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合乎成本效益的 20V MOSFET 技术 (2002.06.05)
今日分布式电源供应器工程师所面临的挑战，是必须在尺寸精巧、最低成本的条件下，设计出热、电效能良好的 DC-DC 转换器。本文将讨论如何采用20V MOSFET 取代 30V MOSFET ，以在合乎经济原则的情况下，设计出适用于桌面计算机及服务器的高效率 DC-DC 转换器 |
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合乎成本效益的 20V MOSFET 技术 (2002.06.05)
今日分散式电源供应器工程师所面临的挑战，是必须在尺寸精巧、最低成本的条件下，设计出热、电效能良好的 DC-DC 转换器。本文将讨论如何采用20V MOSFET 取代 30V MOSFET ，以在合乎经济原则的情况下，设计出适用于桌上型电脑及伺服器的高效率 DC-DC 转换器 |
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IR推出20V HEXFET MOSFET (2001.08.23)
国际整流器公司(IR)，全面扩展20V HEXFET功率MOSFET系列，引进10种新款产品，不但以更具成本效率的方式取代高容量桌面计算机中的30V组件，而且效能完全不变。全新20V IRL3714和IRL3715 MOSFET晶体管系列 |
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IR发表新款HEXFET功率MOSFET晶体管系列 (2001.06.06)
IR推出全新HEXFET功率MOSFET晶体管系列
锁定低功率电讯与数据通讯市场
全球供电产品领导事业厂商国际整流器公司（International Rectifier，简称IR），宣布推出产品代号为IRF5802与IRF7465的新型150V与200V MOSFET，不仅进一步扩展SOIC封装的HEXFET功率MOSFET晶体管系列，更能满足电信及数据通讯骨干系统中DC-DC转换器最低功率的需求 |
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具有完全保护功能的功率MOSFET电晶体 (1999.06.29)
STMicroelectronics目前推出其新一代完全自动保护低电压功率MOSFET电晶体的第一个成员，以原OMNIFET系列产品为基础，新的OMNIFET II系列采用了最新的VIPower M0-3技术，可以透过降低导通电阻、缩小架构体积以及更佳的稳固度和崩溃功率处理能力来达到更低的导通功率损耗 |
硬件组装在一起，只是一堆相互无法联系的零件，零件要能相互联络、沟通与协调，才能构成整体的「系统」的基础，而BIOS便扮演这样的角色。
