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CTIMES / 中芯國際
科技
典故
Google的诞生与成功秘诀

Google 凭借的是效能而非花俏的服务,以高水平的搜寻质量,及在用户间获得的高可信赖度,成为网络业的模范。而搜寻方法就是Google成功的秘密所在。
中芯国际与Efinix推出首款可编程加速器晶片 2018量产 (2017.12.13)
中芯国际集成电路制造有限公司(中芯国际)与Efinix今日共同宣布,中芯国际40奈米制程平台成功交付Efinix首批Quantum可编程加速器产品样本。双方仅用了不到六个月时间,以破纪录的效率达成
中芯国际收购欧洲LFoundry 进驻全球汽车电子市场 (2016.06.29)
中芯国际、LFoundry Europe GmbH (简称LFE)与Marsica Innovation SpA (简称MI)共同宣布三方签订协议,中芯国际将出资4900万欧元,收购由LFE以及MI控股的义大利集成电路晶圆代工厂LFoundry70 %的股份
中芯国际成功制造28奈米Qualcomm骁龙410处理器 (2014.12.19)
中芯国际与Qualcomm Incorporated共同宣布,Qualcomm的全资子公司─Qualcomm Technologies与中芯国际合作的28奈米Qualcomm骁龙410处理器成功制造,这是双方在先进技术制程和晶圆制造合作上的重要里程碑
CEVA与中芯国际合推DSP内核之全功能硅产品 (2009.05.19)
CEVA公司宣布开始提供适用于32位CEVA-TeakLite-III DSP内核的全功能硅产品。首批芯片采用中芯国际 (SMIC) 的90nm制程技术来生产,运作速度超过600MHz。 SoC开发商可利用这款最新推出的硅产品
寻找新投资者 中芯国际考虑出售股份 (2008.04.01)
外电消息报导,中国中芯国际(SMIC)日前表示,目前正与投资者洽谈出售股份的计划,若协议顺利达成,将有可能出售16%的股份。 由于受全球DRAM市场不景气的影响,中芯已连续2年的业绩都出现亏损,而目前该公司正积极的调整其营运计划,以因应亏损的状况
中芯国际推出增强型90奈米参考流程 (2008.03.05)
中芯国际宣布推出支持层次化设计及多电压设计的增强型90奈米 RTL-to-GDSII参考设计流程,该设计可降低集成电路的设计和测试成本。 据了解,该流程受益于先进的逻辑综合、可测性设计(DFT)和可制造性设计(DFM)技术
IBM将移转45奈米CMOS制程技术给中芯国际 (2008.01.09)
IBM将技术移转45奈米CMOS制程技术给中芯国际。据了解,中芯国际以及国际商业机器在上海宣布,中芯国际与IBM已经签订了45奈米bulk CMOS技术许可协议,中芯国际将提供全球客户高阶的12吋芯片代工服务
泰合志恒科技推出以CMMB标准之解调器IC (2007.12.31)
泰合志恒科技(TTL),是一家中国公司,提供半导体解决方案,适用于以中国自行发展之CMMB标准为基础的行动广播。TTL宣布全新推出解调器集成电路(IC)S301AB,有了这款IC,无论是使用行动手机、个人媒体播放器或其他可携式电子装置,皆可随处接收与播放数字电视(DTR)
DRAM持续下跌 中芯国际第3季亏损2560万 (2007.11.01)
外电消息报导,中国中芯国际日前公布财报显示,其第3季亏损达2560万美元,亏损幅度超过第2季的210万美元,但仍较去年同期略有好转。营收仅较比去年小幅增加6.1%,达3.914亿美元
Spansion与中芯国际签署晶圆代工协议 (2007.10.26)
闪存解决方案供货商Spansion宣布,为加强对中国市场的关注,Spansion已与晶圆代工领域的中芯国际展开合作。Spansion将向中芯国际转移65奈米MirrorBit技术,用于其在中国的300毫米晶圆代工服务
奇梦达扩展与中芯国际技术合作协议 (2007.08.22)
内存供货商奇梦达公司(Qimonda)与中芯国际集成电路公司(SMIC) ,21日宣布签署协议,扩大双方于标准内存芯片(DRAM)的技术合作。 根据该项协议,奇梦达将转移其80奈米DRAM沟槽技术予中芯国际位于北京的12吋晶圆厂
台积电稳固蝉联2006年全球芯片代工龙头 (2007.03.27)
最新报告显示,2006年台湾代工芯片制造商台积电的代工芯片制造业务再一次保持在全球最高位置。 1987年台积电创建了芯片代工行业,据市场调研机构Gartner初步调查称,去年它在全球代工市场的份额已经占到45.2%,销售收入达到97亿美元
抢占代工市场 中芯将扩大DRAM产量 (2007.03.22)
中芯国际对于DRAM的布局又有积极动作。该公司执行长张汝京在Semicon China 2007研讨会上,对外表示中芯北京厂即将针对65奈米逻辑产品进行投产,另外该公司旗下的武汉十二吋晶圆厂,初期产能也将全数用于DRAM的生产,此外中芯也正与奇梦达及尔必达商谈70奈米制程的授权计划
中芯成都8吋晶圆厂落成 布局渐趋完整 (2006.12.21)
由于半导体产业景气需求不振,两岸晶圆代工产业竞争激烈,现阶段杀价竞争的产线已经从先前的0.13微米,延伸到90奈米,而适逢竞争激烈之际,中国大陆晶圆代工龙头中芯
受产能利用率降低拖累 中芯出现亏损 (2006.11.01)
依据中国晶圆代工厂中芯国际所公布的第三季财报显示,受到平均单价(ASP)、产能利用率同步下滑的拖累,中芯业绩由盈转亏、第三季亏损了3510万美元,较去年同期的亏损有持续扩大状况,中芯总裁兼执行长张汝京表示,由于旺季需求浮现,客户库存第四季正在改善,未来几季应可持续好转
中芯12吋晶圆产能 明年超越特许及联电 (2006.09.29)
上海晶圆代工厂中芯国际无惧晶圆代工市场产能过剩疑虑,在中国大陆兴建十二吋厂动作已经加速,除了北京十二吋厂持续扩产外,上海十二吋厂已完成厂房兴建,年底就会开始装机
至2008年 中国半导体支出将达98亿美元 (2006.09.18)
国际半导体设备暨材料组织(SEMI)指出,包括建厂、研发、设备等费用在内,中国半导体资本支出(今年至2008年)估计将超过98亿美元,高过2001年到2005年87亿美元的水平,不过若单就设备投资一项来看,中国半导体设备支出估计约66亿美元,较稍早公布的74亿美元略低,可能原因包括中国晶圆厂扩产不如预期
中芯反控告台积电违反协议 并要求赔偿 (2006.09.14)
中芯国际发布声明,除了否认台积电日前在美所提出的指控外,也已向美国法院提出反诉,指控台积电不但违反和解协议,也违反双方应遵守的诚信义务及公平处理协议,所以连带要求台积电赔偿
中芯太阳电池量产 锁定中国中西部市场 (2006.07.14)
中国晶圆代工厂中芯国际总裁暨执行长张汝京于日本太阳电池论坛中表示,中芯上海十厂(Fab10)已完成太阳电池产能建置,第二季已开始小量投产,目前年产能为2.5MW(百万瓦),明年就会开始获利
中芯武汉十二吋晶圆厂正式动工 (2006.06.27)
中芯国际武汉十二吋晶圆厂将正式动工。这是中芯继北京、上海之后,在中国建设的第三座十二吋晶圆厂,也是首次以融资租赁模式参与的半导体代工重大项目。 上海「第一财经日报」报导,中芯国际总裁张汝京稍早曾强调,武汉厂最快在2007年底完工,最慢在2008年第一季度完工,首期厂区单月产能将达2.5万片

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