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安森美半导体推出高性能谐振模式控制器 (2007.05.23)
高能效电源管理解决方案供货商安森美半导体（ON Semiconductor）推出一款内置上桥臂与下桥臂闸极驱动信号的高性能谐振模式控制器NCP1396，这款组件为各种多样化应用带来高信赖度的高能效电源设计，包括平面显示设备电源转换、高功率密度交直流电源供应器、工业用电源以及游戏机等 |
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Linear发表100V电流模式同步降压控制器 (2007.05.17)
凌力尔特(Linear Technology Corporation)发表一款高输入电压同步降压开关稳压控制器LTC3810，其可直接从100V降压至范围从0.8V至93%输入电压的输出电压，且以单一电感设计不需变压器 |
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Fairchild新款产品适用PDP应用中的路径开关 (2007.03.13)
快捷半导体公司（Fairchild Semiconductor）推出全新的FDB2614（200V）和FDB2710（250V）N沟道MOSFET，这两款产品经过特别设计，可为电浆显示器（plasma display panel，PDP）应用提供系统效率和优化的占位空间 |
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快捷推出200V/250V Powertrench MOSFET (2007.03.12)
快捷半导体(Fairchild Semiconductor)推出全新的FDB2614(200V)和FDB2710(250V)N沟道MOSFET，这两款产品经过特别设计，可为电浆显示器(plasma display panel，PDP)应用提供业界领先的系统效率和优化的占位空间 |
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快捷半导体推出光隔离MOSFET闸极驱动器 (2007.02.15)
快捷半导体公司（Fairchild Semiconductor）的功率产品系列又添新成员，宣布推出高频光隔离MOSFET栅极驱动器系列的全新产品，能够在工业应用中驱动高达30A/1200V的MOSFET。FOD3180（2A）和FOD3181（0.5A）具有200ns（最多）的上升/下降时间，能够迅速开啓/关断MOSFET以减小功率损耗 |
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Vishay增添四款新型 Siliconix PolarPAK组件 (2007.01.23)
Vishay在具有双面冷却功能的PolarPAK功率MOSFET系列中增添了新型n信道20V、30V及40V组件，从而为设计人员提供了通过更出色的MOSFET散热性能减小系统尺寸及成本的新方式。
这四款新型Vishay Siliconix PolarPAK组件面向电信及数据通信系统中的同步整流、负载点转换器及OR-ing应用 |
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ST高效能功率MOSFET产品提升照明应用性能 (2006.12.06)
功率半导体产品制造商意法半导体(ST)，宣布推出新一系列功率MOSFET产品的第一款产品。新的功率MOSFET系列产品具备极低的ON-resistence及优异的动态和avalanche特性，可帮助客户大幅地降低其照明应用的传导损耗及强化其产品的效能和可靠性 |
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奈米世代可以研續摩爾定律嗎？ (2006.11.02)
奈米世代可以研續摩爾定律嗎？ |
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奈米世代下的半导体技术动向 (2006.10.04)
半导体元件的加工尺寸进入奈米世代，但利用微细化技术提高半导体元件性能的愿望一直不易实现，因此出现许多性能提升指标，其中利用歪斜（strain）效应与元件结构三次元化等技术最受嘱目 |
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未来汽车之先进电子系统设计 (2006.09.05)
现今的汽车正把越来越多的电子产品整合进来。在 1995 到 2005 年间，汽车采用的半导体元件数量预期到 2009 年将增加至 425％，电子及电气设备在汽车中所占比重预计也将从目前的15％攀升到2015年的35％ |
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准谐振返驰式电源设计探讨 (2006.08.07)
降低成本和增加可靠性是电源设计工程师的目标。利用准谐振技术可以协助设计工程师实现这些目标。准谐振或谷底开关能减轻MOSFET的设计压力，并进而提高其可靠性。本文将描述准谐振架构背后的理论及其实作方式，并说明这类反驰式电源的使用价值 |
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简单闩锁式过电流错误侦测电路介绍 (2006.08.07)
简易闩锁式过电流错误侦测电路可以在输入电压超过2.7V的150μs后立即提供保护，同时也可以透过外部P信道切换开关的闸极电压限制在电源启动时带来冲入电流限制功能。本文将介绍应用于低电压电路保护，具备快速反应能力的简易过电流侦测电路 |
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功率MOSFET PSPICE模型设计考量 (2006.04.01)
电源元件密度的持续增加与相关成本的持续压缩，在过去几年来对精确的热能设计提出了更严苛的要求。因此，有关热问题与电子系统效能间之相互影响的专有知识，是实现更具竞争力设计的关键 |
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Linear新款充电控制器可充任何容量电容 (2006.02.21)
Linear发表一款专门设计以快速充电大电容至高达1000V的返驰控制器LT3750。LT3750可驱动一个外部高电流N信道MOSFET，并能在少于300ms的时间内对一个100uF电容充电至300V，使其成为专业照相闪光灯系统、RF 保全、库存控制系统及特定高压电源应用之理想选择 |
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ST新款功率MOSFET STD95N04 (2006.02.21)
ST发表一款专为汽车市场设计的大电流功率MOSFET，该组件采用ST专利的STripFET技术，可实现超低导通电阻。全新的STD95N04是40V的标准逻辑位准DPAK组件，最大导通电阻（RDS(on)）仅6.5m奥姆 |
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IR新MOSFET芯片组提高2％轻负载效率 (2006.02.10)
国际整流器（International Rectifier；IR）推出一对新型30V HEXFET功率MOSFET。相比于采用30V MOSFET的解决方案，它们可提供高出2％的轻负载效率，用于驱动最新Intel和AMD处理器中的45A、二相同步降压转换器，适用范围包括笔记簿型计算机及其他高效能计算机应用 |
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替代传统共振方式 (2005.12.05)
电源供应器增加功率密度的压力与日俱增，于是在这前提下产生了数个需求：改善半导体和被动组件的效益及创新架构，以便从全新半导体组件之功能中获得有利的好处。本文将探讨最近发展的高压超接合面功率MOSFET以及硅晶碳化物Schottky二极管，并比较采用硬式切换或共振方式在性能、系统成本和可靠度方面的优缺点 |
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选择正确的功率MOSFET封装 (2004.07.01)
当终端设备对于电源效率的需求越高，电源管理系统中更高效能的组件也越被重视。由于硅科技在进化的过程中，渐渐使封装成为组件达到更高效能的绊脚石，因此，为兼顾散热需求与效率，引进更先进的功率MOSFET封装势在必行 |
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汽车电路保护技术概述 (2004.04.05)
汽车电子设备的设计必须具备防止反极性电源（reverse polarity），反极性电源的发生为当缆线连接到无电源、电池跨接错误或是新电池安装倒反的状态。本文就汽车的电子设备设计上，探讨干扰若干系统之功效的缺失，并分析建议其可以改进之处 |
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强化操作效率 Zetex提升MOSFET功率耗散 (2003.12.22)
Zetex推出全新20V和30V N信道晶体管，将旧型SOT23封装MOSFET的导通电阻减半、漏电流提升一倍，在25°C环境温度下功率耗散由625mW提升至1W。
新的ZXMN2A14F及ZXMN3A14F强化沟道MOSFET，采用Zetex SOT23封装，再加上接点至环境的热阻比旧型SOT23组件低37%，由每瓦特200°C锐减至125°C，这两款组件更可发挥极大的效益 |
