDD、PCIe与SAS接口的SSD等多款硬盘通过VMware认证,并能在VMware Virtual SAN环境下提供互动操作的储存层
真的是拆上瘾! iPhone 4成本结构大曝光! (2010.06.29)
看起来大家真的是拆上瘾了。iPhone 4正式问世没多久,各界就无所不用其极地把iPhone 4拆解开来,进行巨细靡遗的分析。不让专业拆解网站iFixit专美于前,市调研究机构iSuppli的拆解分析服务部门,也对于iPhone 4内部各个主要零组件的成本进行细致的推估
Cypress推出首款65奈米制程SRAM (2009.05.05)
Cypress公司4日宣布推出业界首款采用65奈米线宽的Quad Data Rate(QDR)与Double Data Rate(DDR)SRAM组件。此新款72-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII、以及DDRII+内存,采用与晶圆代工伙伴联华电子合作开发的制程技术
华邦电子推出了高应用度之DDR2 SDRAM产品 (2009.03.27)
华邦推出了高应用度之DDR2 SDRAM产品,包括: 256Mb (W9725G6IB系列), 512Mb (W9751G6IB系列), 1Gb (W971GG6IB系列)。华邦所有产品通过ROHS标准,且符合日本绿色采购调查标准化协会(JGPSSI) 严苛标准,适用于各类型的电子产品上
广域电压范围操作之静态随机存取记忆体设计 (2009.02.03)
目前设计低功率SOC系统的主要方式,是以操作速度需求不高的电路以较低VDD来设计,低电压高效能的记忆体设计将是其中一项主要的挑战。本设计应用了低电压操作原理,把静态随机存取记忆体操作在0.5V,让此设计在使用时能够达到80MHz的最高操作频率
报告:DRAM持续减产有助于价格回稳 (2008.12.25)
外电消息报导,市场研究公司DRAMeXchange日前发表一份最新的最新内存市场调查报告。报告中指出,由于内存持续的减产,明年1月~3月全球内存产出仍将维持负成长,加上全球第一季PC销售下滑,DRAM的价格将可望落底,并逐渐回温
东芝、IBM及AMD合作开发出世界最小的SRAM (2008.12.20)
外电消息报导,东芝、IBM与AMD日前共同宣布,采用FinFET共同开发了一种静态随机内存(SRAM),其面积仅为0.128平方微米,是目前世界上最小的SRAM。这项技术是在上周(12/16)在旧金山2008年国际电子组件会议上所公布的
汽车后视摄影机鱼眼影像修正的FPGA弹性架构 (2008.12.08)
鱼眼摄影机越来越广泛应用在汽车的后视影像系统。其所所捕捉到的影像应该进行修正,使其接近光线直射时所看到的影像。修正过程需要进行大量的数学运算,因此无法轻易地以FPGA实现
新一代NVM内存之争 MRAM赢面大 (2008.11.12)
全球先进半导体设备及制程技术供货商Aviza今日(11/13)在台表示,MRAM有希望从多家新一代非挥发性内存(Non-Volatile Memory;NVM)技术中脱颖而出,并取代目前主流的SRAM,成为终极的通用型内存解决方案
08年Q2全球内存销售 三星依旧称王 (2008.08.11)
外电消息报导,市场研究公司iSuppli日前表示,根据统计数据,今年第二季三星电子在全球内存市场上依旧表现抢眼,市场占有率已超过了30%,持续维持第一大内存厂的龙头地位
三星:下半年内存市场前景仍不明朗 (2008.05.28)
外电消息报导,三星电子半导体事业部总裁权五铉日前表示,内存芯片价格已经触底,且短期内不会大幅反弹,内存産业今年下半年的前景也仍不明朗。 权五铉表示,受次贷危机及中国震灾的影响,使得内存芯片价格短期内不会大幅提升
华邦电子推出低功率行动内存 (2008.02.29)
华邦电子即将参加由Global Sources所主办的2008 IIC-China深圳(3/3-4深圳会展中)、上海(3/10-11上海世贸商城),届时也将展出华邦两大系列行动内存产品-低功率耗易失存储器及虚拟静态内存,并推出一系列低功耗易失存储器512Mb Low Power DRAM
奇梦达宣布突破性的30奈米世代技术蓝图 (2008.02.28)
奇梦达公司宣布先进的技术蓝图,此技术可达30奈米世代,并在cell尺寸可至4F²。奇梦达的创新Buried Wordline技术结合高效能、低功耗及小芯片尺寸的特性,再次拓展公司的多元化产品组合
奇梦达1、2GB省电DDR3 SO-DIMMs开始出货 (2008.01.28)
奇梦达公司宣布1GB和2GB的DDR3 SO-DIMM内存模块(Double Data Rate 3 Small Outline Dual In-line Memory Modules)的样品开始出货给主要客户,以布局次世代的笔记本电脑市场。奇梦达将其最新的DDR3 SO-DIMMs优化,提供高度的省电功能

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