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ROHM新款SiC萧特基二极体支援xEV系统高电压需求 (2024.11.14)
半导体制造商ROHM开发出引脚间沿面距离更长、绝缘电阻更高的表面安装型SiC萧特基二极体（SBD）。目前产品阵容中已经有适用於车载充电器（OBC）等车载应用的「SCS2xxxNHR」8款机型
ROHM的EcoSiC导入COSEL的3.5Kw输出AC-DC电源产品 (2024.10.30)
半导体制造商ROHM生产的EcoSiC产品SiC MOSFET和SiC萧特基二极体（SBD），被日本先进电源制造商COSEL生产的三相电源用3.5kW输出AC-DC电源单元「HFA／HCA系列」采用。强制风冷型HFA系列和传导散热型HCA系列均搭载ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD，实现最大的工作效率（94%）
Toshiba推出1200 V第三代碳化矽肖特基栅极二极体新产品 (2024.09.26)
先进半导体和储存解决方案供应Toshiba公司在第三代碳化矽（SiC）肖特基栅极二极体（SBD）产品线中增添1200 V新产品「TRSxxx120Hx系列」，适合应用於光伏逆变器、电动汽车充电站，以及用於工业设备用的开关电源供应器、不断电供应系统（UPS）等工业设备
ROHM推出100V耐压SBD「YQ系列」 采用沟槽MOS结构 (2024.01.31)
半导体制造商ROHM针对车载设备、工业设备、消费性电子设备等电源电路和保护电路，推出业界最高等级trr的100V耐压萧特基二极体（SBD）「YQ系列」。 二极体的种类有很多，其中高效率SBD被广泛用於各种应用
东芝推出最新一代650V SiC SBD可提高工业设备效率 (2023.07.13)
东芝（Toshiba）推出TRSxxx65H系列碳化矽（SiC）萧特基二极体（SBD），这是该公司第三代也是最新一代SiC SBD晶片，用於工业设备开关电源、电动汽车充电站、光伏逆变器为应用领域
ROHM SiC MOSFET/SiC SBD结合Apex Microtechnology模组提升工控设备功率 (2023.03.31)
电源和马达占全世界用电量的一大半，为实现无碳社会，如何提高其效率已成为全球性的社会问题，而功率元件是提高效率的关键。ROHM的SiC MOSFET和SiC萧特基二极体（简称SiC SBD）已被成功应用於大功率类比模组制造商Apex Microtechnology的功率模组系列产品
ROHM SiC SBD成功应用於Murata Power Solutions D1U系列 (2023.03.15)
ROHM（总公司：日本京都市）开发的第3代SiC萧特基二极体（以下简称 SBD）已成功应用於Murata Power Solutions的产品上。Murata Power Solutions是擅长电子元件、电池、电源领域的日本着名制造商村田制作所集团旗下的企业
Diodes推出碳化矽萧特基势垒二极体 提高效率和高温可靠性 (2023.02.08)
Diodes公司今日宣布推出首款碳化矽（SiC）萧特基势垒二极体（SBD）。产品组合包含DIODES DSCxxA065系列，共有十一项650V额定电压（4A、6A、8A和10A）的产品，以及DIODES DSCxx120系列，共有八款1200V额定电压（2A、5A和10A）产品
新一代单片式整合氮化??晶片 (2022.05.05)
氮化??或氮化铝??（AlGaN）的复合材料能提供更高的电子迁移率与临界电场，结合HEMT的电晶体结构，就能打造新一代的元件与晶片。
罗姆推出小型PMDE封装二极体 助力应用小型化 (2022.04.11)
ROHM为满足车电装置、工控装置和消费性电子装置等各类型应用中，保护电路和开关电路的小型化需求，推出了PMDE封装（2.5mm×1.3mm）产品，此次又在产品系列中新增了14款机型
Microchip推出3.3 kV SiC MOSFET和SBD 实现高性能与可靠性 (2022.03.23)
Microchip Technology Inc.今日宣布扩大其碳化矽产品组合，推出业界最低导通电阻RDS（on）3.3 kV碳化矽MOSFET和市场上最高额定电流的碳化矽SBD，让设计人员可以充分利用其耐固性、可靠性和性能
ROHM扩大车电小型SBD RBR/RBQ产品线 增至178款 (2021.08.11)
半导体制造商ROHM研发出小型高效萧特基二极体（SBD）「RBR系列」、「RBQ系列」各12款产品，适用于车电、工控和消费性电子装置等电路整流和保护用途。目前该二个系列的产品线总计已达178款
ROHM内建SiC二极体IGBT（Hybrid IGBT）「RGWxx65C系列」 损耗减少67% (2021.07.13)
半导体制造商ROHM开发出650V耐压、内建SiC萧特基二极体的IGBT（Hybrid IGBT）「RGWxx65C系列」（RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR），且均符合汽车电子产品可靠性标准「AEC-Q101」
扩大SiC功率元件产能 ROHM Apollo环保新厂房完工 (2021.01.13)
面对全球的能源短缺问题，节能将是开发未来电子元件的重要考量，尤其在电动汽车与工业4.0领域，SiC SBD与SiC MOSFET等SiC功率元件，很有可能成为电动车和工业装置的关键元件
Microchip推出最新汽车用700和1200V碳化矽萧特基二极体 (2020.10.29)
汽车电气化浪潮正席卷全球，电动汽车搭载的马达、车载充电器和DC/DC转换器等高压汽车系统都需要碳化矽（SiC）等创新电源技术。Microchip今日宣布推出最新通过认证的700和1200V碳化矽（SiC）萧特基二极体（SBD）功率元件，为电动汽车（EV）系统设计人员提供了符合严苛汽车品质标准的解决方案，同时支援丰富的电压、电流和封装选项
Toshiba Launches 1200V Silicon Carbide MOSFET That Contributes to High-efficiency Power Supply (2020.10.19)
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation has launched “TW070J120B,” a 1200V silicon carbide (SiC) MOSFET for industrial applications that include large capacity power supply. Shipments start today. The power MOSFET using the SiC, a new material, achieves high voltage resistance, high-speed switching, and low On-resistance compared to conventional silicon (Si) MOSFET, IGBT products
Microchip推出低电感SiC功率模组与可程式设计栅极驱动器套件 (2020.09.01)
从火车、有轨电车和无轨电车，到公共汽车、小汽车和电动汽车充电桩，全球交通电气化转型仍在加速，各国纷纷采用效率更高、技术更创新的交通方式。Microchip今天宣布推出AgileSwitch数位可程式设计栅极驱动器和SP6LI SiC功率模组套件
Microchip扩展碳化矽电源晶片产品线 提升能源效率、尺寸和可靠性 (2020.03.17)
业界希??基於碳化矽（SiC）的系统能大幅提升效率、减小尺寸和重量，协助工程师研发创新的电源解决方案；这一需求正在持续、快速地增长。SiC技术的应用场景包括电动汽车、充电站、智慧电网、工业电力系统、飞机电力系统等
新款200V耐压萧特基二极体有效降低功耗并实现小型化设计 (2019.08.27)
近年来，在48V轻度混合动力驱动系统中，将马达和周边零件集中在一个模组内的「机电一体化」已成为趋势，而能够在高温环境下工作的高耐压、高效率超低IR[1]萧特基二极体[2]（简称SBD）之需求也日益增加
ROHM开发车电超小型MOSFET RV4xxx系列 助ADAS相机模组等零件小型化 (2019.07.25)
半导体制造商ROHM研发出1.6mm×1.6mm尺寸超小型MOSFET「RV4xxx系列」，该系列产品可确保零件安装後的可靠性，且符合车电产品可靠性标准AEC-Q101，是确保车规级品质的高可靠性产品


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