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Vishay推出具高敏感度/尺寸比之红外接收器模块 (2007.10.29)
Vishay宣布推出具有业界最高敏感度/尺寸比的新系列表面贴装红外接收器模块。新型TSOP85..系列器件可在红外遥控、数据传输及光障应用中实现远距离操作，主要用于需要超薄、超小型组件的可擕式系统 |
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Vishay推出面向加热应用的PTC热敏电阻 (2007.10.29)
Vishay宣布推出面向加热应用的新系列自调节 PTC（正温度系数）热敏电阻。这些直接加热的PTCHP系列器件已进行了优化，可用作热致动器、杀虫剂与香水喷雾器及小型保温板等家电中的加热组件 |
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Vishay推新型DSMZ超高精度Z箔表面贴装分压器 (2007.10.23)
Vishay宣布推出新型DSMZ超高精度Z箔表面贴装分压器，该器件在0°C～+60°C范围内的TCR低至±0.05ppm/°C，在 −55°C～+125°C范围内低至±0.2ppm/°C，在额定功率时具有5ppm的PCR跟踪（“R，由于自加热”），并且具有±0.01%的匹配容差，以及±0.005%的负载寿命稳定性 |
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Vishay将光耦合器的温度范围扩展到+110ºC (2007.10.15)
Vishay Intertechnology宣布推出采用长形超薄4引脚及5引脚表面贴装SOP-6微型扁平封装的光耦合器，这些封装具有-40ºC～+110ºC的更广泛的新温度范围。TCLT系列光耦合器提供了更大封装时更高的隔离电压，同时也为设计人员提供了板面空间节约 |
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Vishay推出新系列P信道MOSFET (2007.10.11)
Vishay推出新系列P信道MOSFET，这些组件建立了每单位面积最低导通电阻的新记录。基于新一代TrenchFET芯片技术的新型Vishay Siliconix组件采用PowerPAK SC-70封装（2.05 mm×2.05 mm）时最大导通电阻额定值为29毫欧，采用标准SC-70封装（2.0 mm ×2.1 mm）时为80毫欧，采用SC-89封装（1.6 mm×1.6 mm）时为130毫欧 |
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Vishay推出新型低阻抗、双电源供电模拟开关 (2007.09.28)
Vishay推出五种新型低阻抗、高压模拟开关，接通电阻低至10Ω，可应用于音频、视频和数据交换等场合。新器件包括双电源供电单极/单掷(SPST)DG467、DG468、DG447和DG448以及单极/双掷(SPDT)DG449 |
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Vishay将SOIC-8光耦合器绝缘能力扩展到4000V (2007.09.26)
日前，为不断拓宽大多数小型光耦合器的目标应用，Vishay宣布其所有采用SOIC-8封装的光耦合器均已进行了升级，可提供4000V绝缘电压及6000V额定脉冲电压（VIOTM）。
为满足对高密度应用中更高额定值绝缘组件的不断增长的需求，Vishay提供了众多采用SOIC-8封装的光耦合器 |
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Vishay推出新型SMNZ超高精度Z箔四电阻网络 (2007.09.20)
Vishay宣布推出新型SMNZ超高精度Z箔四电阻网络，该器件在0°C～+60°C时具有±0.05ppm/°C的低绝对TCR，在额定功率时具有5ppm的出色PCR跟踪∆（“R，由于自加热”），并且具有0.01%的匹配容差以及0.005%的负载寿命比稳定性，并且通过Vishay的快速信道原型服务（Fastlane Prototype Service）可快速供货 |
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Vishay推出高吞吐量及低导通电阻之固体继电器 (2007.09.06)
Vishay Intertechnology宣布推出一款新型1 Form A固体继电器，该器件可为设计人员提供面向各种测试与测量及工业应用的快速开关速度及低导通电阻。
VO14642AT具有可在测试设备中提供更高吞吐量的800µs快速典型开关速度，以及0.25Ω的低导通电阻，该电阻允许在需要低功耗及低散热的应用中使用多个继电器 |
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Vishay推出首款采用CLCC6陶瓷封装的SMD LED (2007.08.27)
Vishay推出业界首个采用CLCC6陶瓷封装的高强度黄光、淡黄色光及白光功率SMD LED系列。VLMx61系统为热敏感型应用提供了极低的热阻及高光强度。
VLMK61、VLMY61及VLMW61器件的CLCC6陶瓷封装可实现能够产生最大光输出的额外电流驱动，同时保持了长达50,000小时的运行寿命 |
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Vishay的MOSFET帮助设计人员简化电源管理电路 (2007.08.16)
Vishay宣布推出业界首批在1.2V栅源电压时具有额定导通电阻值的功率MOSFET，这一进步将帮助设计人员简化电源管理电路，同时延长可擕式电子系统中的电池运行时间。
额定电压为1.2V的这些新型Vishay Siliconix TrenchFET器件使MOSFET导通电压与移动电子设备中使用的数字IC的1.2V～1.3V工作电压保持一致，从而可实现更安全、更可靠的设计 |
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Vishay新型PowerPAK ChipFET组件问世 (2007.07.17)
为满足对高热效功率半导体不断增长的需求，Vishay宣布推出七款采用新型PowerPAK ChipFET封装的p信道功率MOSFET，该封装可提供高级热性能，其占位面积仅为3mm×1.8mm。
这些新型PowerPAK ChipFET组件的热阻值低75%，占位面积小33%，厚度（0.8 毫米）薄23%，它们成为采用TSOP-6封装的MOSFET的小型替代产品 |
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Vishay推出新型T97系列固体钽电容器芯片 (2007.06.25)
Vishay宣布推出新型TANTAMOUNT Hi-Rel COTS T97系列固体钽电容器芯片，这些电容器可提供高可靠性筛选及浪涌电流测试选择，并且具有极低的ESR值。
这些新型T97电容器采用双阳极结构，以确保在同类器件中ESR值最低，这些组件主要面向安全性至关重要的应用，例如军事、航天及医疗行业中的应用 |
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Vishay推出新型RFWaves多信道2.4GHz收发器IC (2007.06.18)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型2.4GHz ISM收发器IC RFW-NC。尤其面向对成本高度敏感的RF应用的该器件具有低功耗特点，且可快速轻松地整合到终端产品中。RFW-NC的其它功能包括高达1Mbps的数据速率、2.5V～3.6V的宽泛电压范围，以及5mm x 5mm的精小外形 |
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Vishay推出sapphire系列高强度篮光SMD LED (2007.06.14)
Vishay Intertechnology宣布推出基于蓝宝石（sapphire）的新系列高强度蓝光SMD LED，这些器件以低于标准InGaN蓝光LED的价格提供了高效的InGaN技术。VLMB41XX 系列中的六款新型SMD LED为众多应用提供了低成本照明，其中包括汽车仪表板及开关中的背光；电信系统、音视频设备及办公设备中的指示灯与背光；LCD、开关及通用标志的平面背光 |
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Vishay推出白光LED应用新型电流模式升压转换器 (2007.06.01)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出专为白光LED应用而优化的两款新型1.25MHz电流模式升压转换器。
新型SiP12510与SiP12511器件具有2.5V～6.0V的输入电压范围，SiP12510的输出电压最高为17V，SiP12511的最高为28V |
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Vishay推出获AEC Q101标准认证穿透式光传感器 (2007.05.31)
Vishay Intertechnology, Inc.推出业界首款获得AEC Q101标准认证的穿透式（断续）光传感器，从而扩展了其光电子产品系列。AEC Q101标准是针对汽车电子协会发布的分立半导体的可靠性测试认证程序 |
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Vishay推出新型双向异步单线路ESD保护二极管 (2007.05.21)
Vishay宣布推出新型双向异步（BiAs）单线路ESD保护二极管，该器件采用超小型SOD923封装且具有极低的电容。
凭借0.6毫米×1.0毫米的占位面积以及0.4毫米的超薄厚度，VCUT0714A-02Z可在面向移动计算、移动通信、消费类、工业、汽车及医疗应用的电子设备中减小实现ESD保护所需的板面空间 |
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Vishay ESD保护数组 采超小型无铅LLP1713封装 (2007.03.30)
Vishay宣布推出首款在超小型无铅LLP1713封装中整合了八个二极管的ESD保护数组。凭借0.55mm的超薄厚度，VESD05A8A-HNH在提供ESD保护的同时可节省面向移动计算、移动通信、消费类、工业、汽车及医疗应用的可擕式电子设备中的板面空间 |
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Vishay表面贴装Power Metal Strip电阻上市 (2007.01.29)
Vishay Intertechnology,Inc.推出一款表面贴装Power Metal Strip电阻，该电阻在2000小时的工作负载中最大电阻变化仅为0.5%，因此可实现更高的电阻稳定性。通过比较，典型电流感应电阻在1000小时工作负载中，电阻稳定性≥1% |
