 |
尔必达提高委外代工量 力晶、中芯受惠 (2006.01.25)
日本DRAM厂尔必达看好应用在消费性电子产品、服务器等的利基型DRAM市场，宣布「首要DRAM事业」（PremierDRAM Business）策略，本身十二吋厂虽然在一月开出5万4000片月产能，但会以利基型DRAM为投片主力 |
|
DRAMeXchange：DDRII 2月份合约价格继续上扬 (2006.01.24)
DRAMeXchange发表周调查报告指出，现货市场DDRII价格走势仍强劲，但是DDRI明显乏人问津。由于Mira的DDRI 256Mb eTT(UTT)已经开始在现货市场放货，价格大约在2.1美元附近，因此许多买家仍期待更低的价格使得DDRI需求不强 |
|
力成湖口封测新厂落成 (2006.01.24)
国内存储器封测大厂力成科技举行湖口新厂及总公司落成启用典礼，由董事长蔡笃恭亲自主持。由于去年底以来，英特尔支持DDR2芯片组缺货问题获得纾解，DDR2景气热度逐步加温 |
|
国内DRAM厂筹资 将超过300亿元 (2006.01.16)
虽然包括迪讯（Dataquest）、iSuppli在内的市场调查机构，均对今年DRAM市场景气抱持保守态度，但包括力晶、茂德、南亚科技、华亚科技在内的四家国内DRAM厂，今年仍积极扩建十二吋厂，四家业者已经开始新一轮的筹资 |
|
台湾12吋DRAM新厂 今年将增加五座 (2006.01.16)
国内四家DRAM厂力晶、茂德、南亚、华亚等，今年上半年将向资本市场筹措达300亿元资金，而所得资金将用来兴建或扩充十二吋厂产能，若以各家DRAM厂规划来看，力晶中科十二吋厂、南亚自建十二吋厂等将在今年上半年陆续动土 |
|
英飞凌90奈米制程技术移转中芯 (2006.01.06)
德国DRAM大厂英飞凌科技已与大陆晶圆代工厂中芯国际达成协议，中芯获得英飞凌90奈米DRAM沟槽式（Trench）制程技转，并在北京十二吋厂中以90奈米技术为英飞凌代工512Mb DDR2，初估英飞凌将可取得中芯北京厂每月1万5000片以上产能 |
|
集邦科技：DRAM价格上扬趋势将维持至农历年前 (2006.01.04)
根据DRAM报价网站集邦科技（DRAMeXchange）表示，在圣诞节和新年假期间， DRAM现货市场交易逐渐趋缓。大多数的买卖双方对价格的走势保持观望的态度，等待年后更明确的价格走势 |
|
DRAM跌价 美光获利缩水 (2005.12.23)
全美第一大计算机记忆芯片厂商美光公布本会计年度第一季财报，获利因计算机记忆芯片跌价而缩水六成，但该公司依旧对前景怀抱信心。
美光该季获利6260万美元，每股盈余为9美分，低于分析师预期，也比去年同期减少六成 |
|
DRAM现货价上涨 合约价维持跌势 (2005.12.21)
虽然DRAM现货价在近一周内出现反弹，但是十二月下旬合约价却未因此而止跌。由于OEM计算机大厂的采购补货动作多于十二月上旬告一段落，在需求量明显较上旬冷清情况下 |
|
iSuppli：明年DRAM市场将出现负成长 (2005.12.16)
尽管市场分析师看坏明年DRAM市场，但实际上今年第四季价格大跌，部份DRAM厂获利大幅缩减，对明年的扩产动作已转为谨慎保守，所以明年全球DRAM市场景气是好是坏，台湾业者的动作将是重要关键 |
|
下半年DRAM产量充裕 影响市场行情 (2005.12.14)
根据统计，今年11月份全球DRAM总产出量，已经正式突破7亿颗256Mb约当颗粒大关，约来到7亿400万颗，若分析11月各地区的产出量成长情况，此次主要成长动力来自于日本尔必达（Elpida），产能月成长率约达14％，其它地区则有1～3％不等的成长幅度 |
|
尔必达12吋新厂启用 目标全球前三大DRAM厂 (2005.12.02)
日本DRAM大厂尔必达（Elpida）宣布，位于日本广岛的十二吋厂E300新建生产线正式落成启用，除了明年第一季月产能可达5万4000片外，十二吋厂也将全线导入90奈米制程量产512Mb DDR2及游戏机用XDR内存等高阶产品 |
|
DRAM厂第四季毛利率将下滑至10～15％ (2005.11.24)
第四季以来，国内DRAM厂看好年底欧美传统旺季需求，认为主流产品256Mb DDR现货价可望维持在2.5美元，不过十月份主板厂或笔记本电脑（NB）厂出货虽再创新高，但DRAM却由十月初的2.6美元，一路跌至的2.1美元 |
|
市场竞争加剧 各厂商提升NAND Flash产能 (2005.11.22)
记忆芯片产业的竞争加剧在即，东芝和三星皆传出调整记忆芯片生产线的消息。日经产业新闻报导指出，东芝试图使该公司NAND芯片的读写速度于明年提高一倍，用以增强东芝与龙头厂商三星电子竞争的实力，而三星电子同日对外宣布，拟斥资6370亿韩元（约合新台币208亿元）扩张包括NAND在内的记忆芯片产能 |
|
十二吋晶圆厂群聚中科 (2005.11.14)
茂德近日将为台中科学园区的十二吋DRAM晶圆厂举行落成启用典礼，这是中科第一座量产的十二吋厂。另一家投产DRAM的华邦十二吋厂，也将于2006年第一季进行量产。此外，茂德还计划2006年下半年动土兴建第四座十二吋厂，力晶亦计划至中科后里基地申请十二吋建厂用地，台中科学园区已然成为十二吋DRAM晶圆厂群聚之处 |
|
台湾三DRAM厂成长率全球居冠 (2005.11.09)
市场调查机构迪讯（Gartner Dataquest）公布2005年第三季全球DRAM厂商排名，基本上主要DRAM厂排名与第二季相若，但若由营收季成长率来看，南亚科、力晶、茂德等台湾DRAM三雄分居前三名，显示台湾业者积极布建十二吋厂动作，的确有效拉抬市场占有率 |
|
TSIA：DRAM制程奖励应维持0.18微米 (2005.10.03)
经济部日前正进行两年一次「新兴重要策略性产业属于制造业及技术服务业部分奖励办法」之检讨，其中DRAM部份，拟将奖励范围修订为「DRAM(设计以制程0.13微米以下技术)」 |
|
奈米制程带给DRAM厂机会与挑战 (2005.09.30)
随着国内DRAM厂华亚、茂德等相继开始采用90奈米制程生产，国内DRAM产业也正式跨入奈米制程世代，但是有了去年0.14微米微缩至0.11微米的惨痛教训，国内DRAM厂这回在奈米世代的进程就显得小心翼翼，拉长在前段试产的学习曲线时间，以期未来导入量产后，可以较平顺的拉大产量 |
|
工研院研究DRAM材料获重大突破 (2005.09.21)
工研院电子所继日前与国内DRAM大厂力晶、茂德、华邦与南亚等共组「新世代相变化内存」技术研发联盟后，近日则再宣布DRAM技术获得关键性突破。工研院电子所成功研发出以高介电系数（high-k）材料为主的金属－绝缘层－金属（Metal-Insulator-Metal；MIM）电容结构 |
|
中芯以DRAM填补产能空缺 为市场投入价格变量 (2005.08.01)
中芯国际公布第二季财报，由于中芯于第二季扩大上海八吋厂及北京十二吋厂的DRAM投片，虽受到DRAM第二季价格大跌影响，让其第二季晶圆平均出货价格跌至807美元，毛利率也跌至2.3％，但是中芯的产能利用率还维持在87％ |
