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Avago推出新智能型闸极驱动光耦合器 (2008.08.27)
Avago Technologies(安华高科技)宣布推出最新的智能型闸极驱动光耦合器产品，Avago的系列高速IGBT光耦合器相当容易整合到工业变频器与电源管理等应用，例如隔离式IGBT/MOSFET闸极驱动、交流与无刷直流马达驱动、工业变频器以及不断电电源等 |
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环保、快速和兼具多功能的马达驱动器电路方案 (2008.08.26)
一般的中型汽车内装有大约50个小型的电动马达。高度整合、快速变换、且具备脉宽调变（PWM）的马达控制集成电路，可大幅降低能源消耗而有助于减碳节能。
Infineon汽车动力部资深营销经理Johann B. Winter表示，Infineon的 NovalithIC系列，支持电流量达70A之马达驱动器，频率可达25KHz的PWM |
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专访：英飞凌汽车动力部资深经理Johann Winter (2008.08.26)
一般的中型汽车内装有大约50个小型的电动马达。高度整合、快速变换、且具备脉宽调变（PWM）的马达控制集成电路，可大幅降低能源消耗而有助于减碳节能。
Infineon汽车动力部资深营销经理Johann B. Winter表示，Infineon的 NovalithIC系列，支持电流量达70A之马达驱动器，频率可达25KHz的PWM |
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Vishay推出新型20Vp信道TrenchFET功率MOSFET (2008.06.20)
Vishay Intertechnology, Inc.推出新型20Vp信道TrenchFET功率MOSFET，该器件采用MICRO FOOT芯片级封装，具有业界最小占位面积以及1.2 V时业界最低的导通电阻。
凭借1.2mm×1.0mm的超小占位面积，Si8445DB比业界大小仅次于它的器件小20%，同时具有0.59mm的相同超薄浓度 |
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Linear发表高频高输入供应电压MOSFET驱动器 (2008.06.16)
凌力尔特(Linear Technology Corporation)发表一款高频、高输入供应电压(100V)MOSFET驱动器LTC4446，其专为在双晶体管顺向转换器中，驱动顶部和底部N信道电源MOSFET而设计。此驱动器结合电源MOSFET与众多凌力尔特DC/DC控制器的其中一款后，可构成一完整的高效率双晶体管顺向转换器、亦能设定为可快速执行运作的高压DC开关 |
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Vishay推出新型Siliconix功率MOSFET (2008.06.05)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出15款采用2 mm×2 mm的PowerPAK SC-70封装、浓度为0.8 mm的新型功率MOSFET。
新产品包括用于不同应用的各种配置及额定电压，除了n信道及p信道的互补对外，还包括n信道及p信道的单路、单路带肖特基二极管的及双路的器件 |
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IR全新30V DirectFET MOSFET系列问世 (2008.05.28)
国际整流器公司(IR)，推出专为笔记簿型计算机、服务器CPU电源、图像，以及内存稳压器应用的同步降压转换器设计而优化的全新30V DirectFET MOSFET系列。
新组件系列结合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装技术，较标准SO-8组件的占位面积少40%，更采用了0.7mm纤薄设计 |
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英飞凌最新OptiMOS 3 MOSFET 现已上市 (2008.05.28)
英飞凌科技于中国国际电源展览会(CPS EXPO)的会展中，宣布采用SSO8(SuperSO8)和S308(Shrink SuperSO8)封装的OptiMOS 3 40V、60V和80V N信道MOSFET已上市，其无导线封装处于上述崩溃电压时，具备最低的导通电阻(RDS(on)) |
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Avago推出低耗电8mm爬电距离闸极驱动光耦合器 (2008.03.19)
安华高科技(Avago)宣布推出一款新闸极驱动光耦合器产品，具备2.5A最高尖峰输出电流，Avago的新ACPL-K312满足了低耗电需求，并带来高抗噪声能力，快速的IGBT开关切换可以改善效率，让这些新闸极驱动光耦合器相当适合IGBT/MOSFET闸极驱动、交流与无刷直流马达驱动、工业变频器以及交换式电源等应用 |
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安森美半导体推出新PWM降压稳压器系列 (2008.03.11)
高能效电源半导体解决方案供货商安森美半导体(ON Semiconductor)推出NCP312x双输出脉宽调变(PWM)降压稳压器系列，提供独特的自动追踪和排序功能。这些新器件集成了MOSFET，提供2安培(A)(NCP3120、NCP3122)或3 A(NCP3121、NCP3123)输出电流并具有高达2 |
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ST推出新技术的功率MOSFET系列产品 (2008.03.10)
意法半导体宣布推出两款新的功率MOSFET产品，适用于DC-DC转换器。 新产品采用最新的ST独有的STripFET技术，拥有极低的导电和转换损耗，在一个典型的稳压模块内，最大功耗小于3W |
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Vishay新型控制器IC 针对中间总线转换器应用 (2008.03.02)
Vishay推出针对中间总线转换器（IBC）应用的两款新型控制器IC，这两款器件是率先将高压（75V）半桥 MOSFET驱动器与1.6A峰值电流驱动功能以及各种电流监控功能整合在一起的单芯片器件 |
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英飞凌推出900 V的Superjunction MOSFET (2008.02.28)
英飞凌科技公布业界第一款900V的Superjunction（超级结）MOSFET，专门用于高效能SMPS（交换式电源供应）、工业及再生能源转换。英飞凌推出新型节能CoolMos 900V功率MOSFET家族，突破功率晶体管制造上的"硅限制"，提供使用标准型TO（晶体管管型）封装即具高电压设计的替代方案 |
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TI小型USB电源管理开关组件提供可调式限流功能 (2008.02.26)
德州仪器(TI)发表多款内含FET的电源分布开关组件，提供100mA-1.1A限流设定范围，适合需要限流开关功能的标准USB端口或其它应用。这款电源管理组件有效保护输入电压供应，避免手机、笔记本电脑、液晶电视、机顶盒、游戏机或网络电话使用USB联机时可能出现的短路故障 |
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linear推出具可调限流之低电压热插入控制器 (2008.02.20)
凌力尔特(Linear)针对保护供电电压范围为2.9V至 26.5V之卡板，推出LTC4218 Hot Swap控制器。当一个卡板插入底板时，大量涌浪电流将对负载供电波形产生干扰，造成同一扁平电缆上其它卡板的错误动作 |
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Vishay产品现可由Digi-Key供货 (2007.12.19)
Vishay Intertechnology, Inc.与Digi-Key Corporation宣布，Vishay的延伸性半导体产品，包括MOSFET、二极管、整流器、RF晶体管、光电及选择性IC目前已可透过Digi-Key供货。藉由此新产品阵容强化，Digi-Key现已负责经销Vishay的半导体及被动组件全系列产品 |
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ST推出一款新的功率MOSFET (2007.12.04)
意法半导体宣布推出一款新的功率MOSFET- STV300NH02L，具有极低的微奥姆导通电阻特性，对要求严格的电源供应系统而言，将有助于降低损耗并提升效率。这个新推出的高电流N-channel MOSFET是专为并联供电而设计的，并联供电广泛地使用在服务器应用以提升系统的可靠性 |
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VSH推出三款面向OR-ing应用的功率MOSFET (2007.11.08)
Vishay Intertechnology, Inc.(VSH)推出三款面向OR-ing应用的功率MOSFET，这些器件具有三种封装选择，可提供最佳的导通电阻性能，凭借这三款器件，公司将有助于提升固定电信网络的效率 |
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Vishay的MOSFET帮助设计人员简化电源管理电路 (2007.08.16)
Vishay宣布推出业界首批在1.2V栅源电压时具有额定导通电阻值的功率MOSFET，这一进步将帮助设计人员简化电源管理电路，同时延长可擕式电子系统中的电池运行时间。
额定电压为1.2V的这些新型Vishay Siliconix TrenchFET器件使MOSFET导通电压与移动电子设备中使用的数字IC的1.2V～1.3V工作电压保持一致，从而可实现更安全、更可靠的设计 |
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Linear发表2相同步降压DC/DC控制器 (2007.07.06)
凌力尔特（Linear Technology Corporation）日前发表一款具95%高效率、双组输出同步降压切换稳压控制器LTC3850，其能驱动所有N信道电源MOSFET步阶，并具备一致性或比例追踪功能 |
