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台湾DRAM产业加速解构重组 (2012.10.25)
台湾DRAM大厂透过裁员以进行企业重组的速度正在加速。因为产量供给过剩，DRAM的价格长期低迷，迟迟无法改善营收赤字。不论是个人计算机、或是移动电话用的消费型DRAM产品世代更换延迟，与韩国之间的差异更是愈来愈大 |
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茂德裁员＝宣告台湾DRAM终结？ (2012.10.03)
从今年三月股票下市，到现在宣布裁撤1300名员工，茂德已经走向重整之路。事实上，台湾近年来DRAM产业被直接形容为惨业，从过去的风光到现在的衰败，已经鲜少人再对DRAM抱持希望 |
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拉高智能手机分辨率 驱动IC台厂冲HD720 (2011.06.17)
市场对于智能型手机屏幕显示分辨率的要求越来越高，进一步带动小尺寸高阶驱动IC的需求量。台湾面板驱动芯片厂商也纷纷转向开发小尺寸高阶驱动IC的行列。
目前智能型手机最广泛的屏幕分辨率为HVGA（320×480）与WVGA（800×480），当苹果iPhone4推出960×640的高分辨率Retina显示器之后，便刺激了智能型手机大厂对于屏幕分辨率的激烈竞赛 |
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智能手机和平板助攻 行动DRAM声势看涨 (2011.04.13)
在智能型手机和媒体平板装置的带动下，行动DRAM（Mobile DRAM）需求也随之水涨船高，包括低功耗DRAM和虚拟DRAM（Pseudo SRAM）的声势正不断看涨。
2010年全球DRAM市场规模为391亿美元，行动装置相关应用就占14％，达到55亿美元 |
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海力士将开始生产54奈米制程内存芯片 (2008.03.31)
外电消息报导，海力士（Hynix）半导体执行长Kim Jong-kap日前表示，该公司预计将从今年开始生产使用54奈米制程的DRAM内存芯片，并可能交由茂德进行生产。
Kim Jong-kap表示，他对2008年下半年的内存芯片市场表示乐观 |
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2007 DRAM最重要趋势为70奈米的推进 (2007.05.02)
DRAM报价跌势剧烈，除了将产能转移外，为持续降低营运成本，台湾内存厂的茂德、力晶都将加快70奈米制程的脚步，至于华邦则宣布试产80奈米，90奈米与70奈米产出比例相差55％，下半年将主流制程推进到70奈米后，将更具成本竞争优势 |
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DRAM导入90奈米制程 八吋厂寻找新出路 (2007.04.30)
由于标准型DRAM纷纷导入90奈米制程，因此为了解决八吋厂成本竞争力不足的问题，DRAM厂有意将八吋厂产能转为逻辑芯片代工之用途，对于此举是否影响晶圆代工厂之产能利用，部份晶圆代工厂认为将不会有所影响 |
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茂德进军大陆 并赴海外设立传感器设计公司 (2007.01.10)
茂德正式通过向经济部投审委员会提出大陆八吋晶圆技术提升至0.18微米制程的申请案外，也同时通过赴大陆设立8吋厂公司案，另外为布局手机整合性相关零组件市场，董事会也决议赴海外设立影响传感器的IC设计公司计划 |
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良率不佳及产能延迟 DRAM供给Q4吃紧 (2006.08.30)
第四季DRAM需求大好，但供给面恐不如预期，继先前华亚爆出90奈米良率不佳的问题后，近期也传三星80奈米良率不稳，及三星新十二吋DRAM厂Fab15产能要等到明年以后才开出，此举恐导致第四季DRAM供给告急压力将再度升高 |
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90奈米制程微缩顺利 DRAM业者乐观 (2006.07.04)
第二季以来DRAM市场供需平衡未有太大变化，DRAM价格也维持在一定区间之内，这个市况对于DRAM厂来说，却可有效控制成本，并尽力拉高营收及毛利率，如国内DRAM厂力晶、茂德、南亚科等，第二季营收创下历史新高，毛利率也较第一季大跃进 |
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茂德成功试产90奈米DRAM晶圆 (2005.07.14)
茂德科技首批以90奈米堆栈式（stacked）制程技术投产的512Mb DDR12吋晶圆，已于本月八日正式产出，平均良率均超过60％以上，显示中科12吋厂现有生产线已具量产能力。由于中科12吋厂建置速度较预期中快，因此茂德也决定，明年首季月产能将拉高至1万5000片，明年下半年就可达3万片规模 |
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茂德与Hynix合作开发奈米级DRAM制程 (2005.05.24)
根据工商时报消息，尽管茂德90奈米制程仍是向韩国DRAM大厂Hynix以技转方式取得，但茂德仍希望能开发出自有技术，所以茂德已向竹科管理局提出申请，将在笃行园区内建立茂德的研发设计中心，与Hynix共同开发次世代堆栈式DRAM制程技术 |
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传茂德计划斥资10亿美元在中国兴建晶圆厂 (2005.01.19)
继南韩DRAM厂三星电子宣布提高半导体资本支出后；国内DRAM业者力晶、茂德与华亚科技也纷纷展开开始进行新的筹资建厂计划；据业界消息，其中茂德计划一旦赴中国投资8吋晶圆厂申请案通过后，在2005下半年即斥资十亿美元兴建中国新厂 |
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中国晶圆厂将掀起新一波集资热 (2004.12.27)
中国晶圆业者近来掀起新一波集资热潮，据业界消息，除了今年度已经进行海外上市募资的上海中芯、华润上华以及甫宣布增资的台积电上海公司，明年包括上海先进，与茂德、力晶等计划前往设厂的台资企业，也将加入这一波集资行列 |
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抢第二 茂德8吋晶圆厂西进申请案送件 (2004.12.22)
继晶圆代工大厂台积电前往中国投资8吋晶圆厂之后，DRAM业者茂德科技跟进提出相同申请，并已送件经济部投审会，该公司计划西进的8吋厂将投资8亿美元，生产LCD驱动IC、SDRAM及闪存，希望能主打自有产品及品牌并成为首家登陆的台湾整合组件厂 |
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抢攻两席西进配额 晶圆业者摩拳擦掌 (2004.08.23)
我国首家获准登陆的台积电8吋晶圆厂将于下季量产，而由于我国晶圆厂赴中国大陆投资8吋厂的申请配额仅剩两席，南亚科、茂德、力晶及联电竞争也渐趋白热化。四晶圆厂中，力晶、茂德及联电在台12吋厂量产进度已达标准，南亚科转投资的华亚科技12吋厂则将于第四季跨越申请门坎 |
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南茂DRAM封测业务 转向以茂德为主 (2004.08.11)
半导体封测业者南茂旗下公司华特宣布停止与茂硅之业务往来，该公司董事长郑世杰表示，华特一年近四成约5亿元的营收金额将转往茂德，并将增加其他内存供货商朝向多元化经营 |
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茂德中科12吋晶圆厂动土 挑战全球最大 (2004.04.10)
茂德科技8日于中部科学工业园区举行该公司12吋晶圆三厂动土典礼，该厂为国内首家进驻中科的DRAM厂商，总投资金额高达32亿美元，最大月产能为5万片，将成为全球半导体产业中单一厂址产能最大的12吋晶圆厂 |
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布局DDRII市场 DRAM业者与封测厂合作密切 (2004.04.03)
为因应DDRII规格内存即将成为市场主流，DRAM厂为抢攻市场占有率，纷纷计划推出新产品，且因DDRII封装与测试制程皆与上一世代不同，各家DRAM厂也与后段封测厂进行技术合作，包括南亚科与裕沛、茂德与南茂、力晶与力成 |
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12吋厂效益发挥 台湾3大DRAM厂可望转亏为营 (2004.01.13)
工商时报报导，尽管2003年12月DRAM报价大幅下滑，国内3大DRAM厂南亚科、力晶、茂德各因制程实力提升与12吋晶圆厂成本效益发挥，单月营收仅出现小幅滑落甚至逆势成长，第4季单季获利也一如预期稳定发展；力晶、茂德全年营运均可望顺利转亏为盈 |
USB2.0是一种目前在PC及接口设备被广为应用的通用串行总线标准，摆脱了过去局限于PC的相关应用领域，而更深入地应用在数字电子消费产品当中。
