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Vishay推出新型TrenchFET功率MOSFET (2008.12.24)
Vishay宣布推出新型20-V和30-V p-信道TrenchFET功率MOSFET。该器件采用SO-8封装，具有±20-V栅源极电压以及业内最低的导通电阻。
现有的同类SO-8封装器件额定电压下导通电阻仅低至24 mΩ，而Si7633DP具有3.3 mΩ（在10 V时）及 5.5 mΩ（在4.5 V时）的超低导通电阻 |
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安捷伦推出具备曲线追踪仪功能的组件分析仪 (2008.12.24)
安捷伦科技（Agilent）宣布推出首款功率组件分析仪/曲线追踪仪整合解决方案，其可在高达3,000 V的电压和20 A的电流下对半导体组件进行特性分析。功率组件，包括功率管理IC（PMIC）和功率MOSFET以及车用马达控制IC，对于高功率与高准确度测试的需求与日俱增 |
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Diodes新款自我保护式MOSFET节省85%电路板空间 (2008.12.23)
Diodes公司扩展其IntelliFET产品系列，推出超小型的完全自我保护式低端MOSFET。该ZXMS6004FF组件采用2.3 x 2.8毫米的扁平式SOT23F封装，能节省85%的电路板空间。
扁平式SOT23F封装虽然小巧，但热性能却相当强劲 |
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IR全新基准MOSFET提升60%封装电流额定值 (2008.12.22)
国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）推出具备高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列，适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。
新组件的封装电流额定值达到195A，较典型封装电流额定值高出60% |
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Vishay结合20V n信道功率MOSFET及肖特基二极管 (2008.12.17)
Vishay宣布推出超小的20V n信道功率MOSFET＋肖特基二极管。SiB800EDK采用1.6mm×1.6mm的热增强型 PowerPAK SC-75封装，其将在100 mA时具有0.32V低正向电压的肖特基二极管与具有在低至 1.5V栅极驱动时规定的额定导通电阻的MOSFET进行了完美结合 |
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高振幅的任意/函数产生器 (2008.12.08)
本文说明产生高振幅信号的常规方法与外部放大器，然后讨论典型的应用，并介绍整合高振幅阶段使用新型任意/函数产生器的效益。 |
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快捷推出最薄的MicroFET MOSFET (2008.11.20)
快捷半导体（Fairchild Semiconductor） 推出超薄的高效率MicroFET产品FDMA1027，满足现今可携式应用的尺寸和功率要求。FDMA1027是20V P信道PowerTrench MOSFET，FDFMA2P853则是20V P信道PowerTrench MOSFET，带有肖特基二极管，并采用2mm ×2mm×0.55mm MLP封装 |
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Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET系列 (2008.11.20)
Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型20V n信道器件，扩展了其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。该器件采用PowerPAK SO-8封装，在20V额定电压时具有业界最低导通电阻及导通电阻与闸极极电荷乘积 |
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快捷P信道MOSFET采用CSP封装 (2008.11.06)
快捷半导体（Fairchild Semiconductor）推出采用1×1.5×0.4mm WL-CSP封装的单一P信道MOSFET组件FDZ391P，能满足可携应用对外型薄、电能和热效率高的需求。FDZ391P采用快捷半导体的1.5V额定电压PowerTrench制程设计，结合先进的WL-CSP封装，将RDS(ON) 和所需的PCB空间减至最小 |
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Vishay扩展Gen III TrenchFET功率MOSFET系列 (2008.10.23)
Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型25V n信道器件，从而扩展了其Gen III TrenchFET功率MOSFET系列，对于采用PowerPAK SO-8封装类型且具有该额定电压的器件而言，该器件具有业界最低的导通电阻以及导通电阻与闸极极电荷之乘积 |
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降低能源损耗 「飞」我莫属 (2008.10.13)
生活中各个角落无不需要使用电力，然而电源的损耗也正在这些电子设备与线路的传递处理中一点一滴流逝。也因此半导体厂商所汲汲营营的，正是不断开发出更新的半导体架构，让电能的使用效率能够达到更高，降低损耗，不仅用户能更节省能源支出，也相对为环境的保护多出一份心力 |
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专访：英飞凌多元市场资深技术总监Leo Lorenz (2008.10.13)
生活中各个角落无不需要使用电力，然而电源的损耗也正在这些电子设备与线路的传递处理中一点一滴流逝。也因此半导体厂商所汲汲营营的，正是不断开发出更新的半导体架构，让电能的使用效率能够达到更高，降低损耗，不仅用户能更节省能源支出，也相对为环境的保护多出一份心力 |
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Linear针对LED应用推出全功能LED控制器 (2008.10.03)
凌力尔特(Linear)发表LT3756，其为一款100V、高压端电流感测DC/DC转换器，专为驱动高电流LED而设计。此组件所拥有的6V至100V输入电压范围，使其成为汽车、工业及建筑照明等广泛应用之理想选择 |
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AnalogicTech高效能降压转换器提供快2倍的瞬变响应 (2008.10.03)
AnalogicTech发表一款高效能、500mA单晶降压转换器。透过创新伪定频（pseudo fixed-frequency）架构，新转换器可提供比传统500mA、2MHz、PWM模式的降压转换器快两倍以上的瞬变响应，并能支持使用极小、仅1µH 芯片尺寸之电感 |
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ST推高耐用性及切换性能和效率之MOSFET产品 (2008.09.30)
意法半导体进一步提高照明安定器功率MOSFET的耐用性、切换性能和效率，功率MOSET被用于安定器及开关电源的功率因子校正器(PFC)和半桥电路内。 SuperMESH3的创新技术，结合更低的导通电阻，确保其拥有更高的效率 |
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Vishay推出30V单片功率MOSFET和肖特基二极管 (2008.09.30)
Vishay宣布推出首款采用具顶底散热通路的封装的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管，其可在具有强迫通风冷却功能的系统中高性能运作。新型SkyFET SiE726DF器件采用具有双面冷却功能的PolarPAK封装，可提升高电流、高频运用的效率 |
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Linear推出高度整合的多颗电池监控IC (2008.09.24)
凌力尔特(Linear)发表一款高度整合的多颗电池监控IC LTC6802，其能量测12颗独立的电池，专利设计并可使多颗LTC6802堆栈成串，而不需光耦合器或隔离器，因此可精准地监控串联成长电池串行的每颗电池 |
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Linear推出整合式 2Amp MOSFET及感测电阻 (2008.09.10)
凌力尔特( Linear )发表LTC4217，其为一款2A整合式Hot Swap控制器，并透过范围为2.9V至26.5V之负载供应电压来保护低功耗卡板。如同其他Hot Swap组件，LTC4217透过限制开机时提供至负载供应的突波电流量，来使卡板可安全地从通电的底板插入及移除 |
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Avago推出新智能型闸极驱动光耦合器 (2008.08.27)
Avago Technologies(安华高科技)宣布推出最新的智能型闸极驱动光耦合器产品，Avago的系列高速IGBT光耦合器相当容易整合到工业变频器与电源管理等应用，例如隔离式IGBT/MOSFET闸极驱动、交流与无刷直流马达驱动、工业变频器以及不断电电源等 |
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环保、快速和兼具多功能的马达驱动器电路方案 (2008.08.26)
一般的中型汽车内装有大约50个小型的电动马达。高度整合、快速变换、且具备脉宽调变（PWM）的马达控制集成电路，可大幅降低能源消耗而有助于减碳节能。
Infineon汽车动力部资深营销经理Johann B. Winter表示，Infineon的 NovalithIC系列，支持电流量达70A之马达驱动器，频率可达25KHz的PWM |
