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Vishay IGBT和MOSFET驱动器拉伸封装可实现紧凑设计、快速开关 (2024.10.24)
Vishay Intertechnology推出两款采用紧凑、高隔离延伸型SO-6封装的新型IGBT和MOSFET驱动器。 Vishay Semiconductors VOFD341A和VOFD343A分别提供3 A和4 A的高峰值输出电流，提供高达 +125 。C的高工作温度和最大200 ns的低传播延迟 |
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Littelfuse推出高频应用的双5安培低压侧MOSFET栅极驱动器 (2024.09.23)
Littelfuse推出高频应用的双5安培低压侧MOSFET栅极驱动器
Littelfuse推出IX4341和IX4342双5安培低压侧MOSFET闸极驱动器。这些闸极驱动器专为驱动MOSFET而设计，透过增加其馀两个逻辑输入版本完善现有的IX434x驱动器系列 |
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ROHM推出4款工业电源适用SOP封装通用AC-DC控制器IC (2024.09.10)
ROHM推出PWM控制方式FET外接型通用控制器IC，非常适用於工业设备的AC-DC电源。目前已有支援多种功率电晶体共4款新产品投入量产，包括低耐压MOSFET驱动用「BD28C55FJ-LB」、中高耐压MOSFET驱动用「BD28C54FJ-LB」、IGBT驱动用「BD28C57LFJ-LB」以及SiC MOSFET驱动用「BD28C57HFJ-LB」 |
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ROHM推出车电Nch MOSFET 适用於车门、座椅等多种马达及LED头灯应用 (2024.08.28)
在汽车领域，随着安全性和便利性的提高，电子产品逐渐增加，电子元件数量也与日俱增，而为了提高燃油效率和降低电耗，更是要求需降低上述产品的功耗。其中针对车电开关应用不可或缺的MOSFET市场，对导通电阻低、损耗低且发热量低的产品需求逐渐高涨 |
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ROHM高可靠性车电Nch MOSFET适用於多种车用马达及LED头灯应用 (2024.08.22)
随着车用电子元件提高安全性和便利性的需求，为了提高燃油效率和降低电耗，更是要求需降低车用产品的功耗。其中针对车电开关应用不可或缺的MOSFET市场，对导通电阻低、损耗低且发热量低的产品需求逐渐高涨 |
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英飞凌CoolSiC MOSFET 400 V重新定义 AI 伺服器电源功效 (2024.06.26)
随着人工智慧（AI）处理器对功率的要求日益提高，伺服器电源（PSU）必须在不超出伺服器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，因为高阶 GPU 的能源需求激增。至2030 年，每颗高阶 GPU 晶片的能耗可能达到 2千瓦或以上 |
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P通道功率MOSFET及其应用 (2024.04.17)
本文透过对N通道和P通道MOSFET进行比较，并介绍说明Littelfuse P通道功率MOSFET，以及探究其目标应用。 |
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英飞凌针对汽车应用推出最低导通电阻 80 V MOSFET OptiMOS 7 (2024.04.16)
英飞凌科技（Infineon）推出最新先进功率 MOSFET 技术 OptiMOS 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显着提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm2SMD封装 |
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英飞凌新款MOSFET优化高功率密度、效率和系统可靠性 (2024.03.28)
英飞凌科技（Infineon）推出全新的OptiMOS 6 200 V MOSFET产品系列，全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动堆高机等应用提供出色的性能。新款MOSFET产品的导通损耗和开关性能都更加优化，降低电磁干扰（EMI）和开关损耗，有益於用於伺服器、电信、储能系统（ESS）、音讯、太阳能等用途的各种开关应用 |
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ROHM推出SOT-223-3小型封装600V耐压Super Junction MOSFET (2023.12.12)
近年来随着照明用小型电源和泵浦用马达的性能提升，对於在应用中发挥开关作用的MOSFET小型化产品需求渐增。半导体制造商ROHM推出采用SOT-223-3小型封装（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐压Super Junction MOSFET「R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4」，适用於照明用小型电源、空调、泵浦和马达等应用 |
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自走式电器上的电池放电保护 (2023.11.26)
使用MOSFET作为理想二极体，能够为新一代自动化电器提供稳健可靠的安全防护。 |
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顶部散热MOSFET助提高汽车系统设计的功率密度 (2023.11.20)
本文讨论顶部散热（TSC）作为一种创新的元件封装技术能够如何帮助解决多馀热量的散热问题，从而在更小、更轻的汽车中实现更高的功率密度。 |
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Littelfuse新款800V N沟道耗尽型MOSFET采用改进型SOT-223-2L封装 (2023.10.17)
Littelfuse公司推出一款800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET新品CPC3981Z。
与标准SOT-223封装相比，这款新产品的SOT-223-2L封装移除中间引脚，将漏极与闸极之间的引脚间距，从1.386毫米增加到超过4毫米间距增加简化宽输入电压电源的隔离管理，实现精巧的印刷电路板布局 |
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Diodes新款碳化矽MOSFET符合车规 可提升车用子系统效率 (2023.07.19)
Diodes公司推出两款符合汽车规格的碳化矽 (SiC) MOSFETDMWSH120H90SM4Q和DMWSH120H28SM4Q，进一步强化宽能隙 (Wide-Bandgap) 产品阵容。此系列N通道MOSFET产品可满足市场对SiC解决方案不断成长的需求，提升电动与混合动力汽车 (EV/HEV)车用子系统的效率及功率密度，例如电池充电器、车载充电器(OBC)、高效DC-DC转换器、马达驱动器及牵引变流器 |
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英飞凌科技赋能创新解决方案 让电动乘用车电池重生续能 (2023.07.12)
德国STABL能源（STABL Energy）借助英飞凌科技（Infineon）的MOSFET产品，利用退役的电动乘用车电池打造固定式储能系统，首批固定式储能系统试点专案目前已在德国和瑞士投入使用 |
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Magnachip扩展用於行动装置电池保护电路的新型MXT LV MOSFET (2023.07.11)
Magnachip半导体发布四款新型 MXT LV 金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）采用超短通道技术，扩展 Magnachip 用於行动装置电池保护电路的第七代 MXT LV MOSFET 产品阵容。
超短沟道是Magnachip的最新设计技术，通过缩短源极和漏极之间的沟道长度来降低Ron（MOSFET在导通状态操作期间的电阻） |
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英飞凌新一代1200V CoolSiC沟槽式MOSFET 推动电动出行的发展 (2023.07.05)
英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC MOSFET。这款新一代车规级碳化矽（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能够实现双向充电功能，并显着降低了车载充电（OBC）和DC-DC应用的系统成本 |
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Toshiba新款轻薄型共汲极 MOSFET具有极低导通电阻特性 (2023.05.19)
Toshiba推出一款额定电流为 20A 的 12V 共汲极 N 沟道 MOSFET「SSM14N956L」，适用於锂离子 （Li-ion） 电池组 （例如行动装置电池组） 的电池保护电路中。包括智慧手机、平板电脑、行动电源、可穿戴装置、游戏机、小型数位相机等应用 |
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Magnachip新型超短通道 MXT MOSFET可用於智慧手机电池保护电路模组 (2023.03.03)
为了满足移动设备制造商多样化和不断变化，必须解决电源管理方面的需求，Magnachip半导体发布两款第七代 MXT 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，内置超短通道技术可用於智慧型手机中的电池保护电路模组 |
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东芝推出汽车 40V N 沟道功率 MOSFET采用新型高散热封装 (2023.01.31)
近年来，电动汽车的进展推动对於适应汽车设备功耗增加的组件的需求。东芝电子推出汽车40V N沟道功率 MOSFETXPQR3004PB和 XPQ1R004PB，它们使用新的 L-TOGL（大型晶体管外形鸥翼引线）封装，并且具有高漏极电流额定值和低导通电阻，今日开始供货 |
尽管DOS的大受欢迎，是伴随IBM个人PC的功成名就而来，不过要追溯它的起源，可要从较早期的微处理器时代开始说起。
