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CTIMES / 铁电性随机存取内存
科技
典故
链接计算机与接口设备的高速公路——IEEE1394

IEEE1394是一种能让计算机与接口设备之间相互链接沟通的共同接口标准。如此迅速有效率的传输速度,便时常应用在连接讯号传输密度高、传输量大的接口设备。
非挥发性FRAM记忆技术原理及其应用初探 (2007.10.26)
FRAM是以RAM为基础、运用铁电效应、并使用浮动闸技术作为一个储存装置。铁电结构是基本的RAM设计,电路读取和写入简单而容易。 FRAM不需要定期更新,即使在电源消失的情况下,仍能储存资料
美国宾州大学完成高密度FeRAM技术研究成果 (2007.10.24)
美国宾夕法尼亚大学结合化学以及机械工程的教授团队,近期在奈米多尺度力学领域的研究有了重要的突破。10月中他们宣布完成了铁电域壁(domain walls,亦称畴壁)的多尺度模型(multi-scale modeling),并提出新的铁电域壁移动理论,他们发现藉由可滑移的壁,能够分隔铁电域壁的扇区,藉由这项技术将可实现高密度的铁电内存
非挥发性内存的竞合市场 (2007.10.24)
内存本身就具有通用与中介的性质,所以发展出来的各类内存组件,多能通用于不同系统之间。新一代的内存为了更通用之故,所发展的都是非挥发性的内存,这样才能既做为系统随机存取之用,又能组成各类的储存装置,例如嵌入在便携设备中的储存容量、弹性应用的记忆卡或固态硬盘等
韩商将FRAM应用于DSP车用音响平台中 (2007.08.03)
非挥发性铁电随机存取内存(FRAM)和整合半导体产品开发商及供货商Ramtron International Corporation宣布,韩国的Daesung-Eltec公司已将 FRAM内存设计于其以数字信号处理(DSP)为基础的汽车音响平台中
富士通全新2Mbit FRAM组件正式量产 (2007.06.22)
香港商富士通微电子有限公司台湾分公司宣布其2 Mbit FRAM内存芯片已开始供货上市,为目前全球可量产的最大容量FRAM组件。富士通的MB85R2001和MB5R2002芯片内建非挥发性内存
浅述嵌入式FRAM记忆体的MCU技术 (2007.05.16)
铁电记忆体(FRAM)现正成为许多设计工程师所喜欢的非挥发性记忆体。随着记忆体技术渐趋成熟,已由独立的形式转变为嵌入式,市场对嵌入式FRAM的兴趣也越来越浓,而本文将描述嵌入式FRAM 的应用实例
工研院与IEEE合办之VLSI-DAT在新竹揭幕 (2007.04.25)
由工业技术研究院(ITRI)、国际电机电子工程师学会(IEEE)所共同举办国际超大规模集成电路设计、自动化与测试(VLSI-DAT 2007)研讨会,今起(25日)一连三天在新竹国宾饭店举行
冲刺亚洲市场 Ramtron公布亚太区发展策略 (2007.04.02)
非挥发性铁电随机存取内存(FRAM)及整合半导体产品供货商Ramtron International,宣布其在亚太区的半导体业务及其持续性发展策略。Ramtron并展示了第一款4Mb的FRAM内存,此技术将成为该公司未来在亚太区发展的成败关键
Ramtron发表新一代FRAM内存 (2007.03.30)
Ramtron发表业界第一款400万位的FRAM内存,此并为密度最高的FRAM产品,容量为既有FRAM内存的四倍。FM22L16采用44接脚、薄型小尺寸塑料(TSOP)封装的3V、4Mb并列式非挥发性RAM,具备高访问速度、几乎无上限的读/写次数、以及低功耗等优点
Ramtron推出+125℃ FRAM内存FM25C160 (2007.03.05)
非挥发性铁电内存(FRAM)和整合半导体产品开发商及供货商Ramtron International宣布推出首款 +125℃ FRAM内存 FM25C160。该款5V 16Kb 的串行SPI接口 FRAM可满足Grade 1和AEC-Q100规范的要求,可在 -40℃到 +125℃ 的整个汽车温度范围内工作
飞思卡尔MRAM组件获创新类奖项 (2007.03.03)
飞思卡尔其4兆位MRAM组件最近荣获In-Stat的Microprocessor Report年度「创新」类奖项。该组件在同年内也获得了Electronic Product的「年度产品大奖」、同时还入围了EDN的创新大奖及EE Times的ACE大奖等奖项的决选
Ramtron为Versa 8051 MCU推出USB接口 (2007.02.27)
非挥发性铁电内存(FRAM)和整合半导体产品开发商及供货商Ramtron International宣布,针对其Versa 8051微控制器推出通用串行总线(USB)接口的编程/除错开发工具。 以USB为基础的JTAG接口VJTAG-USB将与VersaKit-30xx开发板配套发售
旺宏、IBM与奇梦达成功开发PCM储存技术 (2006.12.12)
IBM、Qimonda和台湾的旺宏电子(Macronix)共同联合成功开发出相变化内存(Phase Change Memory;PCM)的储存技术。 PCM被诸多分析机构认为将严重挑战闪存和硬盘的地位,未来PCM将被认为可应用在iPod和数字相机上,储存质量更佳的歌曲、图片和其他数据
Ramtron全新单芯片解决方案采用微型封装 (2006.11.03)
非挥发性铁电内存(FRAM)和整合半导体产品供货商Ramtron International公司,宣布推出64Kb、3V FRAM-Enhanced Processor Companion产品FM3130,在微型封装中将非挥发性铁电RAM和整合式实时时钟/日历(RTC)两者的效益结合在一起
Ramtron扩大其串行内存产品系列阵容 (2006.09.13)
非挥发性铁电内存(FRAM)和整合半导体产品供货商Ramtron International公司,扩充其串行内存产品系列,推出带有工业标准2线串行接口的五十万位非挥发性FRAM产品FM24C512,以支持需要大容量数据收集的应用,如市电计量和实时配置储存服务
Ramtron FRAM强化HYUNDAI的智能型安全气囊 (2006.06.01)
非挥发性铁电随机存取内存(FRAM)和整合半导体产品开发及供货商Ramtron International公司宣布,韩国Hyundai Autonet公司已选择了其非挥发性FRAM内存技术,用于该公司的汽车智能型安全气囊和乘客传感器中
M-Systems公布第二季财报 (2003.07.22)
M-Systems 22日发布该公司第二季财务报告为2,560万美元,较同年第一季的2,210万美元成长了16%,较去年第二季的1,470万美元成长74%。M-Systems在今年6月30日为止的这一季,提报40万美元的净损(每股0.01美元),相较于同年第一季净损为70万美元(每股0.02美元),去年同季净损为140万美元(每股0.05美元)
三星STB采用M-Systems之DiskOnChip (2003.06.16)
M-Systems 16日宣布,三星电子(Samsung)已采用该公司的DiskOnChip,做为SMT F240 STB视讯转频器的内建记忆体,该视讯转频器(STB)已经透过Yahoo!BB在日本全国销售。目前量产的三星Linux IP SMT F240,能传递多种互动式服务,包括数位广播、EPG(电子节目表)、NVOD(半随选视讯)、VOD(随选视讯)、上网及电子邮件服务
TI利用标准CMOS制程生产64 Mbit嵌入式FRAM记忆体 (2002.11.11)
德州仪器(TI)日前宣布,已成功利用标准CMOS逻辑制程技术生产64 Mbit铁电随机存取记忆体(FRAM),证明这项技术可在各种不同应用中,做为嵌入式快闪记忆体和嵌入式DRAM的低成本替代元件
M-Systems与Accelerated携手 (2002.10.02)
M-Systems日前表示,该公司与隶属Mentor嵌入式系统部门的Accelerated Technology(AT),因应行动通讯的趋势,携手合作以德州仪器主导的行动通讯平台为基础来进行大量数据储存。在此合作案中

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